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Publikationsliste für Angehörige von
E360 - Institut für Mikroelektronik
als Autorinnen / Autoren bzw. wesentlich beteiligte Personen

2932 Datensätze (1976 - 2017)

Die Publikationen der Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik sind erst ab dem Jahr 1996 vollzählig in der Publikationsdatenbank enthalten. Publikationen aus den Jahren vor 1996 können, müssen aber nicht in der Datenbank vorhanden sein.


Bücher und Buch-Herausgaben


  1. Autor/in: N. Arora
    Andere beteiligte Person: Siegfried Selberherr, E360

    N. Arora:
    "MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation";
    in Buchreihe "Computational Microelectronics", Buchreihen-Herausgeber: S. Selberherr; Springer-Verlag, Wien - New York, 1993, ISBN: 978-3-7091-9249-8, 605 S.

    Zusätzliche Informationen

  2. Autor/innen: W Benger; Rene Heinzl, E360; Wolfgang Kapferer; Wolfram Schoor; Mayank Tyagi; Shalini Venkataraman; Gunther H Weber

    W. Benger, R. Heinzl, W. Kapferer, W. Schoor, M. Tyagi, S. Venkataraman, G.-H. Weber (Hrg.):
    "Proceedings of the 4th High-End Visualization Workshop";
    Lehmann, Berlin, 2007, ISBN: 978-3-86541-216-4; 175 S.

  3. Autor/innen: H.C. DeGraaff; F.M. Klassen
    Andere beteiligte Person: Siegfried Selberherr, E360

    H.C. DeGraaff, F.M. Klassen:
    "Compact Transistor Modeling for Circuit Design";
    in Buchreihe "Computational Microelectronics", Buchreihen-Herausgeber: S. Selberherr; Springer-Verlag, Wien - New York, 1990, ISBN: 978-3-7091-9045-6, 351 S.

    Zusätzliche Informationen

  4. Autor/innen: Franz Fasching, E360; Stefan Halama, E360; Siegfried Selberherr, E360

    F. Fasching, S. Halama, S. Selberherr (Hrg.):
    "Technology CAD Systems";
    Springer-Verlag, Wien - New York, 1993, ISBN: 978-3-7091-9317-4; 309 S.

    Zusätzliche Informationen

  5. Autor/innen: D.K. Ferry; Josef Weinbub, E360

    D.K. Ferry, J. Weinbub (Hrg.):
    "Booklet of the 1st International Wigner Workshop (IW2)";
    Institute for Microelectronics, TU Wien, Wien, 2015, 16 S.

  6. Autor/in: Klaus-Tibor Grasser, E360

    T. Grasser (Hrg.):
    "Advanced Device Modeling and Simulation";
    World Scientific Publishing Co., 2003, ISBN: 9-812-38607-6; 210 S.

  7. Autor/in: Klaus-Tibor Grasser, E360

    T. Grasser (Hrg.):
    "Bias Temperature Instability for Devices and Circuits";
    Springer Science+Business Media New York, 2013, ISBN: 978-1-4614-7908-6; 810 S.

    Zusätzliche Informationen

  8. Autor/in: Klaus-Tibor Grasser, E360

    T. Grasser (Hrg.):
    "Hot Carrier Degradation in Semiconductor Devices";
    Springer International Publishing, 2014, ISBN: 978-3-319-08993-5; 517 S.

    Zusätzliche Informationen

  9. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, S. Selberherr (Hrg.):
    "Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007";
    Springer-Verlag, Wien - New York, Wien, 2007, ISBN: 978-3-211-72860-4; 460 S.

    Zusätzliche Informationen

  10. Autor/in: W. Hänsch
    Andere beteiligte Person: Siegfried Selberherr, E360

    W. Hänsch:
    "The Drift Diffusion Equation and Its Applications in MOSFET Modeling";
    in Buchreihe "Computational Microelectronics", Buchreihen-Herausgeber: S. Selberherr; Springer-Verlag, Wien - New York, 1991, ISBN: 978-3-7091-9097-5, 271 S.

    Zusätzliche Informationen

  11. Autor/innen: Sung-Min Hong; A.-T Pham; C. Jungemann
    Andere beteiligte Person: Siegfried Selberherr, E360

    S.-M Hong, A.-T Pham, C. Jungemann:
    "Deterministic Solvers for the Boltzmann Transport Equation";
    in Buchreihe "Computational Microelectronics", Buchreihen-Herausgeber: S. Selberherr; Springer-Verlag, Wien - New York, 2011, ISBN: 978-3-7091-0777-5, 227 S.

    Zusätzliche Informationen

  12. Autor/in: Yury Illarionov, E360

    Yu. Illarionov:
    "Tunnel Carrier Transport and Related Physical Phenomena in Gold - Calcium Fluoride - Silicon (111) Structures";
    Typography of St-Petersburg State Polytechnical University, St. Petersburg, 2014, 20 S.

  13. Autor/innen: Koji Ishibashi; S.M. Goodnick; Siegfried Selberherr, E360; Akira Fujiwara

    K. Ishibashi, S.M. Goodnick, S. Selberherr, A. Fujiwara (Hrg.):
    "Innovative Nanoscale Devices and Systems";
    Society for Micro- and Nanoelectronics, 2012, ISBN: 978-3-901578-25-0; 100 S.

  14. Autor/innen: C. Jacoboni; P. Lugli
    Andere beteiligte Person: Siegfried Selberherr, E360

    C. Jacoboni, P. Lugli:
    "The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation";
    in Buchreihe "Computational Microelectronics", Buchreihen-Herausgeber: S. Selberherr; Springer-Verlag, Wien - New York, 1989, ISBN: 978-3-7091-7453-1, 356 S.

    Zusätzliche Informationen

  15. Autor/innen: B. Jonker; Wolfgang Porod; Viktor Sverdlov, E360; Kazuhiko Matsumoto; Siegfried Selberherr, E360; S.M. Goodnick

    B. Jonker, W. Porod, V. Sverdlov, K. Matsumoto, S. Selberherr, S.M. Goodnick (Hrg.):
    "Innovative Nanoscale Devices and Systems";
    Society for Micro- and Nanoelectronics, 2016, ISBN: 978-3-901578-30-4; 88 S.

  16. Autor/innen: W. Joppich; S. Mijalkovic
    Andere beteiligte Person: Siegfried Selberherr, E360

    W. Joppich, S. Mijalkovic:
    "Multigrid Methods for Process Simulation";
    in Buchreihe "Computational Microelectronics", Buchreihen-Herausgeber: S. Selberherr; Springer-Verlag, Wien - New York, 1993, ISBN: 978-3-7091-9255-9, 309 S.

    Zusätzliche Informationen

  17. Autor/innen: C. Jungemann; Bernd Meinerzhagen
    Andere beteiligte Person: Siegfried Selberherr, E360

    C. Jungemann, B. Meinerzhagen:
    "Hierarchical Device Simulation";
    in Buchreihe "Computational Microelectronics", Buchreihen-Herausgeber: S. Selberherr; Springer-Verlag, Wien - New York, 2003, ISBN: 978-3-7091-7226-1, 254 S.

    Zusätzliche Informationen

  18. Autor/innen: Robert Klima, E360; Siegfried Selberherr, E360

    R. Klima, S. Selberherr:
    "Programmieren in C";
    Springer-Verlag, Wien - New York, Wien, 2003, ISBN: 978-3-211-40514-7; 354 S.

  19. Autor/innen: Robert Klima, E360; Siegfried Selberherr, E360

    R. Klima, S. Selberherr:
    "Programmieren in C, 2. Auflage";
    Springer-Verlag, Wien - New York, Wien, 2007, ISBN: 978-3-211-72000-4; 366 S.

  20. Autor/innen: Robert Klima, E360; Siegfried Selberherr, E360

    R. Klima, S. Selberherr:
    "Programmieren in C, 3. Auflage";
    Springer-Verlag, Wien - New York, Wien, 2010, ISBN: 978-3-7091-0392-0; 366 S.

    Zusätzliche Informationen

  21. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Kosina, S. Selberherr (Hrg.):
    "11th International Workshop on Computational Electronics Book of Abstracts";
    Technische Universität Wien, Institut für Mikroelektronik, Wien, 2006, ISBN: 3-901578-16-1; 400 S.

  22. Autor/in: Erasmus Langer, E360

    E. Langer:
    "Programmieren in Fortran";
    Springer, 1993, ISBN: 978-3-211-82446-7.

    Zusätzliche Informationen

  23. Autor/in: Peter A. Markowich
    Andere beteiligte Person: Siegfried Selberherr, E360

    P. Markowich:
    "The Stationary Semiconductor Device Equations";
    in Buchreihe "Computational Microelectronics", Buchreihen-Herausgeber: S. Selberherr; Springer-Verlag, Wien - New York, 1986, ISBN: 978-3-211-99937-0, 193 S.

    Zusätzliche Informationen

  24. Autor/innen: Gregor Meller, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    G. Meller, T. Grasser (Hrg.):
    "Organic Electronics";
    Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg, 2009, ISBN: 978-3-642-04537-0; 328 S.

    Zusätzliche Informationen

  25. Autor/innen: N. Mori; Siegfried Selberherr, E360

    N. Mori, S. Selberherr (Hrg.):
    "16th International Workshop on Computational Electronics Book of Abstracts";
    Society for Micro- and Nanoelectronics, 2013, ISBN: 978-3-901578-26-7; 269 S.

  26. Autor/innen: A. Nathan; H. Baltes
    Andere beteiligte Person: Siegfried Selberherr, E360

    A. Nathan, H. Baltes:
    "Microtransducer CAD";
    in Buchreihe "Computational Microelectronics", Buchreihen-Herausgeber: S. Selberherr; Springer-Verlag, Wien - New York, 1999, ISBN: 978-3-7091-7321-3, 427 S.

    Zusätzliche Informationen

  27. Autor/innen: Y. Omura; Francisco Gamiz; H. Ishii; J. A. Martino; B.-Y. Nguyen; J.-P. Raskin; Siegfried Selberherr, E360

    Y. Omura, F. Gamiz, H. Ishii, J. A. Martino, B.-Y. Nguyen, J.-P. Raskin, S. Selberherr (Hrg.):
    "Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 15";
    The Electrochemical Society, 2011, ISBN: 978-1-56677-866-4; 333 S.

  28. Autor/innen: Y. Omura; Francisco Gamiz; B.-Y. Nguyen; H. Ishii; J. A. Martino; Siegfried Selberherr, E360; J.-P. Raskin

    Y. Omura, F. Gamiz, B.-Y. Nguyen, H. Ishii, J. A. Martino, S. Selberherr, J.-P. Raskin (Hrg.):
    "Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 16";
    The Electrochemical Society, 2013, ISBN: 978-1-62332-027-0; 220 S.

  29. Autor/innen: Y. Omura; J. A. Martino; J.-P. Raskin; Siegfried Selberherr, E360; H. Ishii; Francisco Gamiz; B.-Y. Nguyen

    Y. Omura, J. A. Martino, J.-P. Raskin, S. Selberherr, H. Ishii, F. Gamiz, B.-Y. Nguyen (Hrg.):
    "Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 17";
    The Electrochemical Society, 2015, ISBN: 978-1-62332-238-0; 365 S.

  30. Autor/innen: Vassil Palankovski, E360; Rüdiger Quay, E360
    Andere beteiligte Person: Siegfried Selberherr, E360

    V. Palankovski, R. Quay:
    "Analysis and Simulation of Heterostructure Devices";
    in Buchreihe "Computational Microelectronics", Buchreihen-Herausgeber: S. Selberherr; Springer-Verlag, Wien - New York, 2004, ISBN: 978-3-7091-7193-6, 309 S.

    Zusätzliche Informationen

  31. Autor/in: Peter Pichler
    Andere beteiligte Person: Siegfried Selberherr, E360

    P. Pichler:
    "Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon";
    in Buchreihe "Computational Microelectronics", Buchreihen-Herausgeber: S. Selberherr; Springer-Verlag, Wien - New York, 2004, ISBN: 978-3-7091-7204-9, 554 S.

    Zusätzliche Informationen

  32. Autor/innen: Lukas Polok; Masha Sosonkina; William I. Thacker; Josef Weinbub, E360

    L. Polok, M. Sosonkina, W.I. Thacker, J. Weinbub (Hrg.):
    "High Performance Computing Symposium (HPC 2017)";
    The Society for Modeling and Simulation International, San Diego, CA, USA, 2017, ISBN: 978-1-5108-3822-2; 192 S.

  33. Autor/in: Mahdi Pourfath, E360
    Andere beteiligte Person: Siegfried Selberherr, E360

    M. Pourfath:
    "The Non-Equilibrium Green's Function Method for Nanoscale Device Simulation";
    in Buchreihe "Computational Microelectronics", Buchreihen-Herausgeber: S. Selberherr; Springer-Verlag, Wien - New York, 2014, ISBN: 978-3-7091-1800-9, 256 S.

    Zusätzliche Informationen

  34. Autor/in: Rüdiger Quay, E360
    Andere beteiligte Personen: R. Hull; R.M. Osgood; J. Parisi; H. Warlimont

    R. Quay:
    "Gallium Nitride Electronics";
    in Buchreihe "Materials Science", Buchreihen-Herausgeber: R. Hull, R.M. Osgood, J. Parisi, H. Warlimont; Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg, 2008, ISBN: 978-3-540-71890-1, 469 S.

    Zusätzliche Informationen

  35. Autor/in: Andreas Schenk
    Andere beteiligte Person: Siegfried Selberherr, E360

    A. Schenk:
    "Advanced Physical Models for Silicon Device Simulation";
    in Buchreihe "Computational Microelectronics", Buchreihen-Herausgeber: S. Selberherr; Springer-Verlag, Wien - New York, 1998, ISBN: 978-3-7091-7334-3, 349 S.

    Zusätzliche Informationen

  36. Autor/in: D. Schroeder
    Andere beteiligte Person: Siegfried Selberherr, E360

    D. Schroeder:
    "Modelling of Interface Carrier Transport for Device Simulation";
    in Buchreihe "Computational Microelectronics", Buchreihen-Herausgeber: S. Selberherr; Springer-Verlag, Wien - New York, 1994, ISBN: 978-3-7091-7368-8, 221 S.

    Zusätzliche Informationen

  37. Autor/in: Siegfried Selberherr, E360

    S. Selberherr:
    "Analysis and Simulation of Semiconductor Devices";
    Springer-Verlag, Wien - New York, 1984, ISBN: 978-3-7091-8754-8; 294 S.

    Zusätzliche Informationen

  38. Autor/in: Siegfried Selberherr, E360

    S. Selberherr (Hrg.):
    "Two Dimensional Modeling of MOS Transistors";
    Semiconductor Physics, Inc., Auszug aus der Dissertation in englischer Sprache, 1981, 146 S.

  39. Autor/innen: Siegfried Selberherr, E360; Hannes Stippel, E360; Rudolf Strasser, E360

    S. Selberherr, H. Stippel, R. Strasser (Hrg.):
    "Simulation of Semiconductor Devices and Processes, Vol.5";
    Springer-Verlag, Wien - New York, 1993, ISBN: 978-3-7091-7372-5; 504 S.

    Zusätzliche Informationen

  40. Autor/in: Viktor Sverdlov, E360
    Andere beteiligte Person: Siegfried Selberherr, E360

    V. Sverdlov:
    "Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs";
    in Buchreihe "Computational Microelectronics", Buchreihen-Herausgeber: S. Selberherr; Springer-Verlag, Wien - New York, 2011, ISBN: 978-3-7091-0381-4, 252 S.

    Zusätzliche Informationen

  41. Autor/innen: Viktor Sverdlov, E360; Sorin Cristoloveanu, IMEP; Francisco Gamiz; Siegfried Selberherr, E360

    V. Sverdlov, S. Cristoloveanu, F. Gamiz, S. Selberherr (Hrg.):
    "2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon EUROSOI-ULIS";
    IEEE, 2016, ISBN: 978-1-4673-8608-1; 272 S.

  42. Autor/innen: Viktor Sverdlov, E360; Francisco Gamiz; Sorin Cristoloveanu, IMEP; Siegfried Selberherr, E360

    V. Sverdlov, F. Gamiz, S. Cristoloveanu, S. Selberherr (Hrg.):
    "2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon EUROSOI-ULIS Book of Abstracts";
    Society for Micro- and Nanoelectronics, 2016, ISBN: 978-3-901578-29-8; 166 S.

  43. Autor/innen: Viktor Sverdlov, E360; B. Jonker; K. Ishibashu; S.M. Goodnick; Siegfried Selberherr, E360

    V. Sverdlov, B. Jonker, K. Ishibashu, S.M. Goodnick, S. Selberherr (Hrg.):
    "Innovative Nanoscale Devices and Systems";
    Society for Micro- and Nanoelectronics, 2014, ISBN: 978-3-901578-28-1; 84 S.

  44. Autor/innen: Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Sverdlov, S. Selberherr (Hrg.):
    "Special Issue: Extended Papers Selected from EUROSOI-ULIS 2016";
    Solid-State Electronics, Elsevier, 2017, ISSN: 0038-1101; 206 S.

  45. Autor/innen: J. W. Swart; Siegfried Selberherr, E360; A. A. Susin; J. A. Diniz; N. Morimoto

    J. W. Swart, S. Selberherr, A. A. Susin, J. A. Diniz, N. Morimoto (Hrg.):
    "Microelectronics Technology and Devices - SBMICRO 2008";
    The Electrochemical Society, 2008, ISBN: 978-1-56677-646-2; 661 S.

  46. Autor/innen: Bianka Ullmann, E360; Gerald Artner, E389; Irene Hahn, Romer Labs; Philipp Hans, E163 - Fröhlich; Heinz Krebs, E163 - Fröhlich; Peter Eder-Neuhauser, E389; Richard Zemann, E311 - FET

    B. Ullmann, G. Artner, I. Hahn, P. Hans, H. Krebs, P. Eder-Neuhauser, R. Zemann (Hrg.):
    "Proceedings VSS 2016 - Vienna young Scientists Symposium";
    Book of Abstracts, Dipl.Ing. Heinz A. Krebs, 2352 Gumpoldskirchen, 2016, ISBN: 978-3-9504017-2-1; 128 S.

    Zusätzliche Informationen

  47. Autor/in: Christoph Wasshuber, E360
    Andere beteiligte Person: Siegfried Selberherr, E360

    C. Wasshuber:
    "Computational Single-Electronics";
    in Buchreihe "Computational Microelectronics", Buchreihen-Herausgeber: S. Selberherr; Springer-Verlag, Wien - New York, 2001, ISBN: 978-3-7091-7256-8, 278 S.

    Zusätzliche Informationen

  48. Autor/innen: Layne T. Watson; Josef Weinbub, E360; Masha Sosonkina; William I. Thacker; Karl Rupp, E360

    L.T. Watson, J. Weinbub, M. Sosonkina, W.I. Thacker, K. Rupp (Hrg.):
    "High Performance Computing Symposium (HPC 2015)";
    The Society for Modeling and Simulation International, Vista, CA, USA, 2015, ISBN: 978-1-5108-0101-1; 242 S.

  49. Autor/innen: Josef Weinbub, E360; Marc Baboulin; William I. Thacker; Lukas Polok; Sanjukta Bhowmick

    J. Weinbub, M. Baboulin, W.I. Thacker, L. Polok, S. Bhowmick (Hrg.):
    "High Performance Computing Symposium (HPC 2016)";
    The Society for Modeling and Simulation International, Vista, CA, USA, 2016, ISBN: 978-1-5108-2318-1; 210 S.

  50. Autor/innen: Josef Weinbub, E360; D.K. Ferry; Irena Knezevic; Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    J. Weinbub, D.K. Ferry, I. Knezevic, M. Nedjalkov, S. Selberherr (Hrg.):
    "Book of Abstracts of the 2nd International Wigner Workshop (IW2)";
    Institute for Microelectronics, TU Wien, Wien, 2017, ISBN: 978-3-200-05129-4; 51 S.

  51. Autor/innen: Richard Zemann, E311 - FET; Alexander Grill, E360; Irene Hahn; Heinz Krebs, E163 - Fröhlich; Andrea Mayr; Peter Eder-Neuhauser, E389; Bianka Ullmann, E360

    R. Zemann, A. Grill, I. Hahn, H. Krebs, A. Mayr, P. Eder-Neuhauser, B. Ullmann (Hrg.):
    "Proceedings VSS 2015 - Vienna young Scientists Symposium";
    Book of Abstracts, Dipl.Ing. Heinz A. Krebs, 2352 Gumpoldskirchen, 2015, ISBN: 978-3-9504017-07; 182 S.


