G. Kaiblinger-Grujin, H. Kosina, S. Selberherr:
"Influence of the Doping Element on the Electron Mobility in n-Silicon";
Journal of Applied Physics, 83 (1998), 6; S. 3096 - 3101.
http://dx.doi.org/10.1063/1.367067Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_1998/JB1998_Kaiblinger_1.pdf