G. Rescher:
"Behavior of SiC-MOSFETs under Temperature and Voltage Stress";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, P. Hadley, J. Cooper; Institut für Mikroelektronik, 2018; Rigorosum: 13.11.2018.
http://dx.doi.org/10.34726/hss.2018.60783Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/rescher/