Zeitschriftenartikel


  1. Autor/innen: A. Abramo; L. Baudry; R. Brunetti; R. Castagne; M. Charef; F. Dessene; P. Dollfus; W.L. Engl; R. Fauquembergue; C. Fiegna; M.V. Fischetti; S. Galdin; N. Goldsman; Michael Hackel, E360; C. Hamaguchi; K. Hess; K. Hennacy; P. Hesto; J.M. Higman; T. Izuka; C. Jungemann; Y. Kamakura; Hans Kosina, E360; T. Kunikiyo; S.E. Laux; H. Lin; C. Maziar; H. Mizuno; H.J. Peifer; S. Ramaswamy; N. Sano; P.G. Scrobohaci; Siegfried Selberherr, E360; M. Takenaka; T.-W. Tang; K. Taniguchi; J.L. Thobel; R. Thoma; K. Tomizawa; M. Tomizawa; T. Vogelsang; S.-L. Wang; X. Wang; C.-S. Yao; P.D. Yoder; A. Yoshii

    A. Abramo, L. Baudry, R. Brunetti, R. Castagne, M. Charef, F. Dessene, P. Dollfus, W.L. Engl, R. Fauquembergue, C. Fiegna, M.V. Fischetti, S. Galdin, N. Goldsman, M. Hackel, C. Hamaguchi, K. Hess, K. Hennacy, P. Hesto, J.M. Higman, T. Izuka, C. Jungemann, Y. Kamakura, H. Kosina, T. Kunikiyo, S.E. Laux, H. Lin, C. Maziar, H. Mizuno, H.J. Peifer, S. Ramaswamy, N. Sano, P.G. Scrobohaci, S. Selberherr, M. Takenaka, T.-W. Tang, K. Taniguchi, J.L. Thobel, R. Thoma, K. Tomizawa, M. Tomizawa, T. Vogelsang, S.-L. Wang, X. Wang, C.-S. Yao, P.D. Yoder, A. Yoshii:
    "A Comparison of Numerical Solutions of the Boltzmann Transport Equation for High-Energy Electron Transport Silicon";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 41 (1994), 9; S. 1646 - 1654.

    Zusätzliche Informationen

  2. Autor/innen: S. Ahmed; K. D. Holland; N. Paydavosi; C. Rogers; A Alam; Neophytos Neophytou, E360; D. Kienle; M. Vaidyanathan

    S. Ahmed, K. D. Holland, N. Paydavosi, C. Rogers, A. Alam, N. Neophytou, D. Kienle, M. Vaidyanathan:
    "Impact of Effective Mass on the Scaling Behavior of the fT and fmax of III-V High-Electron-Mobility Transistors";
    IEEE Transactions on Nanotechnology, 11 (2012), 6; S. 1160 - 1173.

  3. Autor/innen: T. Aichinger; M. Nelhiebel; S. Einspieler; Klaus-Tibor Grasser, E360

    T. Aichinger, M. Nelhiebel, S. Einspieler, T. Grasser:
    "In Situ Poly Heater-A Reliable Tool for Performing Fast and Defined Temperature Switches on Chip";
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 10 (2010), 1; S. 3 - 8.

  4. Autor/innen: T. Aichinger; M. Nelhiebel; S. Einspieler; Klaus-Tibor Grasser, E360

    T. Aichinger, M. Nelhiebel, S. Einspieler, T. Grasser:
    "Observing Two Stage Recovery of Gate Oxide Damage Created under Negative Bias Temperature Stress";
    Journal of Applied Physics, 107 (2010), S. 024508-1 - 024508-8.

  5. Autor/innen: T. Aichinger; M. Nelhiebel; Klaus-Tibor Grasser, E360

    T. Aichinger, M. Nelhiebel, T. Grasser:
    "A Combined Study of p- and n-Channel MOS Devices to Investigate the Energetic Distribution of Oxide Traps After NBTI";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 56 (2009), 12; S. 3018 - 3026.

  6. Autor/innen: T. Aichinger; M. Nelhiebel; Klaus-Tibor Grasser, E360

    T. Aichinger, M. Nelhiebel, T. Grasser:
    "Energetic Distribution of Oxide Traps created under Negative Bias Temperature Stress and their Relation to Hydrogen";
    Applied Physics Letters, 96 (2010), S. 133511-1 - 133511-3.

  7. Autor/innen: T. Aichinger; M. Nelhiebel; Klaus-Tibor Grasser, E360

    T. Aichinger, M. Nelhiebel, T. Grasser:
    "On the Temperature Dependence of NBTI Recovery";
    Microelectronics Reliability, 48 (2008), S. 1178 - 1184.

    Zusätzliche Informationen

  8. Autor/innen: T. Aichinger; Michael Nelhiebel; Klaus-Tibor Grasser, E360

    T. Aichinger, M. Nelhiebel, T. Grasser:
    "Refined NBTI Characterization of Arbitrarily Stressed PMOS Devices at Ultra-low and Unique Temperatures";
    Microelectronics Reliability, 53 (2013), 7; S. 937 - 946.

    Zusätzliche Informationen

  9. Autor/innen: S. M. Amoroso; L. Gerrer; Mihail Nedjalkov, E360; Razaidi Hussin; Craig Alexander; A Asenov

    S. Amoroso, L. Gerrer, M. Nedjalkov, R. Hussin, C. Alexander, A. Asenov:
    "Modelling Carriers Mobility in nano-MOSFETs in the Presence of Discrete Trapped Charges: Accuracy and Issues";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 61 (2014), 5; S. 1292 - 1298.

    Zusätzliche Informationen

  10. Autor/innen: Mohsen Asad; M. Fathipour; Mohammad Hossein Sheikhi; Mahdi Pourfath, E360

    M. Asad, M. Fathipour, M. Sheikhi, M. Pourfath:
    "High-performance Infrared Photo-transistor Based on SWCNT Decorated with PbS Nanoparticles";
    Sensors and Actuators A: Physical, 220 (2014), S. 213 - 220.

    Zusätzliche Informationen

  11. Autor/innen: Mohsen Asad; Sedigheh Salimian; Mohammad Hossein Sheikhi; Mahdi Pourfath, E360

    M. Asad, S. Salimian, M. Sheikhi, M. Pourfath:
    "Flexible Phototransistors Based on Graphene Nanoribbon Decorated with MoS2 Nanoparticles";
    Sensors and Actuators A: Physical, 232 (2015), S. 285 - 291.

    Zusätzliche Informationen

  12. Autor/innen: Mohsen Asad; Mohammad Hossein Sheikhi; Mahdi Pourfath, E360; Mahmood Moradi

    M. Asad, M. Sheikhi, M. Pourfath, M. Moradi:
    "High Sensitive and Selective Flexible H2S Gas Sensors Based on Cu Nanoparticle Decorated SWCNTs";
    Sensors and Actuators B: Chemical, 210 (2015), S. 1 - 8.

    Zusätzliche Informationen

  13. Autor/innen: Alexander Axelevitch; Vassil Palankovski, E360; Siegfried Selberherr, E360; G. Golan

    A. Axelevitch, V. Palankovski, S. Selberherr, G. Golan:
    "Investigation of Novel Silicon PV Cells of a Lateral Type";
    Silicon, 7 (2015), 3; S. 283 - 291.

    Zusätzliche Informationen

  14. Autor/innen: Tesfaye Ayalew, E360; Andreas Gehring, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Ayalew, A. Gehring, T. Grasser, S. Selberherr:
    "Enhancement of Breakdown Voltage for Ni-SiC Schottky Diodes Utilizing Field Plate Edge Termination";
    Microelectronics Reliability, 44 (2004), 9-11; S. 1473 - 1478.

    Zusätzliche Informationen

  15. Autor/innen: Tesfaye Ayalew, E360; Andreas Gehring, E360; Jong Mun Park, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Ayalew, A. Gehring, J.M. Park, T. Grasser, S. Selberherr:
    "Improving SiC Lateral DMOSFET Reliability under High Field Stress";
    Microelectronics Reliability, 43 (2003), 9-11; S. 1889 - 1894.

    Zusätzliche Informationen

  16. Autor/innen: Tesfaye Ayalew, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Ayalew, T. Grasser, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Modeling of Lattice Site-Dependent Incomplete Ionization in α-SiC Devices";
    Materials Science Forum, 483-485 (2005), S. 845 - 848.

    Zusätzliche Informationen

  17. Autor/innen: Tesfaye Ayalew, E360; Sang-Cheol Kim; Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Ayalew, S.-C. Kim, T. Grasser, S. Selberherr:
    "Numerical Analysis of SiC Merged PiN Schottky Diodes";
    Materials Science Forum, 483-485 (2005), S. 949 - 952.

    Zusätzliche Informationen

  18. Autor/innen: Nima Sefidmooye Azar; Mahdi Pourfath, E360

    N.S. Azar, M. Pourfath:
    "Aggregation Kinetics and Stability Mechanisms of Pristine and Oxidized Nanocarbons in Polar Solvents";
    The Journal of Physical Chemistry C, 120 (2016), 30; S. 16804 - 16814.

    Zusätzliche Informationen

  19. Autor/innen: Eberhard Baer; P. Evanschitzky; J. Lorenz; Frederic Roger; R. Minixhofer; Lado Filipovic, E360; Roberto Lacerda de Orio; Siegfried Selberherr, E360

    E. Baer, P. Evanschitzky, J. Lorenz, F. Roger, R. Minixhofer, L. Filipovic, R. Lacerda de Orio, S. Selberherr:
    "Coupled Simulation to Determine the Impact of Across Wafer Variations in Oxide PECVD on Electrical and Reliability Parameters of Through-Silicon Vias";
    Microelectronic Engineering, 137 (2015), S. 141 - 145.

    Zusätzliche Informationen

  20. Autor/innen: Alireza R. Baghai-Wadji, E366 - MNS; Siegfried Selberherr, E360; Franz Seifert, E366 - MNS

    A.R. Baghai-Wadji, S. Selberherr, F. Seifert:
    "Two-Dimensional Green's Function of a Semi-Infinite Anisotropic Dielectric in the Wavenumber Domain";
    IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control, UFFC-33 (1986), 3; S. 315 - 317.

    Zusätzliche Informationen

  21. Autor/innen: Oskar Baumgartner, E360; Markus Karner, E360; Viktor Sverdlov, E360; Hans Kosina, E360

    O. Baumgartner, M. Karner, V. Sverdlov, H. Kosina:
    "Electron Subband Structure in Strained Silicon UTB Films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama Model - Part 2 Efficient Self-Consistent Numerical Solution of the k.p Schrödinger Equation";
    Solid-State Electronics, 54 (2010), S. 143 - 148.

    Zusätzliche Informationen

  22. Autor/innen: Oskar Baumgartner, E360; Zlatan Stanojevic; Klaus Schnass; Markus Karner, E360; Hans Kosina, E360

    O. Baumgartner, Z. Stanojevic, K. Schnass, M. Karner, H. Kosina:
    "VSP-a quantum-electronic simulation framework";
    Journal of Computational Electronics, 12 (2013), 4; S. 701 - 721.

    Zusätzliche Informationen

  23. Autor/innen: Oskar Baumgartner, E360; Viktor Sverdlov, E360; Thomas Windbacher, E360; Siegfried Selberherr, E360

    O. Baumgartner, V. Sverdlov, T. Windbacher, S. Selberherr:
    "Perspectives of Silicon for Future Spintronic Applications from the Peculiarities of the Subband Structure in Thin Films";
    IEEE Transactions on Nanotechnology, 10 (2011), 4; S. 737 - 743.

    Zusätzliche Informationen

  24. Autor/innen: Markus Bina; S. E. Tyaginov, E360; J. Franco; Karl Rupp, E360; Yannick Wimmer, E360; Dimitry Osintsev, E360; Ben Kaczer; Klaus-Tibor Grasser, E360

    M. Bina, S. E. Tyaginov, J. Franco, K. Rupp, Y. Wimmer, D. Osintsev, B. Kaczer, T. Grasser:
    "Predictive Hot-Carrier Modeling of n-Channel MOSFETs";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 61 (2014), 9; S. 3103 - 3110.

    Zusätzliche Informationen

  25. Autor/innen: Thomas Binder, E360; Clemens Heitzinger, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Binder, C. Heitzinger, S. Selberherr:
    "A Study on Global and Local Optimization Techniques for TCAD Analysis Tasks";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 23 (2004), 6; S. 814 - 822.

    Zusätzliche Informationen

  26. Autor/innen: Thomas Binder, E360; Andreas Hössinger, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Binder, A. Hössinger, S. Selberherr:
    "Rigorous Integration of Semiconductor Process and Device Simulators";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 22 (2003), 9; S. 1204 - 1214.

    Zusätzliche Informationen

  27. Autor/innen: Walter Bohmayr, E360; A. Burenkov; J. Lorenz; Heiner Ryssel; Siegfried Selberherr, E360

    W. Bohmayr, A. Burenkov, J. Lorenz, H. Ryssel, S. Selberherr:
    "Monte Carlo Simulation of Silicon Amorphization during Ion Implantation";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 17 (1998), 12; S. 1236 - 1243.

    Zusätzliche Informationen

  28. Autor/innen: Walter Bohmayr, E360; A. Burenkov; J. Lorenz; Heiner Ryssel; Siegfried Selberherr, E360

    W. Bohmayr, A. Burenkov, J. Lorenz, H. Ryssel, S. Selberherr:
    "Trajectory Split Method for Monte Carlo Simulation of Ion Implantation";
    IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 8 (1995), 4; S. 402 - 407.

    Zusätzliche Informationen

  29. Autor/innen: V. M. Borzdov; V. O. Galenchik; Hans Kosina, E360; F. F. Komarov; O. G. Zhevnyak

    V. M. Borzdov, V. O. Galenchik, H. Kosina, F. F. Komarov, O. G. Zhevnyak:
    "Monte Carlo Study of the Relative Frequency of Scattering Processes in Si-Inversion Layers";
    Physics of Low-dimensional Structures, 5-6 (2003), S. 99 - 108.

  30. Autor/innen: H Brand; Siegfried Selberherr, E360

    H. Brand, S. Selberherr:
    "Electrothermal Analysis of Latch-Up in an Insulated Gate Transistor (IGT)";
    IEICE Transactions on Electronics, E77-C (1994), 2; S. 179 - 186.

  31. Autor/innen: H Brand; Siegfried Selberherr, E360

    H. Brand, S. Selberherr:
    "Two-Dimensional Simulation of Thermal Runaway in a Nonplanar GTO-Thyristor";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 42 (1995), 12; S. 2137 - 2146.

    Zusätzliche Informationen

  32. Autor/innen: Helmut Brech; T. Grave; Siegfried Selberherr, E360

    H. Brech, T. Grave, S. Selberherr:
    "Development of Global Calibration for Accurate GaAs-PHEMT Simulation";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 47 (2000), 10; S. 1957 - 1964.

    Zusätzliche Informationen

  33. Autor/innen: Helmut Brech; T. Grave; Thomas Simlinger, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Brech, T. Grave, T. Simlinger, S. Selberherr:
    "Optimization of Pseudomorphic HEMTs Supported by Numerical Simulations";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 44 (1997), 11; S. 1822 - 1828.

    Zusätzliche Informationen

  34. Autor/innen: Enrico Brinciotti; Giorgio Badino; Martin Knaipp, E360; G Gramse; Jürgen Smoliner, E362; Ferry Kienberger

    E. Brinciotti, G. Badino, M. Knaipp, G. Gramse, J. Smoliner, F. Kienberger:
    "Calibrated Nanoscale Dopant Profiling and Capacitance of a High-Voltage Lateral MOS Transistor at 20 GHz Using Scanning Microwave Microscopy";
    IEEE Transactions on Nanotechnology, 16 (2017), 2; S. 245 - 252.

  35. Autor/innen: Matthias Budil, E366; E. Guerrero; Thomas Brabec, E387; Siegfried Selberherr, E360; Hans Pötzl, E366

    M. Budil, E. Guerrero, T. Brabec, S. Selberherr, H. Pötzl:
    "A New Model for the Determination of Point Defect Equilibrium Concentrations in Silicon";
    COMPEL - The International Journal for Computation and Mathematics in Electrical and Electronic Engineering, 6 (1987), 1; S. 37 - 44.

    Zusätzliche Informationen

  36. Autor/innen: A. Burenkov; K. Tietzel; Andreas Hössinger, E360; J. Lorenz; Heiner Ryssel; Siegfried Selberherr, E360

    A. Burenkov, K. Tietzel, A. Hössinger, J. Lorenz, H. Ryssel, S. Selberherr:
    "A Computationally Efficient Method for Three-Dimensional Simulation of Ion Implantation";
    IEICE Transactions on Electronics, E83-C (2000), 8; S. 1259 - 1266.

  37. Autor/innen: V. V. A. Camargo; Ben Kaczer; Klaus-Tibor Grasser, E360; G. Wirth

    V. V. A. Camargo, B. Kaczer, T. Grasser, G. Wirth:
    "Circuit simulation of workload-dependent RTN and BTI based on trap kinetics";
    Microelectronics Reliability, 54 (2014), 11; S. 2364 - 2370.

  38. Autor/innen: V. V. A. Camargo; Ben Kaczer; G. Wirth; Klaus-Tibor Grasser, E360; G. Groeseneken

    V. V. A. Camargo, B. Kaczer, G. Wirth, T. Grasser, G. Groeseneken:
    "Use of SSTA Tools for Evaluating BTI Impact on Combinational Circuits";
    IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, PP (2013), 99.

    Zusätzliche Informationen

  39. Autor/innen: Leonardo C. Castro; D.L. John; D.L. Pulfrey; Mahdi Pourfath, E360; Andreas Gehring, E360; Hans Kosina, E360

    L.C. Castro, D.L. John, D.L. Pulfrey, M. Pourfath, A. Gehring, H. Kosina:
    "Method for Predicting fT for Carbon Nanotube FETs";
    IEEE Transactions on Nanotechnology, Vol. 4 (2005), 6; S. 699 - 704.

  40. Autor/innen: Hajdin Ceric, E360; Roberto Lacerda de Orio; Wolfhard Zisser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Ceric, R. Lacerda de Orio, W. H. Zisser, S. Selberherr:
    "Microstructural Impact on Electromigration: A TCAD Study";
    Facta universitatis - series: Electronics and Energetics, 27 (2014), 1; S. 1 - 11.

    Zusätzliche Informationen

  41. Autor/innen: Hajdin Ceric, E360; Roberto Orio, E360; Johann Cervenka, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Ceric, R. Orio, J. Cervenka, S. Selberherr:
    "A Comprehensive TCAD Approach for Assessing Electromigration Reliability of Modern Interconnects";
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 9 (2009), 1; S. 9 - 19.

    Zusätzliche Informationen

  42. Autor/innen: Hajdin Ceric, E360; Roberto Orio, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Ceric, R. Orio, S. Selberherr:
    "Interconnect Reliability Dependence on Fast Diffusivity Paths";
    Microelectronics Reliability (eingeladen), 52 (2012), 8; S. 1532 - 1538.

    Zusätzliche Informationen

  43. Autor/innen: Hajdin Ceric, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Ceric, S. Selberherr:
    "An Adaptive Grid Approach for the Simulation of Electromigration Induced Void Migration";
    IEICE Transactions on Electronics (eingeladen), E86-C (2003), 3; S. 421 - 426.

  44. Autor/innen: Hajdin Ceric, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Ceric, S. Selberherr:
    "Electromigration in Submicron Interconnect Features of Integrated Circuits";
    Materials Science and Engineering R-Reports, 71 (2011), 5-6; S. 53 - 86.

    Zusätzliche Informationen

  45. Autor/innen: Hajdin Ceric, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Ceric, S. Selberherr:
    "Simulative Prediction of the Resistance Change due to Electromigration Induced Void Evolution";
    Microelectronics Reliability, 42 (2002), 9-11; S. 1457 - 1460.

    Zusätzliche Informationen

  46. Autor/innen: Johann Cervenka, E360; Hajdin Ceric, E360; Siegfried Selberherr, E360

    J. Cervenka, H. Ceric, S. Selberherr:
    "Three-Dimensional Simulation of Sacrificial Etching";
    Microsystem Technologies - Micro- and Nanosystems - Information Storage and Processing Systems, 14 (2008), 4-5; S. 665 - 671.

    Zusätzliche Informationen

  47. Autor/innen: Johann Cervenka, E360; Robert Klima, E360; Martin Knaipp, E360; Siegfried Selberherr, E360

    J. Cervenka, R. Klima, M. Knaipp, S. Selberherr:
    "Three-Dimensional Device Optimization by Green's Functions";
    European Physical Journal - Applied Physics, 21 (2003), S. 103 - 106.

