S. Vitanov, V. Palankovski, S. Maroldt, R. Quay, S. Murad, T. Rödle, S. Selberherr:
"Physics-Based Modeling of GaN HEMTs";
IEEE Transactions on Electron Devices, 59 (2012), 3; S. 685 - 693.
http://dx.doi.org/10.1109/TED.2011.2179118Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2011/JB2012_Vitanov_1.pdf