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44 - Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik




Zeitschriftenartikel:


  1. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    R Böckle, M. Sistani, K. Eysin, M. Bartmann, M. Luong, M. den Hertog, A. Lugstein, W. Weber:
    "Gate-Tunable Negative Differential Resistance in Next-Generation Ge Nanodevices and their Performance Metrics";
    Advanced Electronic Materials, 7 (2021), 2001178; S. 1 - 6.

    Zusätzliche Informationen

  2. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    R Böckle, M. Sistani, B. Lipovec, D. Pohl, B. Rellinghaus, A. Lugstein, W. Weber:
    "A Top‐Down Platform Enabling Ge Based Reconfigurable Transistors";
    Advanced Materials Technologies, 7 (2022), 2100647; S. 1 - 8.

    Zusätzliche Informationen

  3. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    M. David, A. Dabrowska, M. Sistani, I. Doganlar, E. Hinkelmann, H. Detz, W. Weber, B. Lendl, G. Strasser, B. Hinkov:
    "Octave-spanning low-loss mid-IR waveguides based on semiconductor-loaded plasmonics";
    Optics Express, 29 (2021), 26; S. 43567 - 43579.

    Zusätzliche Informationen

  4. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    J. Delaforce, M. Sistani, R. Kramer, M. Luong, N. Roch, W. Weber, M. den Hertog, E. Robin, C. Naud, A. Lugstein, O. Buisson:
    "Al-Ge-Al Nanowire Heterostructure: From Single-Hole Quantum Dot to Josephson Effect";
    Advanced Materials, 33 (2021), 2101989; S. 2101989-1 - 2101989-9.

    Zusätzliche Informationen

  5. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    F. Fuchs, M. Khan, D. Deb, D. Pohl, J. Schuster, W. Weber, U. Mühle, M. Löffler, Y. Georgiev, A. Erbe, S. Gemming:
    "Formation and Crystallographic Orientation of NiSi2-Si Interfaces";
    Journal of Applied Physics, 128 (2020), S. 08530101 - 08530111.

  6. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    D. Jeon, S. Park, S. Pregl, T. Mikolajick, W. Weber:
    "Reconfigurable thin-film transistors based on a parallel array of Si-nanowires";
    Journal of Applied Physics, 129 (2021), S. 1245041 - 1245049.

    Zusätzliche Informationen

  7. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    A. Krause, U. Langklotz, D. Pohl, O. Tkacheva, D. Pohl, K. Nielsch, T. Mikolajick, W. Weber:
    "Surface related differences between uncoated versus carbon-coated Silicon Nanowire Electrodes on performance in Lithium Ion Batteries";
    Journal of Energy Storage, 27 (2020), S. 1010521 - 1010528.

  8. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    T. Mauersberger, I. Ibrahim, M. Grube, A. Heinzig, T. Mikolajick, W. Weber:
    "Size effect of electron properties in highly arsenic-doped silicon nanowires";
    Solid-State Electronics, 107724 (2019), S. 1 - 7.

    Zusätzliche Informationen

  9. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    T. Mikolajick, G Galderisi, S. Rai, M. Simon, R Böckle, M. Sistani, C. Cakirlar, N. Bhattacharjee, T. Mauersberger, A. Heinzig, A. Kumar, W. Weber, J. Trommer:
    "Reconfigurable field effect transistors: A technology enablers perspective";
    Solid-State Electronics, 194 (2022), 108381; S. 1 - 14.

    Zusätzliche Informationen

  10. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    S. Park, D. Jeon, V. Sessi, J. Trommer, A. Heinzig, T. Mikolajick, G. Kim, W. Weber:
    "Channel length dependent operation of ambipolar Schottky-barrier transistors on a single Si-nanowire";
    ACS Applied Materials & Interfaces, 12 (2020), 39; S. 43927 - 43932.

  11. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    Z. Rong, F. Gao, W. Weber, G. Hobler:
    "Monte Carlo simulations of defect recovery within a 10 keV collision cascade in 3C-SiC";
    Journal of Applied Physics, 102 (2007), S. 1035081 - 1035087.

  12. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    V. Sessi, M. Simon, H. Mulaosmanovic, D. Pohl, M. Loeffler, T. Mauersberger, F. Fengler, T. Mittmann, C. Richter, S. Slesazeck, T. Mikolajick, W. Weber:
    "A Silicon Nanowire Ferroelectric Field-Effect Transistor";
    Advanced Electronic Materials, 6 (2020), 4; S. 1901244-1 - 1901244-7.

