Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
A. Bittner, S. Klein, H. Seidel, D. Schwanke, U. Schmid:
"Einfluss der Abscheideparameter auf die Mikrostruktur von Silberdünnfilmen auf LTCC";
Poster: Mikrosystemtechnik Kongress 2009,
Berlin, D;
12.10.2009
- 14.10.2009; in: "Mikrosystemtechnik Kongress 2009 - Proceedings",
VDE Verlag,
(2009),
ISBN: 978-3-8007-3183-1.
Kurzfassung deutsch:
Silber (Ag) wird als weitere Standardmetallisierung neben Gold für LTCC- (Low Temperature Cofired Ceramics) Substrate zunehmend interessanter und wird üblicherweise als Dickschicht in Siebdrucktechnik aufgebracht. Die damit erzielbaren minimalen Strukturbreiten von ca. 50 μm reichen für viele Hochfrequenzanwendungen auf Grund der kurzen Wellenlängen nicht mehr aus. Als Alternative wird der Einsatz von Dünnfilmtechniken betrachtet, die bisher auf LTCC nicht etabliert sind. Um die sehr guten elektrischen Eigenschaften von Silber auch als Dünnfilm auf LTCC nutzen zu können, wird in dieser Arbeit der Einfluss der Abscheideparameter auf die elektrischen Eigenschaften, sowie auf die
Mikrostruktur der Dünnfilme mittels REM, AFM und XRD untersucht. Die mittlere Korngröße betrug durchgängig 33 nm Der Anteil der in [111]-Richtung orientierten Körner und damit die elektrische Leitfähigkeit steigen mit der Plasmaleistung an. Bei Temperaturbehandlung bis 500°C, durch die ein Kornwachstum verursacht wird, sinkt der spezifische Widerstand der gesputterten Schichten maximal um einen Faktor 2. Bei höheren Temperaturen agglomeriert und
sublimiert das Silber, wodurch der Widerstand bis zum kompletten Ausfall der Schicht ansteigt.