    Zusätzliche Informationen

  48. Autor/innen: Johann Cervenka, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360; J. Zhang; N. Hrauda; J Stangl; G. Bauer; G. Vastola; A. Marzegalli; Francesco Montalenti; L. Miglio

    J. Cervenka, H. Kosina, S. Selberherr, J. Zhang, N. Hrauda, J. Stangl, G. Bauer, G. Vastola, A. Marzegalli, F. Montalenti, L. Miglio:
    "Strained MOSFETs on Ordered SiGe Dots";
    Solid-State Electronics, 65-66 (2011), S. 81 - 87.

    Zusätzliche Informationen

  49. Autor/innen: Johann Cervenka, E360; Wilfried Wessner, E360; Elaf Al-Ani, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    J. Cervenka, W. Wessner, E. Al-Ani, T. Grasser, S. Selberherr:
    "Generation of Unstructured Meshes for Process and Device Simulation by Means of Partial Differential Equations";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 25 (2006), 10; S. 2118 - 2128.

    Zusätzliche Informationen

  50. Autor/innen: Z. Chaghazardi; S. B. Touski; Mahdi Pourfath, E360; R. Faez

    Z. Chaghazardi, S. Touski, M. Pourfath, R. Faez:
    "Spin Relaxation in Graphene Nanoribbons in the Presence of Substrate Surface Roughness";
    Journal of Applied Physics, 120 (2016), 5; S. 053904-1 - 053904-5.

    Zusätzliche Informationen

  51. Autor/innen: Raffaele Alberto Coppeta, E360; David Holec, E308 - GrMayrh; Hajdin Ceric, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    R. Coppeta, D. Holec, H. Ceric, T. Grasser:
    "Evaluation of Dislocation Energy in Thin Films";
    Philosophical Magazine, 95 (2015), 2; S. 186 - 209.

    Zusätzliche Informationen

  52. Autor/innen: Antonina Dedyk; Yulia Pavlova; Sergey Karmanenko; Alexander Semenov; Dmitry Semikin; Oleg Pakhomov; Alexander Starkov; Ivan Starkov, E360

    A. Dedyk, Y. Pavlova, S. Karmanenko, A. Semenov, D. Semikin, O. Pakhomov, A. Starkov, I. Starkov:
    "Temperature Hysteresis of the Capacitance Dependence C(T) for Ferroelectric Ceramics";
    Journal of Vacuum Science & Technology B, 29 (2011), S. 01A501-1 - 01A501-5.

    Zusätzliche Informationen

  53. Autor/innen: Johannes Demel; Siegfried Selberherr, E360

    J. Demel, S. Selberherr:
    "Application of the Complete Tableau Approach in JANAP";
    Electrosoft, 2 (1991), 6; S. 243 - 260.

  54. Autor/innen: Johannes Demel; Siegfried Selberherr, E360

    J. Demel, S. Selberherr:
    "VDPACK - Ein benutzerorientiertes Unterprogrammpaket zur Realisierung einer dynamischen Speicherverwaltung in Fortran";
    Angewandte Informatik, 6 (1984), S. 244 - 247.

  55. Autor/innen: Denis Demidov; Karsten Ahnert; Karl Rupp, E360; P. Gottschling

    D. Demidov, K. Ahnert, K. Rupp, P. Gottschling:
    "Programming CUDA and OpenCL: A Case Study Using Modern C++ Libraries";
    SIAM Journal on Scientific Computing, 35 (2013), 5; S. 453 - 472.

    Zusätzliche Informationen

  56. Autor/innen: Siddhartha Dhar, E360; Hans Kosina, E360; Gerhard Karlowatz, E360; Stephan Enzo Ungersböck, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    S. Dhar, H. Kosina, G. Karlowatz, E. Ungersböck, T. Grasser, S. Selberherr:
    "High-Field Electron Mobility Model for Strained-Silicon Devices";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 53 (2006), 12; S. 3054 - 3062.

    Zusätzliche Informationen

  57. Autor/innen: Siddhartha Dhar, E360; Hans Kosina, E360; Vassil Palankovski, E360; Stephan Enzo Ungersböck, E360; Siegfried Selberherr, E360

    S. Dhar, H. Kosina, V. Palankovski, E. Ungersböck, S. Selberherr:
    "Electron Mobility Model for Strained-Si Devices";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 52 (2005), 4; S. 527 - 533.

    Zusätzliche Informationen

  58. Autor/innen: Siddhartha Dhar, E360; Stephan Enzo Ungersböck, E360; Hans Kosina, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    S. Dhar, E. Ungersböck, H. Kosina, T. Grasser, S. Selberherr:
    "Electron Mobility Model for <110> Stressed Silicon Including Strain-Dependent Mass";
    IEEE Transactions on Nanotechnology, 6 (2007), 1; S. 97 - 100.

    Zusätzliche Informationen

  59. Autor/in: Peter Dickinger, E360

    P. Dickinger:
    "New Models of High Voltage DMOS Devices for Circuit Simulation";
    Electrosoft, 1 (1990), 4; S. 298 - 308.

  60. Autor/innen: Ivan Dimov; Mihail Nedjalkov, E360; J. M. Sellier; Siegfried Selberherr, E360

    I. Dimov, M. Nedjalkov, J. M. Sellier, S. Selberherr:
    "Boundary Conditions and the Wigner Equation Solution";
    Journal of Computational Electronics, 14 (2015), 4; S. 859 - 863.

    Zusätzliche Informationen

  61. Autor/innen: Nima Djavid; Kaveh Khaliji; Seyed Mohammad Tabatabaei; Mahdi Pourfath, E360

    N. Djavid, K. Khaliji, S. M. Tabatabaei, M. Pourfath:
    "A Computational Study on the Electronic Transport Properties of Ultra-Narrow Disordered Zigzag Graphene Nanoribbons";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 61 (2014), 1; S. 23 - 29.

    Zusätzliche Informationen

  62. Autor/innen: Klaus Dragosits, E360; Martin Knaipp, E360; Siegfried Selberherr, E360

    K. Dragosits, M. Knaipp, S. Selberherr:
    "Two-Dimensional Simulation of Ferroelectric Memory Cells";
    Journal of the Korean Physical Society, 35 (1999), 92; S. 104 - 106.

    Zusätzliche Informationen

  63. Autor/innen: Klaus Dragosits, E360; Siegfried Selberherr, E360

    K. Dragosits, S. Selberherr:
    "Simulation of Ferroelectric Thin Films";
    Radiation Effects and Defects in Solids, 156 (2001), 1-4; S. 157 - 161.

    Zusätzliche Informationen

  64. Autor/innen: Klaus Dragosits, E360; Siegfried Selberherr, E360

    K. Dragosits, S. Selberherr:
    "Two-Dimensional Simulation of Ferroelectric Memory Cells";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 48 (2001), 2; S. 316 - 322.

    Zusätzliche Informationen

  65. Autor/innen: A.-M. El-Sayed; Matthew B. Watkins; Klaus-Tibor Grasser, E360; V. V. Afanas´Ev; A. L. Shluger

    A. El-Sayed, M. Watkins, T. Grasser, V. Afanas´Ev, A. Shluger:
    "Hole trapping at hydrogenic defects in amorphous silicon dioxide";
    Microelectronic Engineering, 147 (2015), S. 141 - 144.

    Zusätzliche Informationen

  66. Autor/innen: A.-M. El-Sayed; Matthew B. Watkins; Klaus-Tibor Grasser, E360; V. V. Afanas´Ev; A. L. Shluger

    A. El-Sayed, M. Watkins, T. Grasser, V. Afanas´Ev, A. Shluger:
    "Hydrogen-Induced Rupture of Strained Si-O Bonds in Amorphous Silicon Dioxide";
    Physical Review Letters, 114 (2015), 11; S. 115503-1 - 115503-5.

    Zusätzliche Informationen

  67. Autor/innen: A.-M. El-Sayed; Yannick Wimmer, E360; Wolfgang Gös, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; V. V. Afanas´Ev; A. L. Shluger

    A. El-Sayed, Y. Wimmer, W. Gös, T. Grasser, V. Afanas´Ev, A. Shluger:
    "Theoretical Models of Hydrogen-Induced Defects in Amorphous Silicon Dioxide";
    Physical Review B, 92 (2015), 1; S. 014107-1 - 014107-11.

    Zusätzliche Informationen

  68. Autor/innen: Mohammad Elahi; Kaveh Khaliji; Seyed Mohammad Tabatabaei; Mahdi Pourfath, E360; Reza Asgari

    M. Elahi, K. Khaliji, S. M. Tabatabaei, M. Pourfath, R. Asgari:
    "Modulation of Electronic and Mechanical Properties of Phosphorene Through Strain";
    Physical Review B, 91 (2015), 11; S. 1154121 - 1154128.

    Zusätzliche Informationen

  69. Autor/innen: Paul Ellinghaus, E360; Josef Weinbub, E360; Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    P. Ellinghaus, J. Weinbub, M. Nedjalkov, S. Selberherr:
    "Analysis of Lense-Governed Wigner Signed Particle Quantum Dynamics";
    Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, 11 (2017), 7; S. 1700102-1 - 1700102-5.

    Zusätzliche Informationen

  70. Autor/innen: Paul Ellinghaus, E360; Josef Weinbub, E360; Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360; Ivan Dimov

    P. Ellinghaus, J. Weinbub, M. Nedjalkov, S. Selberherr, I. Dimov:
    "Distributed-Memory Parallelization of the Wigner Monte Carlo Method Using Spatial Domain Decomposition";
    Journal of Computational Electronics, 14 (2015), 1; S. 151 - 162.

    Zusätzliche Informationen

  71. Autor/innen: Robert Entner, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Oliver Triebl, E360; H. Enichlmair; R. Minixhofer

    R. Entner, T. Grasser, O. Triebl, H. Enichlmair, R. Minixhofer:
    "Negative Bias Temperature Instability Modeling for High-Voltage Oxides at Different Stress Temperatures";
    Microelectronics Reliability, 47 (2007), 4-5; S. 697 - 699.

  72. Autor/innen: Otmar Ertl, E360; Siegfried Selberherr, E360

    O. Ertl, S. Selberherr:
    "A Fast Level Set Framework for Large Three-Dimensional Topography Simulations";
    Computer Physics Communications, 180 (2009), 8; S. 1242 - 1250.

    Zusätzliche Informationen

  73. Autor/innen: Otmar Ertl, E360; Siegfried Selberherr, E360

    O. Ertl, S. Selberherr:
    "Three-Dimensional Level Set Based Bosch Process Simulations using Ray Tracing for Flux Calculation";
    Microelectronic Engineering, 87 (2010), 1; S. 20 - 29.

    Zusätzliche Informationen

  74. Autor/innen: T Fahringer; Peter Blaha; Andreas Hössinger, E360; Joachim Luitz; Eduard Mehofer; Hans Moritsch; B. Scholz

    T Fahringer, P. Blaha, A. Hössinger, J. Luitz, E. Mehofer, H. Moritsch, B. Scholz:
    "Development and Performance Analysis of Real-World Applications for Distributed and Parallel Architectures ";
    Concurrency and Computation: Practice and Experience, 13 (2001), 10; S. 1 - 17.

  75. Autor/innen: Franz Fasching, E360; Walter Tuppa, E360; Siegfried Selberherr, E360

    F. Fasching, W. Tuppa, S. Selberherr:
    "VISTA - The Data Level";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 13 (1994), 1; S. 72 - 81.

    Zusätzliche Informationen

  76. Autor/innen: Lado Filipovic, E360; Siegfried Selberherr, E360

    L. Filipovic, S. Selberherr:
    "A Method for Simulating Atomic Force Microscope Nanolithography in the Level Set Framework";
    Microelectronic Engineering, 107 (2013), S. 23 - 32.

    Zusätzliche Informationen

  77. Autor/innen: Lado Filipovic, E360; Siegfried Selberherr, E360

    L. Filipovic, S. Selberherr:
    "Performance and Stress Analysis of Metal Oxide Films for CMOS-Integrated Gas Sensors";
    Sensors, 15 (2015), 4; S. 7206 - 7227.

    Zusätzliche Informationen

  78. Autor/innen: Lado Filipovic, E360; Siegfried Selberherr, E360

    L. Filipovic, S. Selberherr:
    "Stress Considerations for System-on-Chip Gas Sensor Integration in CMOS Technology";
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 16 (2016), 4; S. 483 - 495.

    Zusätzliche Informationen

  79. Autor/innen: Lado Filipovic, E360; Siegfried Selberherr, E360

    L. Filipovic, S. Selberherr:
    "Stress in Three-Dimensionally Integrated Sensor Systems";
    Microelectronics Reliability, 61 (2016), S. 3 - 10.

    Zusätzliche Informationen

  80. Autor/innen: Lado Filipovic, E360; Siegfried Selberherr, E360

    L. Filipovic, S. Selberherr:
    "The Effects of Etching and Deposition on the Performance and Stress Evolution of Open Through Silicon Vias";
    Microelectronics Reliability, 54 (2014), 9-10; S. 1953 - 1958.

    Zusätzliche Informationen

  81. Autor/innen: Lado Filipovic, E360; Siegfried Selberherr, E360; G. C. Mutinati; Elise Brunet, E165 - PC-A; Stephan Seinhauer; Anton Köck; Jordi Teva; J. Kraft; Joerg Siegert; F. Schrank

    L. Filipovic, S. Selberherr, G. Mutinati, E. Brunet, S. Seinhauer, A. Köck, J. Teva, J. Kraft, J. Siegert, F. Schrank:
    "Methods of Simulating Thin Film Deposition Using Spray Pyrolysis Techniques";
    Microelectronic Engineering, 117 (2014), S. 57 - 66.

    Zusätzliche Informationen

  82. Autor/innen: Lado Filipovic, E360; Siegfried Selberherr, E360; G. C. Mutinati; Elise Brunet; Stephan Seinhauer; Anton Köck; Jordi Teva; J. Kraft; Joerg Siegert; F. Schrank; Christian Gspan; Werner Grogger

    L. Filipovic, S. Selberherr, G. Mutinati, E. Brunet, S. Seinhauer, A. Köck, J. Teva, J. Kraft, J. Siegert, F. Schrank, C. Gspan, W. Grogger:
    "A Method for Simulating Spray Pyrolysis Deposition in the Level Set Framework";
    Engineering Letters (eingeladen), 21 (2013), 4; S. 224 - 240.

  83. Autor/innen: Lado Filipovic, E360; Siegfried Selberherr, E360; G. C. Mutinati; E. Brunet; S. Steinhauer; Anton Köck; Jordi Teva; J. Kraft; Joerg Siegert; F. Schrank; Christian Gspan; Werner Grogger

    L. Filipovic, S. Selberherr, G. Mutinati, E. Brunet, S. Steinhauer, A. Köck, J. Teva, J. Kraft, J. Siegert, F. Schrank, C. Gspan, W. Grogger:
    "Modeling the Growth of Tin Dioxide using Spray Pyrolysis Deposition for Gas Sensor Applications";
    IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 27 (2014), 2; S. 269 - 277.

    Zusätzliche Informationen

  84. Autor/innen: Lado Filipovic, E360; Anderson P. Singulani, E360; Frederic Roger; Sara Carniello; Siegfried Selberherr, E360

    L. Filipovic, A. P. Singulani, F. Roger, S. Carniello, S. Selberherr:
    "Intrinsic Stress Analysis of Tungsten-Lined Open TSVs";
    Microelectronics Reliability, 55 (2015), 9-10; S. 1843 - 1848.

    Zusätzliche Informationen

  85. Autor/innen: Claus Fischer, E360; Gerd Nanz, E360; Siegfried Selberherr, E360

    C. Fischer, G. Nanz, S. Selberherr:
    "Finite Difference, Boundary-Fitted Grid Generation for Arbitrarily Shaped Two-Dimensional Simulation Areas";
    Computer Methods in Applied Mechanics and Engineering, 110 (1993), 1-2; S. 17 - 24.

    Zusätzliche Informationen

  86. Autor/innen: Peter Fleischmann, E360; Wolfgang Pyka, E360; Siegfried Selberherr, E360

    P. Fleischmann, W. Pyka, S. Selberherr:
    "Mesh Generation for Application in Technology CAD";
    IEICE Transactions on Electronics (eingeladen), E82-C (1999), 6; S. 937 - 947.

  87. Autor/innen: Peter Fleischmann, E360; Siegfried Selberherr, E360

    P. Fleischmann, S. Selberherr:
    "Fully Unstructured Delaunay Mesh Generation Using a Modified Advancing Front Approach for Applications in Technology CAD";
    IEEE Journal of Technology Computer Aided Design, 1 (1997), 8.

    Zusätzliche Informationen

  88. Autor/innen: J. Franco; S. Graziano; Ben Kaczer; F. Crupi; L. A. Ragnarsson; Klaus-Tibor Grasser, E360; G. Groeseneken

    J. Franco, S. Graziano, B. Kaczer, F. Crupi, L. Ragnarsson, T. Grasser, G. Groeseneken:
    "BTI Reliability of Ultra-Thin EOT MOSFETs for Sub-Threshold Logic";
    Microelectronics Reliability, 52 (2012), S. 1932 - 1935.

    Zusätzliche Informationen

  89. Autor/innen: J. Franco; Ben Kaczer; J. Mitard; M. Toledano-Luque; Ph. J. Roussel; L. Witters; Klaus-Tibor Grasser, E360; Guido Groeseneken

    J. Franco, B. Kaczer, J. Mitard, M. Toledano-Luque, Ph. J. Roussel, L. Witters, T. Grasser, G Groeseneken:
    "NBTI Reliability of SiGe and Ge Channel pMOSFETs With SiO2/HfO2 Dielectric Stack";
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability (eingeladen), 13 (2013), 4; S. 497 - 506.

    Zusätzliche Informationen

  90. Autor/innen: J. Franco; Ben Kaczer; Ph. J. Roussel; J. Mitard; M. Cho; L. Witters; Klaus-Tibor Grasser, E360; G. Groeseneken

    J. Franco, B. Kaczer, Ph. J. Roussel, J. Mitard, M. Cho, L. Witters, T. Grasser, G. Groeseneken:
    "SiGe Channel Technology: Superior Reliability Toward Ultrathin EOT Devices-Part I: NBTI";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 60 (2013), 1; S. 396 - 404.

    Zusätzliche Informationen

  91. Autor/innen: J. Franco; Ben Kaczer; M. Toledano-Luque; Muhammad Faiz Bukhori; Ph. J. Roussel; Klaus-Tibor Grasser, E360; A Asenov; G. Groeseneken

    J. Franco, B. Kaczer, M. Toledano-Luque, M. F. Bukhori, Ph. J. Roussel, T. Grasser, A. Asenov, G. Groeseneken:
    "Impact of Individual Charged Gate-Oxide Defects on the Entire ID -VG Characteristic of Nanoscaled FETs";
    IEEE Electron Device Letters, 33 (2012), 6; S. 779 - 781.

  92. Autor/innen: J. Franco; Ben Kaczer; M Toledano-Luque; Ph. J. Roussel; M Choa; T. Kauerauf; J. Mitard; G. Eneman; L. Witters; Klaus-Tibor Grasser, E360; G. Groeseneken

    J. Franco, B. Kaczer, M. Toledano-Luque, Ph. J. Roussel, M. Choa, T. Kauerauf, J. Mitard, G. Eneman, L. Witters, T. Grasser, G. Groeseneken:
    "Superior Reliability of High Mobility (Si)Ge Channel pMOSFETs";
    Microelectronic Engineering, 109 (2013), S. 250 - 256.

    Zusätzliche Informationen

  93. Autor/innen: J. Franco; Ben Kaczer; M. Toledano-Luque; Ph. J. Roussel; Philipp Paul Hehenberger, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; J. Mitard; G. Eneman; T.Y. Hoffmann; G. Groeseneken

    J. Franco, B. Kaczer, M. Toledano-Luque, Ph. J. Roussel, Ph. Hehenberger, T. Grasser, J. Mitard, G. Eneman, T. Y. Hoffmann, G. Groeseneken:
    "On the Impact of the Si Passivation Layer Thickness on the NBTI of Nanoscaled Si0.45Ge0.55 pMOSFETs";
    Microelectronic Engineering, 88 (2011), 7; S. 1388 - 1391.

    Zusätzliche Informationen

  94. Autor/innen: J. Franco; Ben Kaczer; M. Toledano-Luque; Ph. J. Roussel; T. Kauerauf; J. Mitard; L. Witters; Klaus-Tibor Grasser, E360; G. Groeseneken

    J. Franco, B. Kaczer, M. Toledano-Luque, Ph. J. Roussel, T. Kauerauf, J. Mitard, L. Witters, T. Grasser, G. Groeseneken:
    "SiGe Channel Technology: Superior Reliability Toward Ultra-Thin EOT Devices-Part II: Time-Dependent Variability in Nanoscaled Devices and Other Reliability Issues";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 60 (2013), 1; S. 405 - 412.

