Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
M. Grosser, H. Seidel, U. Schmid:
"Einfluss der Sputterparameter auf Morphologie, Phasenbildung und elektrische Eigenschaften von dünnen Tantalschichten";
Poster: Mikrosystemtechnik Kongress 2009,
Berlin, D;
12.10.2009
- 14.10.2009; in: "Mikrosystemtechnik Kongress 2009 - Proceedings",
VDE Verlag,
(2009),
ISBN: 978-3-8007-3183-1.
Kurzfassung deutsch:
Wie Untersuchungen zur Schichtmorphologie von gesputterten Ta-Dünnfilme zeigen, können drei verschiedene Schichttypen
durch Variation des Kammerdrucks bei konstanter Plasmaleistung auf nominal ungeheizten Substraten realisiert werden. Im Kammerdruckbereich von 0,3 bis 6 Pa ist die Schichtstruktur von dicht über kolumnar bis hin zu offenporös definiert einstellbar. Diese Ergebnisse korrelieren mit den gemessenen, elektrischen Daten, die einen deutlichen Anstieg des spezifischen elektrischen Widerstandes mit steigendem Kammerdruck zeigen. Mit Hilfe von XRD-Messungen, aus
denen die mittlere Korngröße bestimmt wurde, konnte über das Modell von Mayadas und Shatzkes der Reflektionskoeffizient der Ladungsträger an Korngrenzen als weitere, charakteristische Größe von Dünnfilmen für eine Vielzahl von Abscheideparametern bestimmt werden. Ferner wurde bei der Auswertung die von den Abscheidebedingungen und der
Schichtdicke abhängige Ausbildung unterschiedlicher Ta-Phasen mit ihren stark unterschiedlichen Materialeigenschaften
mitberücksichtigt.