    Zusätzliche Informationen

  13. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    M. Simon, B. Liang, D. Fischer, M. Knaut, A. Tahn, T. Mikolajick, W. Weber:
    "Top-down fabricated reconfigurable FET with two symmetric and high-current on-states";
    IEEE Electron Device Letters, 41 (2020), 7; S. 1110 - 1113.

    Zusätzliche Informationen

  14. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    M. Simon, R. Mizuta, Y. Fan, A. Tahn, D. Pohl, J. Trommer, S. Hofmann, T. Mikolajick, W. Weber:
    "Lateral Extensions to Nanowires for Controlling Nickel Silicidation Kinetics: Improving Contact Uniformity of Nanoelectronic Devices";
    ACS Applied Nano Materials, 4 (2021), S. 4371 - 4378.

    Zusätzliche Informationen

  15. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    M. Sistani, R Böckle, M. Bartmann, A. Lugstein, W. Weber:
    "Bias-Switchable Photoconductance in a Nanoscale Ge Photodetector Operated in the Negative Differential Resistance Regime";
    ACS Photonics, 8 (2021), S. 3469 - 3475.

    Zusätzliche Informationen

  16. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    M. Sistani, R Böckle, D. Falkensteiner, M. Luong, M. den Hertog, A. Lugstein, W. Weber:
    "Nanometer-Scale Ge Based Adaptable Transistors Providing Programmable Negative Differential Resistance Enabling Multi Valued Logic";
    ACS Nano, 15 (2021), S. 18135 - 18141.

    Zusätzliche Informationen

  17. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    M. Sistani, R Böckle, L. Wind, K. Eysin, X. Maeder, P. Schweizer, J. Michler, A. Lugstein, W. Weber:
    "Polycrystalline Ge Nanosheets Embedded in Metal‐Semiconductor Heterostructures Enabling Wafer‐Scale 3D Integration of Ge Nanodevices with Self‐Aligned Al Contacts";
    Advanced Electronic Materials, 7 (2021), 5; S. 2100101-1 - 2100101-9.

    Zusätzliche Informationen

  18. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    Z. Song, M. Sistani, L. Wind, D. Pohl, B. Rellinghaus, W. Weber, A. Lugstein:
    "Plasmon-assisted polarization-sensitive photodetection with tunable polarity for integrated silicon photonic communication systems";
    Nanotechnology, 32 (2021), 505205; S. 505205-1 - 505205-8.

  19. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    J. Trommer, M. Simon, S. Slesazeck, W. Weber, T. Mikolajick:
    "Inherent Charge-Sharing-Free Dynamic Logic Gates Employing Transistors With Multiple Independent Inputs";
    IEEE Journal of the Electron Devices Society, 8 (2020), S. 740 - 747.

    Zusätzliche Informationen

  20. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    L. Wind, R Böckle, M. Sistani, P. Schweizer, X. Maeder, J. Michler, C. Murphey, J.F. Cahoon, W. Weber:
    "Monolithic and Single-Crystalline Aluminum−Silicon Heterostructures";
    ACS Applied Materials & Interfaces, 14 (2022), S. 26238 - 26244.

    Zusätzliche Informationen

  21. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    L. Wind, M. Sistani, Z. Song, X. Maeder, D. Pohl, J. Michler, B. Rellinghaus, W. Weber, A. Lugstein:
    "Monolithic Metal−Semiconductor−Metal Heterostructures Enabling Next-Generation Germanium Nanodevices";
    ACS Applied Materials & Interfaces, 13 (2021), S. 12393 - 12399.


Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):


  1. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    R Böckle, A. Lugstein, B. Rellinghaus, B. Lipovec, D. Pohl, M. Sistani, W. Weber:
    "Top-down Fabricated Ge-based Reconfigurable FETs";
    Vortrag: European Congress and Exhibition on Advanced Materials and Processes (EUROMAT), VIRTUAL; 13.09.2021 - 17.09.2021; in: "EUROMAT 2021", (2021), Paper-Nr. 278, 1 S.

  2. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    R Böckle, M. Sistani, M. Bartmann, A. Lugstein, W. Weber:
    "Bias-Switchable Photoconductance in a Nanoscale Ge Photodetector Operated in the Negative Differential Resistance Regime";
    Poster: Nanowire Week, Chamonix; 25.04.2022 - 29.04.2022; in: "Nanowire Week 2022", (2022), S. 88.