  95. Autor/innen: Andrea F. Franz; Gerhard Franz, E366; Siegfried Selberherr, E360; Ch. Ringhofer; Peter A. Markowich

    A.F. Franz, G. Franz, S. Selberherr, Ch. Ringhofer, P. Markowich:
    "Finite Boxes - A Generalization of the Finite Difference Method Suitable for Semiconductor Device Simulation";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 30 (1983), 9; S. 1070 - 1082.

    Zusätzliche Informationen

  96. Autor/innen: Francisco Gamiz; Juan B. Roldan; Hans Kosina, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    F. Gamiz, J. Roldan, H. Kosina, T. Grasser:
    "Improving Strained-Si on Si1-xGex Deep Submicron MOSFETs Performance by Means of a Stepped Doping Profile";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 48 (2001), 9; S. 1878 - 1884.

  97. Autor/innen: Abel Garcia-Barrientos; V. Grimalsky; E. A. Gutierrez-Dominguez; Vassil Palankovski, E360

    A. Garcia-Barrientos, V. Grimalsky, E. Gutierrez-Dominguez, V. Palankovski:
    "Nonstationary Effects of the Space Charge in Semiconductor Structures";
    Journal of Applied Physics, 105 (2009), S. 074501-1 - 074501-6.

    Zusätzliche Informationen

  98. Autor/innen: Abel Garcia-Barrientos; Vassil Palankovski, E360

    A. Garcia-Barrientos, V. Palankovski:
    "Numerical Simulations of Amplification of Space Charge Waves in n-InP Films";
    Materials Science and Engineering B, 176 (2011), 17; S. 1368 - 1372.

    Zusätzliche Informationen

  99. Autor/innen: Abel Garcia-Barrientos; Vassil Palankovski, E360

    A. Garcia-Barrientos, V. Palankovski:
    "Numerical Simulations of Space Charge Waves in InP Films and Microwave Frequency Conversion under Negative Differential Conductivity";
    Applied Physics Letters, 98 (2011), S. 072110-1 - 072110-3.

    Zusätzliche Informationen

  100. Autor/innen: Andreas Gehring, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Byoung-Ho Cheong; Siegfried Selberherr, E360

    A. Gehring, T. Grasser, B.-H. Cheong, S. Selberherr:
    "Design Optimization of Multi-Barrier Tunneling Devices Using the Transfer-Matrix Method";
    Solid-State Electronics, 46 (2002), 10; S. 1545 - 1551.

    Zusätzliche Informationen

  101. Autor/innen: Andreas Gehring, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Gehring, T. Grasser, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Energy Transport Gate Current Model Accounting for Non-Maxwellian Energy Distribution";
    Electronics Letters, 39 (2003), 8; S. 691 - 692.

    Zusätzliche Informationen

  102. Autor/innen: Andreas Gehring, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Gehring, T. Grasser, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Simulation of Hot-Electron Oxide Tunneling Current Based on a Non-Maxwellian Electron Energy Distribution Function";
    Journal of Applied Physics, 92 (2002), 10; S. 6019 - 6027.

    Zusätzliche Informationen

  103. Autor/innen: Andreas Gehring, E360; F. Jimenez-Molinos; Hans Kosina, E360; A. Palma; Francisco Gamiz; Siegfried Selberherr, E360

    A. Gehring, F. Jimenez-Molinos, H. Kosina, A. Palma, F. Gamiz, S. Selberherr:
    "Modeling of Retention Time Degradation Due to Inelastic Trap-Assisted Tunneling in EEPROM Devices";
    Microelectronics Reliability, 43 (2003), 9-11; S. 1495 - 1500.

    Zusätzliche Informationen

  104. Autor/innen: Andreas Gehring, E360; Hans Kosina, E360

    A. Gehring, H. Kosina:
    "Wigner Function-Based Simulation of Quantum Transport in Scaled DG-MOSFETs Using a Monte Carlo Method";
    Journal of Computational Electronics, 4 (2005), 1-2; S. 67 - 70.

  105. Autor/innen: Andreas Gehring, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Gehring, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Analysis of Gate Dielectric Stacks Using the Transmitting Boundary Method";
    Journal of Computational Electronics, 2 (2003), 2-4; S. 219 - 223.

    Zusätzliche Informationen

  106. Autor/innen: Andreas Gehring, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Gehring, S. Selberherr:
    "Evolution of Current Transport Models for Engineering Applications";
    Journal of Computational Electronics, 3 (2004), 3-4; S. 149 - 155.

    Zusätzliche Informationen

  107. Autor/innen: Andreas Gehring, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Gehring, S. Selberherr:
    "Gate Current Modeling for MOSFETs";
    Journal of Computational and Theoretical Nanoscience (eingeladen), 2 (2005), 1; S. 26 - 44.

    Zusätzliche Informationen

  108. Autor/innen: Andreas Gehring, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Gehring, S. Selberherr:
    "Modeling of Tunneling Current and Gate Dielectric Reliability for Nonvolatile Memory Devices";
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 4 (2004), 3; S. 306 - 319.

    Zusätzliche Informationen

  109. Autor/innen: Andreas Gehring, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Gehring, S. Selberherr:
    "Statistical Simulation of Gate Dielectric Wearout, Leakage, and Breakdown";
    Microelectronics Reliability, 44 (2004), 9-11; S. 1879 - 1884.

    Zusätzliche Informationen

  110. Autor/innen: N Ghobadi; Mahdi Pourfath, E360

    N. Ghobadi, M. Pourfath:
    "A Comparative Study of Tunneling FETs Based on Graphene and GNR Heterostructures";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 61 (2014), 1; S. 186 - 192.

    Zusätzliche Informationen

  111. Autor/innen: N Ghobadi; Mahdi Pourfath, E360

    N. Ghobadi, M. Pourfath:
    "On the role of disorder on graphene and graphene nanoribbon-based vertical tunneling transistors";
    Journal of Applied Physics, 116 (2014), 18; S. 1845061 - 1845067.

    Zusätzliche Informationen

  112. Autor/innen: N Ghobadi; Mahdi Pourfath, E360

    N. Ghobadi, M. Pourfath:
    "Vertical Tunneling Graphene Heterostructure-Based Transistor for Pressure Sensing";
    IEEE Electron Device Letters, 36 (2015), 3; S. 280 - 282.

    Zusätzliche Informationen

  113. Autor/innen: M. Gholipour; N. Masoumi; Y. C. Chen; D. Chen; Mahdi Pourfath, E360

    M. Gholipour, N. Masoumi, Y.C. Chen, D. Chen, M. Pourfath:
    "Asymmetric Gate Schottky-Barrier Graphene Nanoribbon FETs for Low-Power Design";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 61 (2014), 12; S. 4000 - 4006.

    Zusätzliche Informationen

  114. Autor/innen: Joydeep Ghosh, E360; Dimitry Osintsev, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    J. Ghosh, D. Osintsev, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Enhancement of Electron Spin Relaxation Time in Thin SOI Films by Spin Injection Orientation and Uniaxial Stress";
    Journal of Nano Research, 39 (2016), S. 34 - 42.

    Zusätzliche Informationen

  115. Autor/innen: Joydeep Ghosh, E360; Dimitry Osintsev, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    J. Ghosh, D. Osintsev, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Intersubband Spin Relaxation Reduction and Spin Lifetime Enhancement by Strain in SOI Structures";
    Microelectronic Engineering, 147 (2015), S. 89 - 91.

    Zusätzliche Informationen

  116. Autor/innen: Joydeep Ghosh, E360; Thomas Windbacher, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    J. Ghosh, T. Windbacher, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Spin Injection and Diffusion in Silicon Based Devices from a Space Charge Layer";
    Journal of Applied Physics, 115 (2014), 17; S. 17C503-1 - 17C503-3.

    Zusätzliche Informationen

  117. Autor/innen: Joydeep Ghosh, E360; Thomas Windbacher, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    J. Ghosh, T. Windbacher, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Spin Injection in a Semiconductor Through a Space-Charge Layer";
    Solid-State Electronics, 101 (2014), S. 116 - 121.

    Zusätzliche Informationen

  118. Autor/innen: Markus Glaser, E362; Andreas Kitzler; A Johannes; Slawomir Pruncal; Heidi Potts; Sonia Conesa-Boj; Lidija Filipovic, E360; Hans Kosina, E360; Wolfgang Skorupa; Emmerich Bertagnolli, E362; C Ronning; Anna Fontcuberta i Morral; Alois Lugstein, E362

    M. Glaser, A. Kitzler, A. Johannes, S. Pruncal, H. Potts, S. Conesa-Boj, L. Filipovic, H. Kosina, W. Skorupa, E. Bertagnolli, C. Ronning, A. Fontcuberta i Morral, A. Lugstein:
    "Synthesis, Morphological, and Electro-optical Characterizations of Metal/Semiconductor Nanowire Heterostructures";
    Nano Letters, 16 (2016), 6; S. 3507 - 3518.

    Zusätzliche Informationen

  119. Autor/innen: Hans Goebl; Siegfried Selberherr, E360; W.-D Rase; H. Pudlatz

    H. Goebl, S. Selberherr, W.-D Rase, H. Pudlatz:
    "Atlas, Matrices et Similarités: Petit Aperçu Dialectométrique";
    Computers and the Humanities, 16 (1982), S. 69 - 84.

    Zusätzliche Informationen

  120. Autor/innen: Wolfgang Gös, E360; Markus Karner, E360; Viktor Sverdlov, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    W. Gös, M. Karner, V. Sverdlov, T. Grasser:
    "Charging and Discharging of Oxide Defects in Reliability Issues";
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 8 (2008), 3; S. 491 - 500.

    Zusätzliche Informationen

  121. Autor/innen: Wolfgang Gös, E360; Franz Schanovsky, E360; H. Reisinger; Ben Kaczer; Klaus-Tibor Grasser, E360

    W. Gös, F. Schanovsky, H. Reisinger, B. Kaczer, T. Grasser:
    "Bistable Defects as the Cause for NBTI and RTN";
    Solid State Phenomena (eingeladen), 178-179 (2011), S. 473 - 482.

    Zusätzliche Informationen

  122. Autor/innen: Benito Gonzalez; Vassil Palankovski, E360; Hans Kosina, E360; A. Hernandez; Siegfried Selberherr, E360

    B. Gonzalez, V. Palankovski, H. Kosina, A. Hernandez, S. Selberherr:
    "An Energy Relaxation Time Model for Device Simulation";
    Solid-State Electronics, 43 (1999), 9; S. 1791 - 1795.

    Zusätzliche Informationen

  123. Autor/in: Klaus-Tibor Grasser, E360

    T. Grasser:
    "Non-Parabolic Macroscopic Transport Models for Semiconductor Device Simulation";
    Physica A: Statistical Mechanics and its Applications, 349 (2005), S. 221 - 258.

    Zusätzliche Informationen

  124. Autor/in: Klaus-Tibor Grasser, E360

    T. Grasser:
    "Stochastic Charge Trapping in Oxides: From Random Telegraph Noise to Bias Temperature Instabilities";
    Microelectronics Reliability (eingeladen), 52 (2012), 1; S. 39 - 70.

    Zusätzliche Informationen

  125. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Wolfgang Gös, E360; Ben Kaczer

    T. Grasser, W. Gös, B. Kaczer:
    "Dispersive Transport and Negative Bias Temperature Instability: Boundary Conditions, Initial Conditions, and Transport Models";
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability (eingeladen), 8 (2008), 1; S. 79 - 97.

    Zusätzliche Informationen

  126. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Ben Kaczer

    T. Grasser, B. Kaczer:
    "Evidence That Two Tightly Coupled Mechanisms Are Responsible for Negative Bias Temperature Instability in Oxynitride MOSFETs";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 56 (2009), 5; S. 1056 - 1062.

    Zusätzliche Informationen

  127. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Ben Kaczer; Wolfgang Gös, E360; T. Aichinger; Philipp Paul Hehenberger, E360; M. Nelhiebel

    T. Grasser, B. Kaczer, W. Gös, T. Aichinger, Ph. Hehenberger, M. Nelhiebel:
    "Understanding Negative Bias Temperature Instability in the Context of Hole Trapping";
    Microelectronic Engineering (eingeladen), 86 (2009), 7-9; S. 1876 - 1882.

  128. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Ben Kaczer; Wolfgang Gös, E360; H. Reisinger; T. Aichinger; Philipp Paul Hehenberger, E360; Paul-Jürgen Wagner, E360; Franz Schanovsky, E360; J. Franco; M. Toledano-Luque; M. Nelhiebel

    T. Grasser, B. Kaczer, W. Gös, H. Reisinger, T. Aichinger, Ph. Hehenberger, P.-J. Wagner, F. Schanovsky, J. Franco, M. Toledano-Luque, M. Nelhiebel:
    "The Paradigm Shift in Understanding the Bias Temperature Instability: From Reaction-Diffusion to Switching Oxide Traps";
    IEEE Transactions on Electron Devices (eingeladen), 58 (2011), 11; S. 3652 - 3666.

  129. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Robert Kosik, E360; C. Jungemann; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, R. Kosik, C. Jungemann, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Nonparabolic Macroscopic Transport Models for Device Simulation Based on Bulk Monte Carlo Data";
    Journal of Applied Physics, 97 (2005), 9; S. 093710-1 - 093710-12.

    Zusätzliche Informationen

  130. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Robert Kosik, E360; C. Jungemann; Bernd Meinerzhagen; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, R. Kosik, C. Jungemann, B. Meinerzhagen, H. Kosina, S. Selberherr:
    "A Non-Parabolic Six Moments Model for the Simulation of Sub-100 nm Semiconductor Devices";
    Journal of Computational Electronics, 3 (2004), 3-4; S. 183 - 187.

    Zusätzliche Informationen

  131. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Hans Kosina, E360; Markus Gritsch, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, H. Kosina, M. Gritsch, S. Selberherr:
    "Using Six Moments of Boltzmann's Transport Equation for Device Simulation";
    Journal of Applied Physics, 90 (2001), 5; S. 2389 - 2396.

    Zusätzliche Informationen

  132. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Hans Kosina, E360; Clemens Heitzinger, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, H. Kosina, C. Heitzinger, S. Selberherr:
    "Accurate Impact Ionization Model which Accounts for Hot and Cold Carrier Populations";
    Applied Physics Letters, 80 (2002), 4; S. 613 - 615.

    Zusätzliche Informationen

  133. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Hans Kosina, E360; Clemens Heitzinger, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, H. Kosina, C. Heitzinger, S. Selberherr:
    "Characterization of the Hot Electron Distribution Function Using Six Moments";
    Journal of Applied Physics, 91 (2002), 6; S. 3869 - 3879.

    Zusätzliche Informationen

  134. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Hot Carrier Effects within Macroscopic Transport Models";
    International Journal of High Speed Electronics and Systems, 13 (2003), 3; S. 873 - 901.

    Zusätzliche Informationen

  135. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Hydrodynamic and Energy-Transport Models for Semiconductor Device Simulation: Extensions and Critical Issues";
    Wisnik (eingeladen), 444 (2002), S. 28 - 41.

  136. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Hydrodynamic and Energy-Transport Models for Semiconductor Device Simulation: Review of Basic Models";
    Wisnik (eingeladen), 444 (2002), S. 18 - 27.

  137. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Influence of the Distribution Function Shape and the Band Structure on Impact Ionization Modeling";
    Journal of Applied Physics, 90 (2001), 12; S. 6165 - 6171.

    Zusätzliche Informationen

  138. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Investigation of Spurious Velocity Overshoot Using Monte Carlo Data";
    Applied Physics Letters, 79 (2001), 12; S. 1900 - 1902.

    Zusätzliche Informationen

  139. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; H. Reisinger; Paul-Jürgen Wagner, E360; Ben Kaczer

    T. Grasser, H. Reisinger, P.-J. Wagner, B. Kaczer:
    "Time-Dependent Defect Spectroscopy for Characterization of Border Traps in Metal-Oxide-Semiconductor Transistors";
    Physical Review B, 82 (2010), S. 245318-1 - 245318-10.

    Zusätzliche Informationen

  140. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; K. Rott; H. Reisinger; Michael Waltl, E360; Franz Schanovsky, E360; Ben Kaczer

    T. Grasser, K. Rott, H. Reisinger, M. Waltl, F. Schanovsky, B. Kaczer:
    "NBTI in Nanoscale MOSFETs-The Ultimate Modeling Benchmark";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 61 (2014), 11; S. 3586 - 3593.

    Zusätzliche Informationen

  141. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, S. Selberherr:
    "Electro-Thermal Effects in Mixed-Mode Device Simulation";
    Romanian Journal of Information Science and Technology, 5 (2002), 4; S. 339 - 354.

  142. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, S. Selberherr:
    "Fully Coupled Electrothermal Mixed-Mode Device Simulation of SiGe HBT Circuits";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 48 (2001), 7; S. 1421 - 1427.

    Zusätzliche Informationen

  143. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, S. Selberherr:
    "Mixed-Mode Device Simulation";
    Microelectronics Journal, 31 (2000), 11-12; S. 873 - 881.

    Zusätzliche Informationen

  144. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, S. Selberherr:
    "Modeling of Negative Bias Temperature Instability";
    Journal of Telecommunications and Information Technology (eingeladen), 7 (2007), 2; S. 92 - 102.

  145. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, S. Selberherr:
    "Technology CAD: Device Simulation and Characterization";
    Journal of Vacuum Science & Technology B, 20 (2002), 1; S. 407 - 413.

    Zusätzliche Informationen

  146. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; T.-W. Tang; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, T.-W. Tang, H. Kosina, S. Selberherr:
    "A Review of Hydrodynamic and Energy-Transport Models for Semiconductor Device Simulation";
    Proceedings of the IEEE, 91 (2003), 2; S. 251 - 274.

    Zusätzliche Informationen

  147. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Paul-Jürgen Wagner, E360; Philipp Paul Hehenberger, E360; Wolfgang Gös, E360; Ben Kaczer

    T. Grasser, P.-J. Wagner, Ph. Hehenberger, W. Gös, B. Kaczer:
    "A Rigorous Study of Measurement Techniques for Negative Bias Temperature Instability";
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 8 (2008), 3; S. 526 - 535.

    Zusätzliche Informationen

  148. Autor/innen: Markus Gritsch, E360; Hans Kosina, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Gritsch, H. Kosina, T. Grasser, S. Selberherr:
    "Influence of Generation/Recombination Effects in Simulations of Partially Depleted SOI MOSFETs";
    Solid-State Electronics, 45 (2001), 5; S. 621 - 627.

    Zusätzliche Informationen

  149. Autor/innen: Markus Gritsch, E360; Hans Kosina, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Gritsch, H. Kosina, T. Grasser, S. Selberherr:
    "Revision of the Standard Hydrodynamic Transport Model for SOI Simulation";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 49 (2002), 10; S. 1814 - 1820.

    Zusätzliche Informationen

  150. Autor/innen: T.V. Gurov; Mihail Nedjalkov, E360; P.A. Whitlock; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T.V. Gurov, M. Nedjalkov, P.A. Whitlock, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Femtosecond Relaxation of Hot Electrons by Phonon Emission in Presence of Electric Field";
    Physica B: Condensed Matter, 314 (2002), 1-4; S. 301 - 304.

    Zusätzliche Informationen

  151. Autor/in: Predrag Habas, E360

    P. Habas:
    "A Physics Based Analytical MOSFET Model with Accurate Field Dependent Mobility";
    Solid-State Electronics, 33 (1990), 7; S. 923 - 933.

  152. Autor/in: Predrag Habas, E360

    P. Habas:
    "The Application of Charge-Pumping Technique to Characterize the Si/Si02 Interface in Power VDMOSFETs";
    Microelectronic Engineering, 28 (1995), 1-4; S. 171 - 174.

    Zusätzliche Informationen

  153. Autor/innen: Predrag Habas, E360; John Faricelli

    P. Habas, J. Faricelli:
    "Investigation of the Physical Modeling of the Gate-Depletion Effect";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 39 (1992), 6; S. 1496 - 1500.

  154. Autor/innen: Predrag Habas, E360; Siegfried Selberherr, E360

    P. Habas, S. Selberherr:
    "Impact of the Non-Degenerate Gate Effect on the Performance of Submicron MOS-Devices";
    Informacije Midem - Journal of Microelectronics Electronic Components and Materials, 20 (1990), 4; S. 185 - 188.

  155. Autor/innen: Predrag Habas, E360; Siegfried Selberherr, E360

    P. Habas, S. Selberherr:
    "On the Effect of Non-Degenerate Doping of Polysilicon Gate in Thin Oxide MOS-Devices - Analytical Modeling";
    Solid-State Electronics, 33 (1990), 12; S. 1539 - 1544.

