Buchbeiträge:
V. Palankovski, G. Donnarumma, J. Kuzmik:
"Degradation Study of Single and Double-Heterojunction InAlN/GaN HEMTs by Two-Dimensional Simulation";
in: "Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Technologies 2, Vol. 50, No. 3",
R. Garg, K. Shenai (Hrg.);
herausgegeben von: The Electrochemical Society;
ECS Transactions,
2012,
ISBN: 978-1-60768-351-3,
S. 223
- 228.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1149/05003.0223ecst
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2012/BC2012_Palankovski_2.pdf