  3. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    R Böckle, M. Sistani, Z. Sadre-Momtaz, M. den Hertog, A. Lugstein, W. Weber, D. Pogany:
    "Low-frequency Noise in Room-temperature quasi-ballistic Ge NW Transistors";
    Poster: Nanowire Week, Chamonix; 25.04.2022 - 29.04.2022; in: "Nanowire Week 2022", (2022), S. 20.

  4. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    M. David, A. Dabrowska, E. Hinkelmann, I. Doganlar, H. Detz, W. Weber, B. Lendl, G. Strasser, B. Hinkov:
    "Hybrid semiconductor-metal plasmonic waveguide for on-chip sensors in the longwave infrared";
    Vortrag: Gemainsame Jahrestagung der ÖPG und SPS 2021, Innsbruck; 30.08.2021 - 03.09.2021; in: "Gemeinsame Jahrestagung in Innsbruck", (2021), S. 49.

  5. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    M. David, A. Dabrowska, M. Sistani, I. Doganlar, B. Schwarz, H. Detz, W. Weber, B. Lendl, G. Strasser, B. Hinkov, E. Hinkelmann:
    "Germanium-based Dielectric Loaded Plasmonic Waveguides For The Long-wave Infrared Spectral Range";
    Vortrag: Compound Semiconductor Week (CSW), Stockholm; 09.05.2021 - 13.05.2021; in: "Online Conference - CSW 2021", (2021), Paper-Nr. WeA2.6, 1 S.

  6. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    M. David, A. Dabrowska, M. Sistani, E. Hinkelmann, I. Doganlar, H. Detz, W. Weber, B. Lendl, G. Strasser, B. Hinkov:
    "LWIR dielectric-loaded surface-plasmon-polariton waveguide for optical sensing";
    Vortrag: 15th International Conference on Mid-Infrared: Optoelectronic Materials and Devices (MIOMD), virtuell; 01.09.2021 - 03.09.2021; in: "15th International Conference on Mid-Infrared: Optoelectronic Materials and Devices (MIOMD)", (2021), Paper-Nr. O11-3, 1 S.

  7. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    M. David, A. Dabrowska, M. Sistani, E. Hinkelmann, I. Doganlar, H. Detz, W. Weber, B. Lendl, G. Strasser, B. Hinkov:
    "Octave-spanning long-range plasmonic waveguide based on semiconductor-loading for mid-infrared monolithic sensors";
    Vortrag: SPIE Photonics West 2022 (SPIE OPTO), San Francisco; 22.01.2022 - 27.01.2022; in: "Proceedings Volume PC12021, Novel In-Plane Semiconductor Lasers XXI", PC12021 (2022), Paper-Nr. PC120210N, 1 S.

    Zusätzliche Informationen

  8. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    M. David, A. Dabrowska, M. Sistani, E. Hinkelmann, I. Doganlar, B. Schwarz, H. Detz, W. Weber, B. Lendl, G. Strasser, B. Hinkov:
    "Low loss dielectric loaded plasmonic waveguides for sensing applications above nine microns";
    Poster: CLEO/Europe EQEC 2021, Virtual Conference; 21.06.2021 - 25.06.2021; in: "Proceedings of Conference on Lasers and Electro-Optics Europe & European Quantum Electronics Conference", (2021), Paper-Nr. EH-P.5, 1 S.

  9. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    M. David, A. Dabrowska, M. Sistani, E. Hinkelmann, I. Doganlar, B. Schwarz, H. Detz, W. Weber, B. Lendl, G. Strasser, B. Hinkov:
    "Towards long-wave infrared lab-on-chip sensors using plasmonic and quantum cascade technology";
    Poster: ICAVS11, Krakau; 23.08.2021 - 26.08.2021; in: "11th International Conference on advanced vibrational spectroscopy", (2021), S. 31.

  10. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    I. Doganlar, M. David, M. Sistani, D Nazzari, H. Detz, A. Lugstein, W. Weber, G. Strasser, B. Hinkov:
    "Material Analysis for Mid-IR Dielectric Loaded Plasmonic Waveguides and Their Application in Chemical Sensing";
    Poster: Gemainsame Jahrestagung der ÖPG und SPS 2021, Innsbruck; 30.08.2021 - 03.09.2021; in: "Gemeinsame Jahrestagung in Innsbruck", (2021), S. 54.