    Zusätzliche Informationen

  156. Autor/innen: Michael Hackel, E360; M. Faber; H. Markum

    M. Hackel, M. Faber, H. Markum:
    "Interface Tension and Chiral Order Parameter Profile with Dynamical Quarks";
    Physical Review D, 46 (1992), 12; S. 5648 - 5654.

  157. Autor/innen: Michael Hackel, E360; M. Faber; H. Markum; M. Müller

    M. Hackel, M. Faber, H. Markum, M. Müller:
    "Chiral Interface for QCD with Dynamical Quarks";
    International Journal of Modern Physics C, 3 (1992), 5; S. 961 - 970.

  158. Autor/innen: W. Hänsch; Siegfried Selberherr, E360

    W. Hänsch, S. Selberherr:
    "MINIMOS 3: A MOSFET Simulator that Includes Energy Balance";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 34 (1987), 5; S. 1074 - 1078.

    Zusätzliche Informationen

  159. Autor/innen: Stefan Halama, E360; Franz Fasching, E360; Claus Fischer, E360; Hans Kosina, E360; Ernst Leitner, E360; Philipp Lindorfer, E360; Christoph Pichler, E360; Hubert Pimingstorfer; Helmut Puchner, E360; Gerhard Rieger, E360; Gerhard Schrom, E360; Thomas Simlinger, E360; Martin Stiftinger, E360; Hannes Stippel, E360; Ernst Strasser, E360; Walter Tuppa, E360; Karl Wimmer, E360; Siegfried Selberherr, E360

    S. Halama, F. Fasching, C. Fischer, H. Kosina, E. Leitner, P. Lindorfer, C. Pichler, H. Pimingstorfer, H. Puchner, G. Rieger, G. Schrom, T. Simlinger, M. Stiftinger, H. Stippel, E. Strasser, W. Tuppa, K. Wimmer, S. Selberherr:
    "The Viennese Integrated System for Technology CAD Applications";
    Microelectronics Journal, 26 (1995), S. 137 - 158.

    Zusätzliche Informationen

  160. Autor/innen: Stefan Halama, E360; Christoph Pichler, E360; Gerhard Rieger, E360; Gerhard Schrom, E360; Thomas Simlinger, E360; Siegfried Selberherr, E360

    S. Halama, C. Pichler, G. Rieger, G. Schrom, T. Simlinger, S. Selberherr:
    "VISTA - User Interface, Task Level, and Tool Integration";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 14 (1995), 10; S. 1208 - 1222.

    Zusätzliche Informationen

  161. Autor/innen: Stefan Halama, E360; Siegfried Selberherr, E360

    S. Halama, S. Selberherr:
    "Future Aspects of Process and Device Simulation";
    Electron Technology (eingeladen), 26 (1993), S. 49 - 57.

  162. Autor/innen: Christian Harlander, E360; Rainer Sabelka, E360; Siegfried Selberherr, E360

    C. Harlander, R. Sabelka, S. Selberherr:
    "Efficient Inductance Calculation in Interconnect Structures by Applying the Monte Carlo Method";
    Microelectronics Journal, 34 (2003), 9; S. 815 - 821.

    Zusätzliche Informationen

  163. Autor/innen: Philipp Paul Hehenberger, E360; Paul-Jürgen Wagner, E360; H. Reisinger; Klaus-Tibor Grasser, E360

    Ph. Hehenberger, P.-J. Wagner, H. Reisinger, T. Grasser:
    "On the Temperature and Voltage Dependence of Short-Term Negative Bias Temperature Stress";
    Microelectronics Reliability, 49 (2009), S. 1013 - 1017.

    Zusätzliche Informationen

  164. Autor/innen: Otto Heinreichsberger, E360; Siegfried Selberherr, E360; Martin Stiftinger, E360; K. Traar

    O. Heinreichsberger, S. Selberherr, M. Stiftinger, K. Traar:
    "Fast Iterative Solution of Carrier Continuity Equations for Three-Dimensional Device Simulation";
    SIAM Journal of Scientific and Statistical Computing, 13 (1992), 1; S. 289 - 306.

    Zusätzliche Informationen

  165. Autor/innen: Rene Heinzl, E360; Philipp Schwaha, E360

    R. Heinzl, P. Schwaha:
    "A Generic Topology Library";
    Science of Computer Programming, 76 (2011), 4; S. 324 - 346.

    Zusätzliche Informationen

  166. Autor/innen: Rene Heinzl, E360; Philipp Schwaha, E360; Franz Stimpfl, E360; Siegfried Selberherr, E360

    R. Heinzl, P. Schwaha, F. Stimpfl, S. Selberherr:
    "GUIDE: Parallel Library-Centric Application Design by a Generic Scientific Simulation Environment";
    International Journal of Parallel, Emergent and Distributed Systems, 24 (2009), 6; S. 505 - 520.

    Zusätzliche Informationen

  167. Autor/innen: Clemens Heitzinger, E360; Andreas Hössinger, E360; Siegfried Selberherr, E360

    C. Heitzinger, A. Hössinger, S. Selberherr:
    "An Algorithm for Smoothing Three-Dimensional Monte Carlo Ion Implantation Simulation Results";
    Mathematics and Computers in Simulation, 66 (2004), 2-3; S. 219 - 230.

    Zusätzliche Informationen

  168. Autor/innen: Clemens Heitzinger, E360; Andreas Hössinger, E360; Siegfried Selberherr, E360

    C. Heitzinger, A. Hössinger, S. Selberherr:
    "On Smoothing Three-Dimensional Monte Carlo Ion Implantation Simulation Results";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 22 (2003), 7; S. 879 - 883.

    Zusätzliche Informationen

  169. Autor/innen: Clemens Heitzinger, E360; Wolfgang Pyka, E360; N. Tamaoki; T. Takase; T. Ohmine; Siegfried Selberherr, E360

    C. Heitzinger, W. Pyka, N. Tamaoki, T. Takase, T. Ohmine, S. Selberherr:
    "Simulation of Arsenic In Situ Doping With Polysilicon CVD and Its Application to High Aspect Ratio Trenches";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 22 (2003), 3; S. 285 - 292.

    Zusätzliche Informationen

  170. Autor/innen: Clemens Heitzinger, E360; Ch. Ringhofer

    C. Heitzinger, Ch. Ringhofer:
    "A Note on the Symplectic Integration of the Nonlinear Schrödinger Equation";
    Journal of Computational Electronics, 3 (2004), 1; S. 33 - 44.

    Zusätzliche Informationen

  171. Autor/innen: Clemens Heitzinger, E360; Ch. Ringhofer; Siegfried Selberherr, E360

    C. Heitzinger, Ch. Ringhofer, S. Selberherr:
    "Finite Difference Solutions of the Nonlinear Schrödinger Equation and their Conservation of Physical Quantities";
    Communications in Mathematical Sciences, 5 (2007), 4; S. 779 - 788.

    Zusätzliche Informationen

  172. Autor/innen: Clemens Heitzinger, E360; Siegfried Selberherr, E360

    C. Heitzinger, S. Selberherr:
    "An Extensible TCAD Optimization Framework Combining Gradient Based and Genetic Optimizers";
    Microelectronics Journal, 33 (2002), 1-2; S. 61 - 68.

    Zusätzliche Informationen

  173. Autor/innen: Clemens Heitzinger, E360; Siegfried Selberherr, E360

    C. Heitzinger, S. Selberherr:
    "On the Simulation of the Formation and Dissolution of Silicon Self-Interstitial Clusters and the Corresponding Inverse Modeling Problem";
    Microelectronics Journal, 35 (2004), 2; S. 167 - 171.

    Zusätzliche Informationen

  174. Autor/innen: Clemens Heitzinger, E360; Alireza Sheikholeslami, E360; Fuad Badrieh; Helmut Puchner, E360; Siegfried Selberherr, E360

    C. Heitzinger, A. Sheikholeslami, F. Badrieh, H. Puchner, S. Selberherr:
    "Feature-Scale Process Simulation and Accurate Capacitance Extraction for the Backend of a 100-nm Aluminum/TEOS Process";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 51 (2004), 7; S. 1129 - 1134.

    Zusätzliche Informationen

  175. Autor/innen: Clemens Heitzinger, E360; Alireza Sheikholeslami, E360; Jong Mun Park, E360; Siegfried Selberherr, E360

    C. Heitzinger, A. Sheikholeslami, J.M. Park, S. Selberherr:
    "A Method for Generating Structurally Aligned Grids for Semiconductor Device Simulation";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 24 (2005), 10; S. 1485 - 1491.

    Zusätzliche Informationen

  176. Autor/innen: Gerhard Hobler, E362; Erasmus Langer, E360; Siegfried Selberherr, E360

    G. Hobler, E. Langer, S. Selberherr:
    "Two-Dimensional Modeling of Ion Implantation with Spatial Moments";
    Solid-State Electronics, 30 (1987), 4; S. 445 - 455.

    Zusätzliche Informationen

  177. Autor/innen: Gerhard Hobler, E362; Siegfried Selberherr, E360

    G. Hobler, S. Selberherr:
    "Monte Carlo Simulation of Ion Implantation into Two- and Three-Dimensional Structures";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 8 (1989), 5; S. 450 - 459.

    Zusätzliche Informationen

  178. Autor/innen: Gerhard Hobler, E362; Siegfried Selberherr, E360

    G. Hobler, S. Selberherr:
    "Two-Dimensional Modeling of Ion Implantation Induced Point Defects";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 7 (1988), 2; S. 174 - 180.

    Zusätzliche Informationen

  179. Autor/innen: Andreas Hössinger, E360; Erasmus Langer, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Hössinger, E. Langer, S. Selberherr:
    "Parallelization of a Monte Carlo Ion Implantation Simulator";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 19 (2000), 5; S. 560 - 567.

    Zusätzliche Informationen

  180. Autor/innen: Stefan Holzer, E360; R. Minixhofer; Clemens Heitzinger, E360; Johannes Fellner; Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    S. Holzer, R. Minixhofer, C. Heitzinger, J. Fellner, T. Grasser, S. Selberherr:
    "Extraction of Material Parameters Based on Inverse Modeling of Three-Dimensional Interconnect Fusing Structures";
    Microelectronics Journal, 35 (2004), 10; S. 805 - 810.

    Zusätzliche Informationen

  181. Autor/innen: Stefan Holzer, E360; Alireza Sheikholeslami, E360; Markus Karner, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    S. Holzer, A. Sheikholeslami, M. Karner, T. Grasser, S. Selberherr:
    "Comparison of Deposition Models for a TEOS LPCVD Process";
    Microelectronics Reliability, 47 (2007), 4-5; S. 623 - 625.

    Zusätzliche Informationen

  182. Autor/innen: Manouchehr Hosseini; Mohammad Elahi; Mahdi Pourfath, E360; D. Esseni

    M. Hosseini, M. Elahi, M. Pourfath, D. Esseni:
    "Strain Induced Mobility Modulation in Single-Layer MoS2";
    Journal of Physics D: Applied Physics, 48 (2015), 37; S. 375104-1 - 375104-11.

    Zusätzliche Informationen

  183. Autor/innen: Manouchehr Hosseini; Mohammad Elahi; Mahdi Pourfath, E360; D. Esseni

    M. Hosseini, M. Elahi, M. Pourfath, D. Esseni:
    "Strain-Induced Modulation of Electron Mobility in Single-Layer Transition Metal Dichalcogenides MX2 ( M = Mo, W ; X = S , Se)";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 62 (2015), 10; S. 3192 - 3198.

    Zusätzliche Informationen

  184. Autor/innen: Manouchehr Hosseini; Mohammad Elahi; Mahdi Pourfath, E360; D. Esseni

    M. Hosseini, M. Elahi, M. Pourfath, D. Esseni:
    "Very Large Strain Gauges Based on Single Layer MoSe2 and WSe2 for Sensing Applications";
    Applied Physics Letters, 107 (2015), 25; S. 253503-1 - 253503-4.

    Zusätzliche Informationen

  185. Autor/innen: R Huang; W. Robl; Hajdin Ceric, E360; T. Detzel; G. Dehm

    R. Huang, W. Robl, H. Ceric, T. Detzel, G. Dehm:
    "Stress, Sheet Resistance, and Microstructure Evolution of Electroplated Cu Films During Self-Annealing";
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 10 (2010), 1; S. 47 - 54.

    Zusätzliche Informationen

  186. Autor/innen: R Huang; A. Taylor; S. Himmelsbach; Hajdin Ceric, E360; T. Detzel

    R. Huang, A. Taylor, S. Himmelsbach, H. Ceric, T. Detzel:
    "Apparatus for Measuring Local Stress of Metallic Films, Using an Array of Parallel Laser Beams during Rapid Thermal Processing";
    Measurement Science & Technology, 21 (2010), 5; S. 55702 - 55710.

  187. Autor/innen: Yury Illarionov, E360; Markus Bina; S. E. Tyaginov, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    Yu. Illarionov, M. Bina, S. E. Tyaginov, T. Grasser:
    "An analytical approach for the determination of the lateral trap position in ultra-scaled MOSFETs";
    Japanese Journal of Applied Physics, 53 (2014), S. 04EC22-1 - 04EC22-4.

    Zusätzliche Informationen

  188. Autor/innen: Yury Illarionov, E360; Markus Bina; S. E. Tyaginov, E360; Karina Rott; Ben Kaczer; H. Reisinger; Klaus-Tibor Grasser, E360

    Yu. Illarionov, M. Bina, S. E. Tyaginov, K. Rott, B. Kaczer, H. Reisinger, T. Grasser:
    "Extraction of the Lateral Position of Border Traps in Nanoscale MOSFETs";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 62 (2015), 9; S. 2730 - 2737.

    Zusätzliche Informationen

  189. Autor/innen: Yury Illarionov, E360; Theresia Knobloch, E360; Michael Waltl, E360; Gerhard Rzepa, E360; Andreas Pospischil, E387; Dmitry K. Polyushkin, E387; Marco Mercurio Furchi, E387; Thomas Müller, E387; Klaus-Tibor Grasser, E360

    Yu. Illarionov, T. Knobloch, M. Waltl, G. Rzepa, A. Pospischil, D.K Polyushkin, M. M. Furchi, T. Müller, T. Grasser:
    "Energetic Mapping of Oxide Traps in MoS2 Field-Effect Transistors";
    2D Materials, 4 (2017), 2; S. 1 - 10.

    Zusätzliche Informationen

  190. Autor/innen: Yury Illarionov, E360; Gerhard Rzepa, E360; Michael Waltl, E360; Theresia Knobloch, E360; Alexander Grill, E360; Marco Mercurio Furchi, E387; Thomas Müller, E387; Klaus-Tibor Grasser, E360

    Yu. Illarionov, G. Rzepa, M. Waltl, T. Knobloch, A. Grill, M. M. Furchi, T. Müller, T. Grasser:
    "The Role of Charge Trapping in MoS2/SiO2 and MoS2/hBN Field-Effect Transistors";
    2D Materials, 3 (2016), 3; S. 035004-1 - 035004-10.

    Zusätzliche Informationen

  191. Autor/innen: Yury Illarionov, E360; A.D. Smith; S. Vaziri; M. Ostling; Thomas Müller, E387; M.C. Lemme; Klaus-Tibor Grasser, E360

    Yu. Illarionov, A. Smith, S. Vaziri, M. Ostling, T. Müller, M. Lemme, T. Grasser:
    "Bias-Temperature Instability in Single-Layer Graphene Field-Effect Transistors";
    Applied Physics Letters, 105 (2014), 14; S. 1435071 - 1435075.

  192. Autor/innen: Yury Illarionov, E360; Anderson Smith; S. Vaziri; M. Ostling; Thomas Müller, E387; M Lemme; Klaus-Tibor Grasser, E360

    Yu. Illarionov, A. Smith, S. Vaziri, M. Ostling, T. Müller, M. Lemme, T. Grasser:
    "Hot-Carrier Degradation and Bias-Temperature Instability in Single-Layer Graphene Field-Effect Transistors: Similarities and Differences";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 62 (2015), 11; S. 3876 - 3881.

    Zusätzliche Informationen

  193. Autor/innen: Yury Illarionov, E360; M. I. Vexler; V. V. Fedorov; S. M. Suturin; N. S. Sokolov

    Yu. Illarionov, M. I. Vexler, V. V. Fedorov, S. M. Suturin, N. S. Sokolov:
    "Electrical and optical characterization of Au/CaF2/p-Si(111) tunnel-injection diodes";
    Journal of Applied Physics, 115 (2014), S. 223706-1 - 223706-5.

    Zusätzliche Informationen

  194. Autor/innen: Yury Illarionov, E360; M. I. Vexler; V. V. Fedorov; S. M. Suturin; N. S. Sokolov

    Yu. Illarionov, M. I. Vexler, V. V. Fedorov, S. M. Suturin, N. S. Sokolov:
    "Light emission from the Au/CaF2/p-Si(111) capacitors: Evidence for an elastic electron tunneling through a thin (1-2 nm) fluoride layer";
    Thin Solid Films, 545 (2013), S. 580 - 583.

    Zusätzliche Informationen

  195. Autor/innen: Yury Illarionov, E360; M. I. Vexler; Markus Karner, E360; S. E. Tyaginov, E360; Johann Cervenka, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    Yu. Illarionov, M. I. Vexler, M. Karner, S. E. Tyaginov, J. Cervenka, T. Grasser:
    "TCAD Simulation of Tunneling Leakage Current in CaF2/Si(111) MIS Structures";
    Current Applied Physics, 15 (2015), S. 78 - 83.

    Zusätzliche Informationen

  196. Autor/innen: Yury Illarionov, E360; Michael Waltl, E360; Gerhard Rzepa, E360; J.-S. Kim; Seohee Kim; Ananth Dodabalapur; D. Akinwande; Klaus-Tibor Grasser, E360

    Yu. Illarionov, M. Waltl, G. Rzepa, J. Kim, S. Kim, A. Dodabalapur, D. Akinwande, T. Grasser:
    "Long-Term Stability and Reliability of Black Phosphorus Field-Effect Transistors";
    ACS Nano, 10 (2016), 10; S. 9543 - 9549.

    Zusätzliche Informationen

  197. Autor/innen: Yury Illarionov, E360; Michael Waltl, E360; Gerhard Rzepa, E360; Theresia Knobloch, E360; J.-S. Kim; D. Akinwande; Klaus-Tibor Grasser, E360

    Yu. Illarionov, M. Waltl, G. Rzepa, T. Knobloch, J. Kim, D. Akinwande, T. Grasser:
    "Highly-Stable Black Phosphorus Field-Effect Transistors with Low Density of Oxide Traps";
    npj 2D Materials and Applications, 1 (2017), 23; S. 1 - 7.

    Zusätzliche Informationen

  198. Autor/innen: Yury Illarionov, E360; Michael Waltl, E360; A.D. Smith; S. Vaziri; M. Ostling; M.C. Lemme; Klaus-Tibor Grasser, E360

    Yu. Illarionov, M. Waltl, A. Smith, S. Vaziri, M. Ostling, M. Lemme, T. Grasser:
    "Bias-Temperature Instability on the Back Gate of Single-Layer Double-Gated Graphene Field-Effect Transistors";
    Japanese Journal of Applied Physics, 55 (2016), 4S; S. 04EP03.

    Zusätzliche Informationen

  199. Autor/innen: Markus Jech, E360; Prateek Sharma, E360; S. E. Tyaginov, E360; Florian Rudolf, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    M. Jech, P. Sharma, S. E. Tyaginov, F. Rudolf, T. Grasser:
    "On the Limits of Applicability of Drift-Diffusion Based Hot Carrier Degradation Modeling";
    Japanese Journal of Applied Physics, 55 (2016), 4S; S. 1 - 6.

    Zusätzliche Informationen

  200. Autor/innen: Xu Jing; Emanuel Panholzer; Xiaoxue Song; Enric Grustan-Gutierrez; Fei Hui; Yuanyuan Shi; Guenther Benstetter; Yury Illarionov, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Mario Lanza

    X. Jing, E. Panholzer, X. Song, E. Grustan-Gutierrez, F. Hui, Y. Shi, G. Benstetter, Yu. Illarionov, T. Grasser, M. Lanza:
    "Fabrication of Scalable and Ultra Low Power Photodetectors with High Light/Dark Current Ratios Using Polycrystalline Monolayer MoS2 Sheets";
    Nano Energy, 30 (2016), S. 494 - 502.

