[Zurück]


Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):

A. Bittner, U. Schmid:
"Lokale Modifikation dielektrischer Eigenschaften von glaskeramischen Hochfrequenzsubstraten";
Vortrag: Mikrosystemtechnik Kongress 2011, Darmstadt; 10.10.2011 - 12.10.2011; in: "Mikrosystemtechnik Kongress 2011 - Proceedings", VDE VERLAG GMBH, Berlin und Offenbach, Bismarckstraße 33, 10625 Berlin, (2011), ISBN: 978-3-8007-3367-5; S. 149 - 152.



Kurzfassung deutsch:
Die Anforderungen an moderne Hochfrequenzsubstrate sind auf Grund unterschiedlicher Baugruppen teilweise konträr.
Neben möglichst geringen dielektrischen Verlusten und einer hohen Integrationsdichte durch einen Mehrlagenaufbau
sind je nach Funktionalität Bereiche mit unterschiedlicher Permittivitäten des Substrates wünschenswert. Daher werden
für Hochfrequenzplatinen oftmals glaskeramische LTCC (engl.: Low Temperature Cofired Ceramics) Substrate
verwendet. Diese haben für viele Anwendungen eine akzeptable Dielektrizitätskonstante bei niedrigen dielektrischen
Verlusten, die jedoch im Bereich von Hochfrequenzantennen zu hoch sind.
In diesem Beitrag werden zwei unterschiedliche Verfahren vorgestellt, um lokal die dielektrischen Eigenschaften der
Glaskeramik zu ändern. Im ersten Ansatz wird Polyimid, in das Glashohlkugeln eingerührt werden, im
Aufschleuderverfahren auf LTCC Substrate aufgebracht, wobei im zweiten die LTCC in einem selektiven,
nasschemischen Ätzverfahren porosiziert wird. Anschließend werden Hochfrequenzmessungen vorgestellt, bei dem eine
Reduktion der Dielektrizitätskonstante des 820 μm dicken Substrates von εr= 7,8 auf εr= 6,45 durch das Ätzverfahren
bzw. auf εr= 6,6 durch Aufbringen der organischen Schicht ermittelt wird. Eine weitere Erniedrigung kann durch
Verwendung von dünneren Tapedicken erreicht werden.