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Zeitschriftenartikel:
V. Sverdlov, T. Windbacher, F. Schanovsky, S. Selberherr:
"Mobility Modeling in Advanced MOSFETs with Ultra-Thin Silicon Body under Stress";
Journal Integrated Circuits and Systems, 4 (2009), 2; S. 55 - 60.

"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.29292/jics.v4i2.298
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2009/JB2009_Sverdlov_1.pdf