    Zusätzliche Informationen

  201. Autor/innen: Werner Jüngling, E360; E. Guerrero; Siegfried Selberherr, E360

    W. Jüngling, E. Guerrero, S. Selberherr:
    "On Modeling the Intrinsic Number and Fermi Levels for Device and Process Simulation";
    COMPEL - The International Journal for Computation and Mathematics in Electrical and Electronic Engineering, 3 (1984), 2; S. 79 - 105.

  202. Autor/innen: Werner Jüngling, E360; P. Pichler, E366; Siegfried Selberherr, E360; E. Guerrero; Hans Pötzl, E366

    W. Jüngling, P. Pichler, S. Selberherr, E. Guerrero, H. Pötzl:
    "Simulation of Critical IC Fabrication Processes Using Advanced Physical and Numerical Methods";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 32 (1985), 2; S. 156 - 167.

    Zusätzliche Informationen

  203. Autor/innen: Werner Jüngling, E360; P. Pichler, E366; Siegfried Selberherr, E360; E. Guerrero; Hans Pötzl, E366

    W. Jüngling, P. Pichler, S. Selberherr, E. Guerrero, H. Pötzl:
    "Simulation of Critical IC Fabrication Processes Using Advanced Physical and Numerical Methods";
    IEEE Journal of Solid-State Circuits, 20 (1985), 1; S. 76 - 87.

    Zusätzliche Informationen

  204. Autor/innen: C. Jungemann; Klaus-Tibor Grasser, E360; Burkhard Neinhüs; Bernd Meinerzhagen

    C. Jungemann, T. Grasser, B. Neinhüs, B. Meinerzhagen:
    "Failure of Moments-Based Transport Models in Nanoscale Devices Near Equilibrium";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 52 (2005), 11; S. 2404 - 2408.

  205. Autor/innen: M Jurkovic; Dagmar Gregusova; Vassil Palankovski, E360; S. Hascik; M. Blaho; Karol Cico; K. Frohlich; J.-F Carlin; Nicolas Grandjean; J. Kuzmik

    M. Jurkovic, D. Gregusova, V. Palankovski, S. Hascik, M. Blaho, K. Cico, K. Frohlich, J. Carlin, N. Grandjean, J. Kuzmik:
    "Schottky-Barrier Normally Off GaN/InAlN/AlN/GaN HEMT With Selectively Etched Access Region";
    IEEE Electron Device Letters, 34 (2013), 3; S. 432 - 434.

    Zusätzliche Informationen

  206. Autor/innen: Ben Kaczer; J. Franco; Ph. J. Roussel; G. Groeseneken; T. Chiarella; N. Horiguchi; Klaus-Tibor Grasser, E360

    B. Kaczer, J. Franco, Ph. J. Roussel, G. Groeseneken, T. Chiarella, N. Horiguchi, T. Grasser:
    "Extraction of The Random Component of Time-Dependent Variability Using Matched Pairs";
    IEEE Electron Device Letters, 36 (2015), 4; S. 300 - 302.

    Zusätzliche Informationen

  207. Autor/innen: Ben Kaczer; J. Franco; S. E. Tyaginov, E360; Markus Jech, E360; Gerhard Rzepa, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Barry J. O´Sullivan; Romain Ritzenhaler; Tom Schram; Alessio Spessot; D Linten; N. Horiguchi

    B. Kaczer, J. Franco, S. E. Tyaginov, M. Jech, G. Rzepa, T. Grasser, B.J. O´Sullivan, R. Ritzenhaler, T. Schram, A. Spessot, D. Linten, N. Horiguchi:
    "Mapping of CMOS FET Degradation in Bias Space--Application to Dram Peripheral Devices";
    Journal of Vacuum Science & Technology B, 35 (2017), 1; S. 01A109-1 - 01A109-6.

    Zusätzliche Informationen

  208. Autor/innen: Ben Kaczer; J. Franco; P. Weckx; Ph. J. Roussel; Marko Simicic; Vamsi Putcha; E. Bury; M. Cho; R. Degraeve; D Linten; G. Groeseneken; Peter Debacker; Bertrand Parvais; P. Raghavan; F. Catthoor; Gerhard Rzepa, E360; Michael Waltl, E360; Wolfgang Gös, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    B. Kaczer, J. Franco, P. Weckx, Ph. J. Roussel, M. Simicic, V. Putcha, E. Bury, M. Cho, R. Degraeve, D. Linten, G. Groeseneken, P. Debacker, B. Parvais, P. Raghavan, F. Catthoor, G. Rzepa, M. Waltl, W. Gös, T. Grasser:
    "The Defect-Centric Perspective of Device and Circuit Reliability - From Gate Oxide Defects to Circuits";
    Solid-State Electronics, 125 (2016), S. 52 - 62.

    Zusätzliche Informationen

  209. Autor/innen: Ben Kaczer; Klaus-Tibor Grasser, E360; J. Franco; M. Toledano-Luque; Ph. J. Roussel; M. Cho; E. Simoen; G. Groeseneken

    B. Kaczer, T. Grasser, J. Franco, M. Toledano-Luque, Ph. J. Roussel, M. Cho, E. Simoen, G. Groeseneken:
    "Recent Trends in Bias Temperature Instability";
    Journal of Vacuum Science & Technology B (eingeladen), 29 (2011), S. 01AB01-1 - 01AB01-7.

  210. Autor/innen: Ben Kaczer; Ph. J. Roussel; Klaus-Tibor Grasser, E360; G. Groeseneken

    B. Kaczer, Ph. J. Roussel, T. Grasser, G. Groeseneken:
    "Statistics of Multiple Trapped Charges in the Gate Oxide of Deeply Scaled MOSFET Devices-Application to NBTI";
    IEEE Electron Device Letters, 31 (2010), 5; S. 411 - 413.

    Zusätzliche Informationen

  211. Autor/innen: Ben Kaczer; M. Toledano-Luque; Wolfgang Gös, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; G. Groeseneken

    B. Kaczer, M. Toledano-Luque, W. Gös, T. Grasser, G. Groeseneken:
    "Gate Current Random Telegraph Noise and Single Defect Conduction";
    Microelectronic Engineering, 109 (2013), S. 123 - 125.

    Zusätzliche Informationen

  212. Autor/innen: Ben Kaczer; A. Veloso; Ph. J. Roussel; Klaus-Tibor Grasser, E360; G. Groeseneken

    B. Kaczer, A. Veloso, Ph. J. Roussel, T. Grasser, G. Groeseneken:
    "Investigation of Bias-Temperature Instability in Work-Function-Tuned High-k/Metal-Gate Stacks";
    Journal of Vacuum Science & Technology B, 27 (2009), 1; S. 459 - 462.

  213. Autor/innen: Goran Kaiblinger-Grujin, E360; Hans Kosina, E360

    G. Kaiblinger-Grujin, H. Kosina:
    "An Improved Ionized Impurity Scattering Model For Monte Carlo Calculations";
    VLSI Design, 6 (1998), 1-4; S. 209 - 212.

    Zusätzliche Informationen

  214. Autor/innen: Goran Kaiblinger-Grujin, E360; Hans Kosina, E360; Christian Köpf, E360; Siegfried Selberherr, E360

    G. Kaiblinger-Grujin, H. Kosina, C. Köpf, S. Selberherr:
    "Influence of Dopant Species on Electron Mobility in Heavily Doped Semiconductors";
    Materials Science Forum, 258-263 (1997), S. 939 - 944.

    Zusätzliche Informationen

  215. Autor/innen: Goran Kaiblinger-Grujin, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    G. Kaiblinger-Grujin, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Influence of the Doping Element on the Electron Mobility in n-Silicon";
    Journal of Applied Physics, 83 (1998), 6; S. 3096 - 3101.

    Zusätzliche Informationen

  216. Autor/innen: Hossein Karamitaheri, E360; Neophytos Neophytou, E360; Mohsen Karami Taheri; R. Faez; Hans Kosina, E360

    H. Karamitaheri, N. Neophytou, M. Karami Taheri, R. Faez, H. Kosina:
    "Calculation of Confined Phonon Spectrum in Narrow Silicon Nanowires Using the Valence Force Field Method";
    Journal of Electronic Materials, 42 (2013), 7; S. 2091 - 2097.

    Zusätzliche Informationen

  217. Autor/innen: Hossein Karamitaheri, E360; Neophytos Neophytou, E360; Hans Kosina, E360

    H. Karamitaheri, N. Neophytou, H. Kosina:
    "Anomalous diameter dependence of thermal transport in ultra-narrow Si nanowires";
    Journal of Applied Physics, 115 (2014), S. 024302_1 - 024302_7.

    Zusätzliche Informationen

  218. Autor/innen: Hossein Karamitaheri, E360; Neophytos Neophytou, E360; Hans Kosina, E360

    H. Karamitaheri, N. Neophytou, H. Kosina:
    "Ballistic Phonon Transport in Ultra-Thin Silicon Layers: Effects of Confinement and Orientation";
    Journal of Applied Physics, 113 (2013), 20; S. 204305-1 - 204305-9.

    Zusätzliche Informationen

  219. Autor/innen: Hossein Karamitaheri, E360; Neophytos Neophytou, E360; Hans Kosina, E360

    H. Karamitaheri, N. Neophytou, H. Kosina:
    "Use of Atomistic Phonon Dispersion and Boltzmann Transport Formalism to Study the Thermal Conductivity of Narrow Si Nanowires";
    Journal of Electronic Materials, 1 (2013), S. 1 - 8.

    Zusätzliche Informationen

  220. Autor/innen: Hossein Karamitaheri, E360; Neophytos Neophytou, E360; Mahdi Pourfath, E360; R. Faez; Hans Kosina, E360

    H. Karamitaheri, N. Neophytou, M. Pourfath, R. Faez, H. Kosina:
    "Engineering Enhanced Thermoelectric Properties in Zigzag Graphene Nanoribbons";
    Journal of Applied Physics, 111 (2012), 5; S. 054501-1 - 054501-9.

    Zusätzliche Informationen

  221. Autor/innen: Hossein Karamitaheri, E360; Neophytos Neophytou, E360; Mahdi Pourfath, E360; Hans Kosina, E360

    H. Karamitaheri, N. Neophytou, M. Pourfath, H. Kosina:
    "Study of Thermal Properties of Graphene-Based Structures using the Force Constant Method";
    Journal of Computational Electronics (eingeladen), 11 (2012), 1; S. 14 - 21.

    Zusätzliche Informationen

  222. Autor/innen: Hossein Karamitaheri, E360; Mahdi Pourfath, E360; R. Faez; Hans Kosina, E360

    H. Karamitaheri, M. Pourfath, R. Faez, H. Kosina:
    "Atomistic Study of the Lattice Thermal Conductivity of Rough Graphene Nanoribbons";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 60 (2013), 7; S. 2142 - 2147.

    Zusätzliche Informationen

  223. Autor/innen: Hossein Karamitaheri, E360; Mahdi Pourfath, E360; R. Faez; Hans Kosina, E360

    H. Karamitaheri, M. Pourfath, R. Faez, H. Kosina:
    "Geometrical Effects on the Thermoelectric Properties of Ballistic Graphene Antidot Lattices";
    Journal of Applied Physics, 110 (2011), 5; S. 054506-1 - 054506-6.

    Zusätzliche Informationen

  224. Autor/innen: Hossein Karamitaheri, E360; Mahdi Pourfath, E360; Hans Kosina, E360; Neophytos Neophytou, E360

    H. Karamitaheri, M. Pourfath, H. Kosina, N. Neophytou:
    "Low-Dimensional Phonon Transport Effects in Ultranarrow Disordered Graphene Nanoribbons";
    Physical Review B, 91 (2015), 16; S. 165410-1 - 165410-15.

    Zusätzliche Informationen

  225. Autor/innen: Hossein Karamitaheri, E360; Mahdi Pourfath, E360; M. Pazoki; R. Faez; Hans Kosina, E360

    H. Karamitaheri, M. Pourfath, M. Pazoki, R. Faez, H. Kosina:
    "Graphene-Based Antidots for Thermoelectric Applications";
    Journal of the Electrochemical Society, 158 (2011), 12; S. K213 - K216.

    Zusätzliche Informationen

  226. Autor/innen: G.G. Kareva; M. I. Vexler; Yury Illarionov, E360

    G.G. Kareva, M. I. Vexler, Yu. Illarionov:
    "Transformation of a Metal-Insulator-Silicon Structure into a Resonant-Tunneling Diode";
    Microelectronic Engineering, 109 (2013), S. 270 - 273.

    Zusätzliche Informationen

  227. Autor/innen: Gerhard Karlowatz, E360; Wilfried Wessner, E360; Hans Kosina, E360

    G. Karlowatz, W. Wessner, H. Kosina:
    "Effect of Band Structure Discretization on the Performance of Full-Band Monte Carlo Simulation";
    Mathematics and Computers in Simulation, 79 (2008), S. 972 - 979.

    Zusätzliche Informationen

  228. Autor/innen: Markus Karner, E360; Andreas Gehring, E360; Stefan Holzer, E360; Mahdi Pourfath, E360; Martin Wagner, E360; Wolfgang Gös, E360; Martin Vasicek, E360; Oskar Baumgartner, E360; Christian Kernstock; Klaus Schnass; Gerhard Zeiler; Klaus-Tibor Grasser, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Karner, A. Gehring, S. Holzer, M. Pourfath, M. Wagner, W. Gös, M. Vasicek, O. Baumgartner, Ch. Kernstock, K. Schnass, G. Zeiler, T. Grasser, H. Kosina, S. Selberherr:
    "A Multi-Purpose Schrödinger-Poisson Solver for TCAD Applications";
    Journal of Computational Electronics, 6 (2007), 1-3; S. 179 - 182.

    Zusätzliche Informationen

  229. Autor/innen: Markus Karner, E360; Andreas Gehring, E360; Hans Kosina, E360

    M. Karner, A. Gehring, H. Kosina:
    "Efficient Calculation of Lifetime Based Direct Tunneling Through Stacked Dielectrics";
    Journal of Computational Electronics, 5 (2006), S. 161 - 165.

  230. Autor/innen: Markus Karner, E360; Andreas Gehring, E360; Martin Wagner, E360; Robert Entner, E360; Stefan Holzer, E360; Wolfgang Gös, E360; Martin Vasicek, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Karner, A. Gehring, M. Wagner, R. Entner, S. Holzer, W. Gös, M. Vasicek, T. Grasser, H. Kosina, S. Selberherr:
    "VSP - A Gate Stack Analyzer";
    Microelectronics Reliability, 47 (2007), 4-5; S. 704 - 708.

    Zusätzliche Informationen

  231. Autor/innen: Wolfgang Kausel, E360; J.O. Nylander; Gerd Nanz, E360; Siegfried Selberherr, E360; Hans Pötzl, E366

    W. Kausel, J.O. Nylander, G. Nanz, S. Selberherr, H. Pötzl:
    "BAMBI - A Transient 2D-MESFET Model with General Boundary Conditions Including Schottky and Current Controlled Contacts";
    Microelectronics Journal, 21 (1990), 5; S. 5 - 21.

    Zusätzliche Informationen

  232. Autor/innen: Wolfgang Kausel, E360; Hans Pötzl, E366; Gerd Nanz, E360; Siegfried Selberherr, E360

    W. Kausel, H. Pötzl, G. Nanz, S. Selberherr:
    "Two-Dimensional Transient Simulation of the Turn-Off Behavior of a Planar MOS-Transistor";
    Solid-State Electronics, 32 (1989), 9; S. 685 - 709.

    Zusätzliche Informationen

  233. Autor/innen: Kaveh Khaliji; M. Noei; Seyed Mohammad Tabatabaei; Mahdi Pourfath, E360; M. Fathipour; Yaser Abdi

    K. Khaliji, M. Noei, S. M. Tabatabaei, M. Pourfath, M. Fathipour, Y. Abdi:
    "Tunable Bandgap in Bilayer Armchair Graphene Nanoribbons: Concurrent Influence of Electric Field and Uniaxial Strain";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 60 (2013), 8; S. 2464 - 2470.

    Zusätzliche Informationen

  234. Autor/innen: N. Khalil; John Faricelli; D. Bell; Siegfried Selberherr, E360

    N. Khalil, J. Faricelli, D. Bell, S. Selberherr:
    "The Extraction of Two-Dimensional MOS Transistor Doping via Inverse Modeling";
    IEEE Electron Device Letters, 16 (1995), 1; S. 17 - 19.

    Zusätzliche Informationen

  235. Autor/innen: N. Khalil; John Faricelli; C.-L. Huang; Siegfried Selberherr, E360

    N. Khalil, J. Faricelli, C. Huang, S. Selberherr:
    "Two-Dimensional Dopant Profiling of Submicron MOSFET Using Nonlinear Least Squares Inverse Modeling";
    Journal of Vacuum Science & Technology B, 14 (1996), 1; S. 224 - 230.

    Zusätzliche Informationen

  236. Autor/innen: Sang-Cheol Kim; W Bahng; N.-K. Kim; E.-D. Kim; Tesfaye Ayalew, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    S.-C. Kim, W. Bahng, N.-K. Kim, E.-D. Kim, T. Ayalew, T. Grasser, S. Selberherr:
    "Numerical Simulation and Optimization for 900V 4H-SiC DiMOSFET fabrication";
    Materials Science Forum, 483-485 (2005), S. 793 - 796.

    Zusätzliche Informationen

  237. Autor/innen: Yusuf Kinkhabwala; Viktor Sverdlov, E360; Alexander N Korotkov; Konstantin Likharev

    Y. Kinkhabwala, V. Sverdlov, A.N. Korotkov, K. Likharev:
    "A Numerical Study of Transport and Shot Noise in 2D Hopping";
    Journal of Physics: Condensed Matter, 18 (2006), S. 1999 - 2012.

  238. Autor/innen: Yusuf Kinkhabwala; Viktor Sverdlov, E360; Konstantin Likharev

    Y. Kinkhabwala, V. Sverdlov, K. Likharev:
    "A Numerical Study of Coulomb Interaction Effects on 2D Hopping Transport";
    Journal of Physics: Condensed Matter, 18 (2006), S. 2013 - 2027.

  239. Autor/innen: Heinrich Kirchauer, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Kirchauer, S. Selberherr:
    "Rigorous Three-Dimensional Photoresist Exposure and Development Simulation over Nonplanar Topography";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 16 (1997), 12; S. 1431 - 1438.

    Zusätzliche Informationen

  240. Autor/innen: Heinrich Kirchauer, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Kirchauer, S. Selberherr:
    "Three-Dimensional Photolithography Simulation";
    IEEE Journal of Technology Computer Aided Design, 1 (1997), 6.

    Zusätzliche Informationen

  241. Autor/innen: Martin Knaipp, E360; Werner Kanert; Siegfried Selberherr, E360

    M. Knaipp, W. Kanert, S. Selberherr:
    "Hydrodynamic Modeling of Avalanche Breakdown in a Gate Overvoltage Protection Structure";
    Solid-State Electronics, 44 (2000), 7; S. 1135 - 1143.

    Zusätzliche Informationen

  242. Autor/innen: Christian Köpf, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    C. Köpf, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Physical Models for Strained and Relaxed GaInAs Alloys: Band Structure and Low-Field Transport";
    Solid-State Electronics, 41 (1997), 8; S. 1139 - 1152.

    Zusätzliche Informationen

  243. Autor/innen: Robert Kosik, E360; Peter Fleischmann, E360; Bernhard Haindl, E384; P. Pietra; Siegfried Selberherr, E360

    R. Kosik, P. Fleischmann, B. Haindl, P. Pietra, S. Selberherr:
    "On the Interplay Between Meshing and Discretization in Three-Dimensional Diffusion Simulation";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 19 (2000), 11; S. 1233 - 1240.

    Zusätzliche Informationen

  244. Autor/in: Hans Kosina, E360

    H. Kosina:
    "A Method to Reduce Small-Angle Scattering in Monte Carlo Device Analysis";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 46 (1999), 6; S. 1196 - 1200.

  245. Autor/in: Hans Kosina, E360

    H. Kosina:
    "Efficient Evaluation of Ionized-Impurity Scattering in Monte Carlo Transport Calculations";
    Physica Status Solidi A, 163 (1997), 2; S. 475 - 489.

  246. Autor/in: Hans Kosina, E360

    H. Kosina:
    "Nanoelectronic Device Simulation Based on the Wigner Function Formalism";
    International Journal of High Speed Electronics and Systems, 17 (2007), 3; S. 475 - 484.

  247. Autor/in: Hans Kosina, E360

    H. Kosina:
    "Wigner function approach to nano device simulation";
    International Journal of Computational Science and Engineering, 2 (2006), 3/4; S. 100 - 118.

