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A. Backes, F. Patocka, P Walkoun, U. Schmid:
"Poröses Silizium auf SOI Substraten";
Poster: Mikrosystemtechnik Kongress 2013, Aachen, D; 14.10.2013 - 16.10.2013; in: "Proceedings MikroSystemTechnik Kongress 2013", VDE VERLAG GMBH, Berlin und Offenbach, Bismarckstraße 33, 10625 Berlin, (2013), ISBN: 978-3-8007-3555-6; S. 630 - 633.

In diesem Beitrag wird das Porösizieren des "Device Layers" von "Silicon on Insulator" Substraten mittels einem
Edelmetall unterstützten, katalytischen Ätzvorganges untersucht. Aus Rasterelekronenmikroskopieaufnahmen werden
Porentiefe und Form bei verschiedenen Ätzzeiten bestimmt, die durch die Silberpartikel im Silizium erzeugt werden.
Ein Vergleich mit Ergebnissen von Standard-Siliziumwafern zeigt keinen Einfluss des vergrabenen Oxids auf das Ätzverhalten
bis zu dem Zeitpunkt, bei dem die metallischen Partikel den Silizium-Oxid Übergang erreichen. Auf Grund
der bevorzugten Bewegungsrichtung der Partikel parallel zum Silizium-Oxid Übergang in diesem Bereich als auch einer
teilweisen kompletten Bewegungsumkehr wieder hin zur Waferoberfläche erlauben die Untersuchungen erste,
grundlegende Voruntersuchungen in Bezug auf die Interaktion zwischen katalytisch aktivem Partikel und Silizium.

This article deals with the metal assisted chemical etching performance on SOI substrates applying silver particles. Besides
from demonstrating the generation of a porous device layer, the etch behaviour after reaching the buried oxide
presents new insights on the etch process itself. The position of the catalytic particles over time is derived from scanning
electron micrographs. A comparison of the etch rates between standard silicon and SOI wafers shows that the
process is not influenced by the buried oxide until the particles reach the interface. Finally, the etch behaviour is discussed
after the device layer is fully porosified, thus focusing on basic mechanisms driving the catalyst movement during
metal assisted chemical etching.