Zeitschriftenartikel:
A. Gehring, S. Selberherr:
"Modeling of Tunneling Current and Gate Dielectric Reliability for Nonvolatile Memory Devices";
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability,
4
(2004),
3;
S. 306
- 319.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/TDMR.2004.836727
Online-Bibliotheks-Katalog der TU Wien:
http://aleph.ub.tuwien.ac.at/F?base=tuw01&func=find-c&ccl_term=AC04967887
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2005/JB2004_Gehring_2.pdf
Zugeordnete Projekte:
Projektleitung Siegfried Selberherr:
SIM