  248. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Markus Gritsch, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360; T. Linton; S. Yu; M. Giles

    H. Kosina, M. Gritsch, T. Grasser, S. Selberherr, T. Linton, S. Yu, M. Giles:
    "An Improved Energy Transport Model Suitable for Simulation of Partially Depleted SOI MOSFETs";
    Journal of Computational Electronics, 1 (2002), 3; S. 371 - 374.

    Zusätzliche Informationen

  249. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Manfred Harrer

    H. Kosina, M. Harrer:
    "A Hot-Hole Transport Model Based on Spherical Harmonics Expansion of the Anisotropic Bandstructure";
    VLSI Design, 6 (1998), 1-4; S. 205 - 208.

    Zusätzliche Informationen

  250. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Goran Kaiblinger-Grujin, E360

    H. Kosina, G. Kaiblinger-Grujin:
    "Ionized-Impurity Scattering of Majority Electrons in Silicon";
    Solid-State Electronics, 42 (1998), 3; S. 331 - 338.

    Zusätzliche Informationen

  251. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Erasmus Langer, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Kosina, E. Langer, S. Selberherr:
    "Device Modelling for the 1990s";
    Microelectronics Journal (eingeladen), 26 (1995), 2-3; S. 217 - 233.

    Zusätzliche Informationen

  252. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Mihail Nedjalkov; Siegfried Selberherr, E360

    H. Kosina, M Nedjalkov, S. Selberherr:
    "Solution of the Space-dependent Wigner Equation Using a Particle Model";
    Monte Carlo Methods and Applications, 10 (2004), 3-4; S. 359 - 368.

    Zusätzliche Informationen

  253. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Mihail Nedjalkov, E360

    H. Kosina, M. Nedjalkov:
    "Particle Models for Device Simulation";
    International Journal of High Speed Electronics and Systems (eingeladen), 13 (2003), 13; S. 727 - 769.

  254. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Mihail Nedjalkov, E360

    H. Kosina, M. Nedjalkov:
    "The Monte Carlo Method for Semi-Classical Charge Transport in Semiconductor Devices";
    Mathematics and Computers in Simulation, 55 (2001), S. 93 - 102.

  255. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Kosina, M. Nedjalkov, S. Selberherr:
    "A Monte Carlo Method for Small Signal Analysis of the Boltzmann Equation";
    Journal of Applied Physics, 87 (2000), 9; S. 4308 - 4314.

    Zusätzliche Informationen

  256. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Kosina, M. Nedjalkov, S. Selberherr:
    "A Monte Carlo Method Seamlessly Linking Quantum and Classical Transport Calculations";
    Journal of Computational Electronics, 2 (2003), 2-4; S. 147 - 151.

    Zusätzliche Informationen

  257. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Kosina, M. Nedjalkov, S. Selberherr:
    "An Event Bias Technique for Monte Carlo Device Simulation";
    Mathematics and Computers in Simulation, 62 (2003), 3-6; S. 367 - 375.

    Zusätzliche Informationen

  258. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Kosina, M. Nedjalkov, S. Selberherr:
    "The Stationary Monte Carlo Method for Device Simulation. I. Theory";
    Journal of Applied Physics, 93 (2003), 6; S. 3553 - 3563.

    Zusätzliche Informationen

  259. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Kosina, M. Nedjalkov, S. Selberherr:
    "Theory of the Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 47 (2000), 10; S. 1898 - 1908.

    Zusätzliche Informationen

  260. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Kosina, S. Selberherr:
    "A Hybrid Device Simulator that Combines Monte Carlo and Drift-Diffusion Analysis";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 13 (1994), 2; S. 201 - 210.

    Zusätzliche Informationen

  261. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Kosina, S. Selberherr:
    "Coupling of Monte Carlo and Drift Diffusion Method with Applications to Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors";
    Japanese Journal of Applied Physics, 29 (1990), 12; S. L2283 - L2285.

    Zusätzliche Informationen

  262. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Kosina, S. Selberherr:
    "Device Simulation Demands of Upcoming Microelectronic Devices";
    International Journal of High Speed Electronics and Systems, 16 (2006), 1; S. 115 - 136.

    Zusätzliche Informationen

  263. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Christian Troger, E360

    H. Kosina, C. Troger:
    "SPIN - A Schrödinger-Poisson Solver Including Nonparabolic Bands";
    VLSI Design, 8 (1998), 1-4; S. 489 - 493.

    Zusätzliche Informationen

  264. Autor/innen: Tejas Krishnamohan; C. Jungemann; Donghyun Kim; Stephan Enzo Ungersböck, E360; Siegfried Selberherr, E360; A.-T Pham; Bernd Meinerzhagen; Philip Wong; Y Nishida; Krishna Saraswat

    T. Krishnamohan, C. Jungemann, D. Kim, E. Ungersböck, S. Selberherr, A.-T Pham, B. Meinerzhagen, P. Wong, Y. Nishida, K. Saraswat:
    "High Performance, Uniaxially-Strained, Silicon and Germanium, Double-Gate p-MOSFETs";
    Microelectronic Engineering, 84 (2007), 9-10; S. 2063 - 2066.

    Zusätzliche Informationen

  265. Autor/innen: J. Kuzmik; Milan Tapajna; Lukas Válik; Marian Molnar, E360; D Donoval; Clement Fleury, E362; Dionyz Pogany, E362; Gottfried Strasser, E362; O Hilt; Frank Brunner; Joachim Würfl

    J. Kuzmik, M. Tapajna, L. Válik, M. Molnar, D. Donoval, C. Fleury, D. Pogany, G. Strasser, O. Hilt, F. Brunner, J. Würfl:
    "Self-Heating in GaN Transistors Designed for High-Power Operation";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 61 (2014), 10; S. 3429 - 3434.

    Zusätzliche Informationen

  266. Autor/innen: Jan Kuzmik, E362; Stanislav Vitanov, E360; C Dua; Jean-François Carlin; Clemens Ostermaier, E362; Alexander Alexewicz, E362; Gottfried Strasser, E362; Dionyz Pogany, E362; Erich Gornik, E362; Nicolas Grandjean; S.L. Delage; Vassil Palankovski, E360

    J. Kuzmik, S. Vitanov, C. Dua, J. Carlin, C. Ostermaier, A. Alexewicz, G. Strasser, D. Pogany, E. Gornik, N. Grandjean, S. Delage, V. Palankovski:
    "Buffer-Related Degradation Aspects of Single and Double-Heterostructure Quantum Well InAlN/GaN High-Electron-Mobility Transistors";
    Japanese Journal of Applied Physics, 51 (2012), S. 054102-1 - 054102-5.

    Zusätzliche Informationen

  267. Autor/in: Erasmus Langer, E360

    E. Langer:
    "Fundamental Analysis of Surface Acoustic Wave Propagation";
    Archiv für Elektronik und Übertragungstechnik, 44 (1990), 3; S. 225 - 232.

  268. Autor/in: Erasmus Langer, E360

    E. Langer:
    "Fundamental Analysis of Surface Acoustic Wave Propagation";
    International Journal of Engineering Science, 29 (1991), 3; S. 331 - 343.

  269. Autor/in: Erasmus Langer, E360

    E. Langer:
    "Special Issue on "Semiconductor devices and electronic circuit design"";
    Electrosoft, 1 (1990), 4.

  270. Autor/innen: Erasmus Langer, E360; Siegfried Selberherr, E360; H. Mader

    E. Langer, S. Selberherr, H. Mader:
    "A Numerical Analysis of Bulk-Barrier Diodes";
    Solid-State Electronics, 25 (1982), 4; S. 317 - 324.

    Zusätzliche Informationen

  271. Autor/innen: Erasmus Langer, E360; Siegfried Selberherr, E360; H. Mader

    E. Langer, S. Selberherr, H. Mader:
    "Numerische Analyse der Bulk-Barrier Diode";
    Archiv für Elektronik und Übertragungstechnik, 36 (1982), 2; S. 86 - 91.

  272. Autor/innen: Erasmus Langer, E360; Siegfried Selberherr, E360; Peter A. Markowich; Ch. Ringhofer

    E. Langer, S. Selberherr, P. Markowich, Ch. Ringhofer:
    "Numerical Analysis of Acoustic Wave Generation in Anisotropic Piezoelectric Materials";
    Sensors and Actuators, 4 (1983), 1; S. 71 - 76.

    Zusätzliche Informationen

  273. Autor/innen: Ernst Leitner, E360; Siegfried Selberherr, E360

    E. Leitner, S. Selberherr:
    "Mixed-Element Decomposition Method for Three-Dimensional Grid Adaptation";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 17 (1998), 7; S. 561 - 572.

    Zusätzliche Informationen

  274. Autor/innen: P. M. Lenahan; B. Knowlton; J. F. Conley; B. Tonti; J. Suehle; Klaus-Tibor Grasser, E360

    P. Lenahan, B. Knowlton, J. Conley, B. Tonti, J. Suehle, T. Grasser:
    "Introduction to the Special Issue on the 2007 International Integrated Reliability Workshop";
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 8 (2008), 3; S. 490.

  275. Autor/innen: Ling Li, E360; Gregor Meller, E360; Hans Kosina, E360

    L. Li, G. Meller, H. Kosina:
    "Analytical Conductivity Model for Doped Organic Semiconductors";
    Journal of Applied Physics, 101 (2007), 033716; S. 1 - 4.

  276. Autor/innen: Ling Li, E360; Gregor Meller, E360; Hans Kosina, E360

    L. Li, G. Meller, H. Kosina:
    "Carrier Concentration Dependence of the Mobility in Organic Semiconductors";
    Synthetic Metals, 157 (2007), S. 243 - 246.

  277. Autor/innen: Ling Li, E360; Gregor Meller, E360; Hans Kosina, E360

    L. Li, G. Meller, H. Kosina:
    "Diffusion-Controlled Charge Injection Model for Organic Light-Emitting Diodes";
    Applied Physics Letters, 91 (2007), 17; S. 1 - 3.

    Zusätzliche Informationen

  278. Autor/innen: Ling Li, E360; Gregor Meller, E360; Hans Kosina, E360

    L. Li, G. Meller, H. Kosina:
    "Influence of Traps on Charge Transport in Organic Semiconductors";
    Solid-State Electronics, 51 (2007), S. 445 - 448.

  279. Autor/innen: Ling Li, E360; Gregor Meller, E360; Hans Kosina, E360

    L. Li, G. Meller, H. Kosina:
    "Temperature and Field-Dependence of Hopping Conduction in Organic Semiconductors";
    Microelectronics Journal, 38 (2006), 1; S. 47 - 51.

  280. Autor/innen: J. Lorenz; E. Bär; T. Clees; P. Evanschitzky; Roland Jancke; C. Kampen; U. Paschen; C. Salzig; Siegfried Selberherr, E360

    J. Lorenz, E. Bär, T. Clees, P. Evanschitzky, R. Jancke, C. Kampen, U. Paschen, C. Salzig, S. Selberherr:
    "Hierarchical Simulation of Process Variations and their Impact on Circuits and Systems: Results";
    IEEE Transactions on Electron Devices (eingeladen), 58 (2011), 8; S. 2227 - 2234.

    Zusätzliche Informationen

  281. Autor/innen: J. Lorenz; E. Bär; T. Clees; Roland Jancke; C. Salzig; Siegfried Selberherr, E360

    J. Lorenz, E. Bär, T. Clees, R. Jancke, C. Salzig, S. Selberherr:
    "Hierarchical Simulation of Process Variations and their Impact on Circuits and Systems: Methodology";
    IEEE Transactions on Electron Devices (eingeladen), 58 (2011), 8; S. 2218 - 2226.

    Zusätzliche Informationen

  282. Autor/innen: Bruno Lorenzi; Dario Narducci; R. Tonini; Stefano Frabboni; Gian Carlo Gazzadi; G. Ottaviani; Neophytos Neophytou, E360; Xanthippe Zianni

    B. Lorenzi, D. Narducci, R. Tonini, S. Frabboni, G. Gazzadi, G. Ottaviani, N. Neophytou, X. Zianni:
    "Paradoxical Enhancement of the Power Factor of Polycrystalline Silicon as a Result of the Formation of Nanovoids";
    Journal of Electronic Materials, 43 (2014), 10; S. 3812 - 3816.

    Zusätzliche Informationen

  283. Autor/innen: Alois Lugstein, E362; Mathias Steinmair; Andreas Steiger-Thirsfeld, E362; Hans Kosina, E360; Emmerich Bertagnolli, E362

    A. Lugstein, M. Steinmair, A. Steiger-Thirsfeld, H. Kosina, E. Bertagnolli:
    "Anomalous Piezoresistance Effect in Ultrastrained Silicon Nanowires";
    Nano Letters, 10 (2010), S. 3204 - 3208.

  284. Autor/innen: J. Machek; Siegfried Selberherr, E360

    J. Machek, S. Selberherr:
    "A Novel Finite Element Approach to Device Modelling";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 30 (1983), 9; S. 1083 - 1092.

    Zusätzliche Informationen

  285. Autor/innen: Hiwa Mahmoudi, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Mahmoudi, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Influence of Geometry on the Memristive Behavior of Domain Wall Spintronic Memristors and its Applications for Measurement";
    Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, 26 (2013), 5; S. 1745 - 1749.

    Zusätzliche Informationen

  286. Autor/innen: Hiwa Mahmoudi, E360; Thomas Windbacher, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Mahmoudi, T. Windbacher, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Implication Logic Gates Using Spin-Transfer-Torque-Operated Magnetic Tunnel Junctions for Intrinsic Logic-In-Memory";
    Solid-State Electronics, 84 (2013), S. 191 - 197.

    Zusätzliche Informationen

  287. Autor/innen: Hiwa Mahmoudi, E360; Thomas Windbacher, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Mahmoudi, T. Windbacher, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Reliability Analysis and Comparison of Implication and Reprogrammable Logic Gates in Magnetic Tunnel Junction Logic Circuits";
    IEEE Transactions on Magnetics, 49 (2013), 12; S. 5620 - 5628.

    Zusätzliche Informationen

  288. Autor/innen: Hiwa Mahmoudi, E360; Thomas Windbacher, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Mahmoudi, T. Windbacher, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Reliability-Based Optimization of Spin-Transfer Torque Magnetic Tunnel Junction Implication Logic Gates";
    Advanced Materials Research - Print/CD, 854 (2014), S. 89 - 95.

    Zusätzliche Informationen

  289. Autor/innen: Alexander Makarov, E360; Viktor Sverdlov, E360; Dimitry Osintsev, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Makarov, V. Sverdlov, D. Osintsev, S. Selberherr:
    "Fast Switching in Magnetic Tunnel Junctions With Two Pinned Layers: Micromagnetic Modeling";
    IEEE Transactions on Magnetics, 48 (2012), 4; S. 1289 - 1292.

    Zusätzliche Informationen

  290. Autor/innen: Alexander Makarov, E360; Viktor Sverdlov, E360; Dimitry Osintsev, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Makarov, V. Sverdlov, D. Osintsev, S. Selberherr:
    "Reduction of Switching Time in Pentalayer Magnetic Tunnel Junctions with a Composite-Free Layer";
    Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, 5 (2011), 12; S. 420 - 422.

    Zusätzliche Informationen

  291. Autor/innen: Alexander Makarov, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Makarov, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Emerging Memory Technologies: Trends, Challenges, and Modeling Methods";
    Microelectronics Reliability (eingeladen), 52 (2012), 4; S. 628 - 634.

    Zusätzliche Informationen

  292. Autor/innen: Alexander Makarov, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Makarov, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Progress in Magnetoresistive Memory: Magnetic Tunnel Junctions with a Composite Free Layer";
    International Journal of High Speed Electronics and Systems (eingeladen), 23 (2014), 3&4; S. 1450014-1 - 1450014-15.

    Zusätzliche Informationen

  293. Autor/innen: Alexander Makarov, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Makarov, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Stochastic Model of the Resistive Switching Mechanism in Bipolar Resistive Random Access Memory: Monte Carlo Simulations";
    Journal of Vacuum Science & Technology B, 29 (2011), 1; S. 01AD03-1 - 01AD03-5.

    Zusätzliche Informationen

  294. Autor/innen: Alexander Makarov, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Makarov, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Stochastic Modeling of Bipolar Resistive Switching in Metal-Oxide based Memory by Monte Carlo Technique";
    Journal of Computational Electronics, 9 (2010), 3-4; S. 146 - 152.

    Zusätzliche Informationen

  295. Autor/innen: Alexander Makarov, E360; Thomas Windbacher, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Makarov, T. Windbacher, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "CMOS-Compatible Spintronic Devices: A Review";
    Semiconductor Science and Technology (eingeladen), 31 (2016), 11; S. 113006-1 - 113006-25.

    Zusätzliche Informationen

  296. Autor/innen: Negin Manavizadeh; Farshid Raissi; E.A. Soleimani; Mahdi Pourfath, E360; Siegfried Selberherr, E360

    N. Manavizadeh, F. Raissi, E.A. Soleimani, M. Pourfath, S. Selberherr:
    "Performance Assessment of Nanoscale Field Effect Diodes";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 58 (2011), 8; S. 2378 - 2384.

    Zusätzliche Informationen

  297. Autor/innen: Paul Manstetten, E360; Lado Filipovic, E360; Andreas Hössinger; Josef Weinbub, E360; Siegfried Selberherr, E360

    P. Manstetten, L. Filipovic, A. Hössinger, J. Weinbub, S. Selberherr:
    "Framework to Model Neutral Particle Flux in Convex High Aspect Ratio Structures using One-Dimensional Radiosity";
    Solid-State Electronics (eingeladen), 128 (2017), 2; S. 141 - 147.

    Zusätzliche Informationen

  298. Autor/innen: Paul Manstetten, E360; Josef Weinbub, E360; Andreas Hössinger; Siegfried Selberherr, E360

    P. Manstetten, J. Weinbub, A. Hössinger, S. Selberherr:
    "Using Temporary Explicit Meshes for Direct Flux Calculation on Implicit Surfaces";
    Procedia Computer Science, 108 (2017), S. 245 - 254.

    Zusätzliche Informationen

  299. Autor/innen: Peter A. Markowich; Ch. Ringhofer; Erasmus Langer, E360; Siegfried Selberherr, E360

    P. Markowich, Ch. Ringhofer, E. Langer, S. Selberherr:
    "An Asymptotic Analysis of Single-Junction Semiconductor Devices";
    MRC Technical Summary Report, 2527 (1983), S. 1 - 62.

  300. Autor/innen: Peter A. Markowich; Ch. Ringhofer; Siegfried Selberherr, E360

    P. Markowich, Ch. Ringhofer, S. Selberherr:
    "A Singular Perturbation Approach for the Analysis of the Fundamental Semiconductor Devices";
    MRC Technical Summary Report, 2482 (1983), S. 1 - 50.

  301. Autor/innen: Peter A. Markowich; Ch. Ringhofer; Siegfried Selberherr, E360; Erasmus Langer, E360

    P. Markowich, Ch. Ringhofer, S. Selberherr, E. Langer:
    "A Singularly Perturbed Boundary Value Problem Modelling a Semiconductor Device";
    MRC Technical Summary Report, 2388 (1982), S. 1 - 57.

  302. Autor/innen: Peter A. Markowich; Ch. Ringhofer; Siegfried Selberherr, E360; M. Lentini

    P. Markowich, Ch. Ringhofer, S. Selberherr, M. Lentini:
    "A Singular Perturbation Approach for the Analysis of the Fundamental Semiconductor Equations";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 30 (1983), 9; S. 1165 - 1180.

    Zusätzliche Informationen

  303. Autor/innen: Peter A. Markowich; Siegfried Selberherr, E360

    P. Markowich, S. Selberherr:
    "A Singular Perturbation Analysis of the Fundamental Semiconductor Device Equations - Analysis and Numerical Experiments";
    Matematica Aplicada e Computacional, 3 (1984), 2; S. 131 - 156.

  304. Autor/innen: S. Maroldt; Dirk Wiegner; Stanislav Vitanov, E360; Vassil Palankovski, E360; Rüdiger Quay, E360; O. Ambacher

    S. Maroldt, D. Wiegner, S. Vitanov, V. Palankovski, R. Quay, O. Ambacher:
    "Efficient AlGaN/GaN Linear and Digital-Switch-Mode Power Amplifiers for Operation at 2 GHz";
    IEICE Transactions on Electronics, E93-C (2010), 8; S. 1238 - 1244.

  305. Autor/innen: K. Martens; Ben Kaczer; Klaus-Tibor Grasser, E360; B. De Jaeger; M. Meuris; H.E. Maes; G. Groeseneken

    K. Martens, B. Kaczer, T. Grasser, B. Jaeger, M. Meuris, H.E. Maes, G. Groeseneken:
    "Applicability of Charge Pumping on Germanium MOSFETs";
    IEEE Electron Device Letters, 29 (2008), 12; S. 1364 - 1366.