  11. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    S. Kolodinski, C. Mart, W. Weinreich, V. Sessi, J. Trommer, T. Chohan, H. Mulaosmanovic, W. Weber, S. Slesazeck, B. Peng, C. Esposito, Y. Zimmermann, M. Schröter, X. Xu, P. Testa, C. Carta, F. Ellinger, S. Lehmann, M. Drescher, M. Wiatr:
    "IPCEI Subcontracts Contributing to 22-FDX Add-on Functionalities at GF";
    Vortrag: European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), krakow, Polen; 23.09.2019 - 26.09.2019; in: "IEEE ESSDERC Proceedings", (2019), S. 74 - 77.

  12. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    M. Sistani, R Böckle, M. Luong, M. den Hertog, A. Lugstein, W. Weber:
    "Programmable negative differential Resistance in Ge Nanowire Transistors";
    Vortrag: Nanowire Week, Chamonix; 25.04.2022 - 29.04.2022; in: "Nanowire Week 2022", (2022), S. 64.

  13. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    M. Sistani, A. Lugstein, K. Eysin, M. Bartmann, R Böckle, W. Weber:
    "Gate-Tunable Negative Differential Resistance in Next-Generation Ge Nanodevices and their Performance Metrics";
    Vortrag: European Congress and Exhibition on Advanced Materials and Processes (EUROMAT), VIRTUEL; 13.09.2021 - 17.09.2021; in: "EUROMAT 2021", (2021), Paper-Nr. 647, 1 S.

  14. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    J. Trommer, M. Simon, S. Slesazeck, W. Weber, T. Mikolajick:
    "Eliminating Charge Sharing in Clocked Logic Gates on the Device Level Employing Transistors with Multiple Independent Inputs";
    Vortrag: European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), krakow, Polen; 23.09.2019 - 26.09.2019; in: "IEEE ESSDERC Proceedings", (2019), S. 134 - 137.

  15. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    L. Wind, R Böckle, M. Sistani, L. Vukusic, J. Aberl, M. Brehm, P. Schweizer, W. Weber:
    "Highly transparent Contacts to SixGe1-x Nanowires embedded in Metal-Semiconductor-Metal Heterostructures";
    Vortrag: Nanowire Week, Chamonix; 25.04.2022 - 29.04.2022; in: "Nanowire Week 2022", (2022), S. 69.


Vorträge und Posterpräsentationen (ohne Tagungsband-Eintrag):


  1. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    R Böckle, M. Sistani, W. Weber:
    "Ge-based Reconfigurable Transistors: A Platform Enabling Negative Differential Resistance";
    Poster: Dresden Microelectronics Academy (DMA), Dresden; 20.09.2021 - 24.09.2021.

  2. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    M. Sistani, J. Delaforce, C. Naud, R. Kramer, M. Luong, M. Hertog, W. Weber, O. Buisson, A. Lugstein:
    "A Ge quantum dot monolithically embedded in a metal-semiconductor heterostructure: from single-hole transport to proximity induced superconductivity";
    Vortrag: Online Conference - JMC17, Grenoble (eingeladen); 24.07.2021 - 27.07.2021.


Dissertationen (eigene und begutachtete):


  1. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    O. Baumgartner:
    "Numerical Modeling of Multilayer Semiconductor Devices";
    Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, W. Weber, C. Sampedro; Institut für Mikroelektronik, 2020; Rigorosum: 05.03.2020.

  2. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    D Nazzari:
    "Growth of 2D silicon structures by molecular beam epitaxy";
    Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): A. Lugstein, H. Zandvliet, W. Weber; E362, 2021; Rigorosum: 25.02.2021.

  3. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    V Ritter:
    "Synthesis and Passivation of Silicene";
    Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): E. Bertagnolli, W. Weber, M. Kolibal; E362, 2020; Rigorosum: 03.03.2020.

  4. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    F. Triendl:
    "Microstructural and electrical characterization of Si/4H-SiC heterojunction diodes";
    Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): U. Schmid, W. Weber, M. Eickhoff; E366, 2021; Rigorosum: 11.05.2021.


Diplom- und Master-Arbeiten (eigene und betreute):


  1. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    R Böckle:
    "Ge-basierte rekonfigurierbare Transistoren: Eine Plattform zur Realisierung von Bauelementen mit negativen differentiellem Widerstand";
    Betreuer/in(nen): W. Weber, M. Sistani; e362, 2021; Abschlussprüfung: 19.07.2021.

  2. Quelle: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

    O. Solfronk:
    "Herstellung und Charakterisierung verschiedener Passivierungen für die Germanium - Dielektrikum Grenzfläche mit Hilfe einer plasma enhanced ALD";
    Betreuer/in(nen): W. Weber, M. Sistani; e362, 2021; Abschlussprüfung: 15.12.2021.