    Zusätzliche Informationen

  306. Autor/innen: Rui Martins, E360; Wolfgang Pyka, E360; Rainer Sabelka, E360; Siegfried Selberherr, E360

    R. Martins, W. Pyka, R. Sabelka, S. Selberherr:
    "High-Precision Interconnect Analysis";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 17 (1998), 11; S. 1148 - 1159.

    Zusätzliche Informationen

  307. Autor/innen: Rui Martins, E360; Siegfried Selberherr, E360; F. Vaz

    R. Martins, S. Selberherr, F. Vaz:
    "A CMOS IC for Portable EEG Acquisition Systems";
    IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, 47 (1998), 5; S. 1191 - 1196.

    Zusätzliche Informationen

  308. Autor/innen: Gregor Meller, E360; Ling Li, E360; Stefan Holzer, E360; Hans Kosina, E360

    G. Meller, L. Li, S. Holzer, H. Kosina:
    "Simulation of Carrier Injection and Propagation in Molecularly Disordered Systems";
    Optical and Quantum Electronics, 38 (2006), 12-14; S. 993 - 1004.

  309. Autor/innen: Jan-Frederik Mennemann, E101 - 1; Ansgar Jüngel, E101; Hans Kosina, E360

    J.-F. Mennemann, A. Jüngel, H. Kosina:
    "Transient Schrödinger-Poisson simulations of a high-frequency resonant tunneling diode oscillator";
    Journal of Computational Physics, 239 (2013), S. 187 - 205.

    Zusätzliche Informationen

  310. Autor/innen: Goran Milovanovic, E360; Oskar Baumgartner, E360; Hans Kosina, E360

    G. Milovanovic, O. Baumgartner, H. Kosina:
    "On Open Boundary Conditions for Quantum Cascade Structures";
    Optical and Quantum Electronics, 41 (2009), 11-13; S. 921 - 932.

    Zusätzliche Informationen

  311. Autor/innen: Goran Milovanovic, E360; Hans Kosina, E360

    G. Milovanovic, H. Kosina:
    "A Semiclassical Transport Model for Quantum Cascade Lasers based on the Pauli Master Equation";
    Journal of Computational Electronics, 9 (2010), 3-4; S. 211 - 217.

    Zusätzliche Informationen

  312. Autor/innen: Ali Mojibpour; Mahdi Pourfath, E360; Hans Kosina, E360

    A. Mojibpour, M. Pourfath, H. Kosina:
    "Optimization study of third harmonic generation in quantum cascade lasers";
    Optics Express, 22 (2014), 17; S. 20607 - 20612.

    Zusätzliche Informationen

  313. Autor/innen: Marian Molnar, E360; D Donoval; J. Kuzmik; J Marek; A Chvala; P. Pribytny; Vaclav Mikolasek, E182 - 1; K. Rendek; Vassil Palankovski, E360

    M. Molnar, D. Donoval, J. Kuzmik, J. Marek, A. Chvala, P. Pribytny, V. Mikolasek, K. Rendek, V. Palankovski:
    "Simulation Study of Interface Traps and Bulk Traps in n++GaN/InAlN/AlN/GaN High Electron Mobility Transistors";
    Applied Surface Science, 312 (2014), S. 157 - 161.

    Zusätzliche Informationen

  314. Autor/innen: Mahdi Moradinasab, E360; Hamed Nematian; Mahdi Pourfath, E360; M. Fathipour; Hans Kosina, E360

    M. Moradinasab, H. Nematian, M. Pourfath, M. Fathipour, H. Kosina:
    "Analytical Models of Approximations for Wave Functions and Energy Dispersion in Zigzag Graphene Nanoribbons";
    Journal of Applied Physics, 111 (2012), 7; S. 074318-1 - 074318-9.

    Zusätzliche Informationen

  315. Autor/innen: Mahdi Moradinasab, E360; Mahdi Pourfath, E360; M. Fathipour; Hans Kosina, E360

    M. Moradinasab, M. Pourfath, M. Fathipour, H. Kosina:
    "Numerical Study of Graphene Superlattice-Based Photodetectors";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 62 (2015), 2; S. 593 - 600.

    Zusätzliche Informationen

  316. Autor/innen: Mahdi Moradinasab, E360; Mahdi Pourfath, E360; Hans Kosina, E360

    M. Moradinasab, M. Pourfath, H. Kosina:
    "Performance Optimization and Instability Study in Ring Cavity Quantum Cascade Lasers";
    IEEE Journal of Quantum Electronics, 51 (2015), 1; S. 1 - 7.

    Zusätzliche Informationen

  317. Autor/innen: Masoud Movahhedi, E360; Abdolali Abdipour; Hajdin Ceric, E360; Alireza Sheikholeslami, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Movahhedi, A. Abdipour, H. Ceric, A. Sheikholeslami, S. Selberherr:
    "Optimization of the Perfectly Matched Layer for the Finite-Element Time-Domain Method";
    IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 17 (2007), 1; S. 10 - 12.

    Zusätzliche Informationen

  318. Autor/innen: Masoud Movahhedi, E360; Abdolali Abdipour; Alexandre Nentchev, E360; Mehdi Dehghan; Siegfried Selberherr, E360

    M. Movahhedi, A. Abdipour, A. Nentchev, M. Dehghan, S. Selberherr:
    "Alternating-Direction Implicit Formulation of the Finite-Element Time-Domain Method";
    IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 55 (2007), 6; S. 1322 - 1331.

    Zusätzliche Informationen

  319. Autor/innen: Mikio Mukai; Takaaki Tatsumi; N. Nakauchi; T. Kobayashi; K. Koyama; Y. Komatsu; Robert Bauer, E360; Gerhard Rieger, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Mukai, T. Tatsumi, N. Nakauchi, T. Kobayashi, K. Koyama, Y. Komatsu, R. Bauer, G. Rieger, S. Selberherr:
    "The Simulation System for Three-Dimensional Capacitance and Current Density Calculation with a User Friendly GUI";
    Technical Report of IEICE, 95 (1995), 223; S. 63 - 68.

  320. Autor/innen: Gerd Nanz, E360; Peter Dickinger, E360; Siegfried Selberherr, E360

    G. Nanz, P. Dickinger, S. Selberherr:
    "Calculation of Contact Currents in Device Simulation";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 11 (1992), 1; S. 128 - 136.

    Zusätzliche Informationen

  321. Autor/innen: Gerd Nanz, E360; Wolfgang Kausel, E360; Siegfried Selberherr, E360

    G. Nanz, W. Kausel, S. Selberherr:
    "Self-Adaptive Space and Time Grids in Device Simulation";
    International Journal for Numerical Methods in Engineering, 31 (1991), 7; S. 1357 - 1374.

    Zusätzliche Informationen

  322. Autor/innen: Dario Narducci; Bruno Lorenzi; Xanthippe Zianni; Neophytos Neophytou, E360; Stefano Frabboni; Gian Carlo Gazzadi; Alberto Roncaglia; Francesco Suriano

    D. Narducci, B. Lorenzi, X. Zianni, N. Neophytou, S. Frabboni, G. Gazzadi, A. Roncaglia, F. Suriano:
    "Enhancement of the power factor in two-phase silicon-boron nanocrystalline alloys";
    Physica Status Solidi A, 211 (2014), 6; S. 1255 - 1258.

    Zusätzliche Informationen

  323. Autor/innen: Sanaz Nazemi; Mahdi Pourfath, E360; Ebrahim Asl Soleimani; Hans Kosina, E360

    S. Nazemi, M. Pourfath, E. Soleimani, H. Kosina:
    "On the Role of Spatial Position of Bridged Oxygen Atoms as Surface Passivants on the Ground-State Gap and Photo-Absorption Spectrum of Silicon Nano-Crystals";
    Journal of Applied Physics, 118 (2015), 20; S. 205303-1 - 205303--6.

    Zusätzliche Informationen

  324. Autor/innen: Sanaz Nazemi; Mahdi Pourfath, E360; Ebrahim Asl Soleimani; Hans Kosina, E360

    S. Nazemi, M. Pourfath, E. Soleimani, H. Kosina:
    "The Effect of Oxide Shell Thickness on the Structural, Electronic, and Optical Properties of Si-SiO2 Core-Shell Nano-Crystals: A (Time Dependent)Density Functional Theory Study";
    Journal of Applied Physics, 114 (2016), 14; S. 144302-1 - 1444302-9.

    Zusätzliche Informationen

  325. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Shaikh Ahmed; Dragica Vasileska

    M. Nedjalkov, S. Ahmed, D. Vasileska:
    "A Self-Consistent Event Biasing Scheme for Statistical Enhancement";
    Journal of Computational Electronics, 3 (2004), 3-4; S. 305 - 309.

  326. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; E. Atanassov; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Nedjalkov, E. Atanassov, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Operator-Split Method for Variance Reduction in Stochastic Solutions for the Wigner Equation";
    Monte Carlo Methods and Applications, 10 (2004), 3-4; S. 461 - 468.

    Zusätzliche Informationen

  327. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Ivan Dimov; H. Haug

    M. Nedjalkov, I. Dimov, H. Haug:
    "Numerical Studies of the Markovian Limit of the Quantum Kinetics with Phonon Scattering";
    Physica Status Solidi B - Basic Solid State Physics, 209 (1998), 1; S. 109 - 121.

  328. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Nedjalkov, T. Grasser, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Transient Model for Terminal Current Noise";
    Applied Physics Letters, 80 (2002), 4; S. 607 - 609.

    Zusätzliche Informationen

  329. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Hans Kosina, E360

    M. Nedjalkov, H. Kosina:
    "Variance of the Ensemble Monte Carlo Algorithm for Semiconductor Transport Modeling";
    Mathematics and Computers in Simulation, 55 (2001), 1-3; S. 191 - 198.

  330. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Hans Kosina, E360; Robert Kosik, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Nedjalkov, H. Kosina, R. Kosik, S. Selberherr:
    "A Space Dependent Wigner Equation Including Phonon Interaction";
    Journal of Computational Electronics, 1 (2002), 1-2; S. 27 - 31.

    Zusätzliche Informationen

  331. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Hans Kosina, E360; Robert Kosik, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Nedjalkov, H. Kosina, R. Kosik, S. Selberherr:
    "A Wigner Equation with Quantum Electron-Phonon Interaction";
    Microelectronic Engineering, 63 (2002), 1-3; S. 199 - 203.

    Zusätzliche Informationen

  332. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Hans Kosina, E360; Philipp Schwaha, E360

    M. Nedjalkov, H. Kosina, P. Schwaha:
    "Device Modeling in the Wigner Picture";
    Journal of Computational Electronics, 9 (2010), 3-4; S. 218 - 223.

    Zusätzliche Informationen

  333. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Nedjalkov, H. Kosina, S. Selberherr:
    "A Monte-Carlo Method to Analyze the Small Signal Response of the Semiconductor Carriers";
    IEICE Transactions on Electronics, E83-C (2000), 8; S. 1218 - 1223.

  334. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Nedjalkov, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Monte Carlo Algorithms for Stationary Device Simulation";
    Mathematics and Computers in Simulation, 62 (2003), 3-6; S. 453 - 461.

    Zusätzliche Informationen

  335. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Nedjalkov, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Stochastic Interpretation of the Wigner Transport in Nanostructures";
    Microelectronics Journal, 34 (2003), 5-8; S. 443 - 445.

    Zusätzliche Informationen

  336. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Nedjalkov, H. Kosina, S. Selberherr:
    "The Stationary Monte Carlo Method for Device Simulation. II. Event Biasing and Variance Estimation";
    Journal of Applied Physics, 93 (2003), 6; S. 3564 - 3571.

    Zusätzliche Informationen

  337. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360; Ivan Dimov

    M. Nedjalkov, H. Kosina, S. Selberherr, I. Dimov:
    "A Backward Monte Carlo Method for Simulation of the Electron Quantum Kinetics in Semiconductors";
    VLSI Design, 13 (2001), 1-4; S. 405 - 411.

    Zusätzliche Informationen

  338. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360; Ch. Ringhofer; D.K. Ferry

    M. Nedjalkov, H. Kosina, S. Selberherr, Ch. Ringhofer, D.K. Ferry:
    "Unified Particle Approach to Wigner-Boltzmann Transport in Small Semiconductor Devices";
    Physical Review B, 70 (2004), 115319; S. 1 - 16.

    Zusätzliche Informationen

  339. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Hans Kosina, E360; Stephan Enzo Ungersböck, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Nedjalkov, H. Kosina, E. Ungersböck, S. Selberherr:
    "A Quasi-Particle Model of the Electron-Wigner Potential Interaction";
    Semiconductor Science and Technology, 19 (2004), 4; S. 226 - 228.

    Zusätzliche Informationen

  340. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Philipp Schwaha, E360; Siegfried Selberherr, E360; J. M. Sellier; Dragica Vasileska

    M. Nedjalkov, P. Schwaha, S. Selberherr, J. M. Sellier, D. Vasileska:
    "Wigner Quasi-Particle Attributes - An Asymptotic Perspective";
    Applied Physics Letters, 102 (2013), 16; S. 163113-1 - 163113-4.

    Zusätzliche Informationen

  341. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360; D.K. Ferry; Dragica Vasileska; P. Dollfus; D. Querlioz; Ivan Dimov; P. Schwaha

    M. Nedjalkov, S. Selberherr, D.K. Ferry, D. Vasileska, P. Dollfus, D. Querlioz, I. Dimov, P. Schwaha:
    "Physical Scales in the Wigner-Boltzmann Equation";
    Annals of Physics, 328 (2012), S. 220 - 237.

    Zusätzliche Informationen

  342. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Dragica Vasileska

    M. Nedjalkov, D. Vasileska:
    "Semi-Discrete 2D Wigner-Particle Approach";
    Journal of Computational Electronics, 7 (2008), 3; S. 222 - 225.

    Zusätzliche Informationen

  343. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Dragica Vasileska; E. Atanassov; Vassil Palankovski, E360

    M. Nedjalkov, D. Vasileska, E. Atanassov, V. Palankovski:
    "Ultrafast Wigner Transport in Quantum Wires";
    Journal of Computational Electronics, 6 (2007), S. 235 - 238.

    Zusätzliche Informationen

  344. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Dragica Vasileska; Ivan Dimov; G. Arsov

    M. Nedjalkov, D. Vasileska, I. Dimov, G. Arsov:
    "Mixed Initial-Boundary Value Problem in Particle Modeling of Microelectronic Devices";
    Monte Carlo Methods and Applications, 13 (2007), 4; S. 299 - 331.

    Zusätzliche Informationen

  345. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Dragica Vasileska; D.K. Ferry; C. Jacoboni; Ch. Ringhofer; Ivan Dimov; Vassil Palankovski, E360

    M. Nedjalkov, D. Vasileska, D.K. Ferry, C. Jacoboni, Ch. Ringhofer, I. Dimov, V. Palankovski:
    "Wigner Transport Models of the Electron-Phonon Kinetics in Quantum Wires";
    Physical Review B, 74 (2006), 3; S. 035311-1 - 035311-18.

    Zusätzliche Informationen

  346. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Josef Weinbub, E360; Paul Ellinghaus, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Nedjalkov, J. Weinbub, P. Ellinghaus, S. Selberherr:
    "The Wigner Equation in the Presence of Electromagnetic Potentials";
    Journal of Computational Electronics, 14 (2015), 4; S. 888 - 893.

    Zusätzliche Informationen

  347. Autor/innen: Hamed Nematian; Mahdi Moradinasab, E360; Mahdi Pourfath, E360; M. Fathipour; Hans Kosina, E360

    H. Nematian, M. Moradinasab, M. Pourfath, M. Fathipour, H. Kosina:
    "Optical Properties of Armchair Graphene Nanoribbons Embedded in Hexagonal Boron Nitride Lattices";
    Journal of Applied Physics, 111 (2012), S. 093512-1 - 093512-6.

    Zusätzliche Informationen

  348. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; Hossein Karamitaheri, E360; Hans Kosina, E360

    N. Neophytou, H. Karamitaheri, H. Kosina:
    "Atomistic calculations of the electronic, thermal, and thermoelectric properties of ultra-thin Si layers";
    Journal of Computational Electronics, 12 (2013), 4; S. 611 - 622.

    Zusätzliche Informationen

  349. Autor/innen: Neophytos Neophytou; Hossein Karamitaheri; Hans Kosina, E360

    N. Neophytou, H. Karamitaheri, H. Kosina:
    "Use of Field-Effect Density Modulation to Increase ZT for Si Nanowires: A Simulation Study";
    Journal of Electronic Materials, 44 (2015), 6; S. 1599 - 1605.

    Zusätzliche Informationen

  350. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; S.G. Kim; Gerhard Klimeck; Hans Kosina, E360

    N. Neophytou, S. Kim, G. Klimeck, H. Kosina:
    "On the Bandstructure Velocity and Ballistic Current of Ultra-Narrow Silicon Nanowire Transistors as a Function of Cross Section Size, Orientation, and Bias";
    Journal of Applied Physics, 107 (2010), S. 113701-1 - 113701-9.

  351. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; Gerhard Klimeck; Hans Kosina, E360

    N. Neophytou, G. Klimeck, H. Kosina:
    "Subband Engineering for P-Type Silicon Ultra-Thin Layers for Increased Carrier Velocities";
    Journal of Applied Physics, 109 (2011), S. 053721-1 - 053721-6.

    Zusätzliche Informationen

  352. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; Hans Kosina, E360

    N. Neophytou, H. Kosina:
    "Atomistic Simulations of Low-Field Mobility in Si Nanowires: Influence of Confinement and Orientation";
    Physical Review B, 84 (2011), S. 085313-1 - 085313-15.

    Zusätzliche Informationen

  353. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; Hans Kosina, E360

    N. Neophytou, H. Kosina:
    "Bias-Induced Hole Mobility Increase in Narrow [111] and [110] Si Nanowire Transistors";
    IEEE Electron Device Letters, 33 (2012), 5; S. 652 - 654.

    Zusätzliche Informationen

  354. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; Hans Kosina, E360

    N. Neophytou, H. Kosina:
    "Confinement-Induced Carrier Mobility Increase in Nanowires by Quantization of Warped Bands";
    Solid-State Electronics, 70 (2012), S. 81 - 91.

    Zusätzliche Informationen

  355. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; Hans Kosina, E360

    N. Neophytou, H. Kosina:
    "Effects of Confinement and Orientation on the Thermoelectric Power Factor of Silicon Nanowires";
    Physical Review B, 83 (2011), S. 245305-1 - 245305-16.

    Zusätzliche Informationen

  356. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; Hans Kosina, E360

    N. Neophytou, H. Kosina:
    "Gated Si nanowires for large thermoelectric power factors";
    Applied Physics Letters, 105 (2014), 7; S. 073119-1 - 5.

    Zusätzliche Informationen

  357. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; Hans Kosina, E360

    N. Neophytou, H. Kosina:
    "Hole Mobility Increase in Ultra-Narrow Si Channels under Strong (110) Surface Confinement";
    Applied Physics Letters, 99 (2011), S. 092110-1 - 092110-3.

    Zusätzliche Informationen

  358. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; Hans Kosina, E360

    N. Neophytou, H. Kosina:
    "Large Enhancement in Hole Velocity and Mobility in p-type [110] and [111] Silicon Nanowires by Cross Section Scaling: An Atomistic Analysis";
    Nano Letters, 10 (2010), S. 4913 - 4919.

    Zusätzliche Informationen

  359. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; Hans Kosina, E360

    N. Neophytou, H. Kosina:
    "Large Thermoelectric Power Factor in P-Type Si (110)/[110] Ultra-Thin-Layers Compared to Differently Oriented Channels";
    Journal of Applied Physics, 112 (2012), 2; S. 024305-1 - 024305-6.

    Zusätzliche Informationen

  360. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; Hans Kosina, E360

    N. Neophytou, H. Kosina:
    "Numerical Study of the Thermoelectric Power Factor in Ultra-Thin Si Nanowires";
    Journal of Computational Electronics (eingeladen), 11 (2012), 1; S. 29 - 44.

    Zusätzliche Informationen

  361. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; Hans Kosina, E360

    N. Neophytou, H. Kosina:
    "On the Interplay between Electrical Conductivity and Seebeck Coefficient in Ultra-Narrow Silicon Nanowires";
    Journal of Electronic Materials, 41 (2012), 6; S. 1305 - 1311.

    Zusätzliche Informationen

  362. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; Hans Kosina, E360

    N. Neophytou, H. Kosina:
    "Optimizing Thermoelectric Power Factor by Means of a Potential Barrier";
    Journal of Applied Physics, 114 (2013), S. 044315_1 - 044315-6.

    Zusätzliche Informationen

  363. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; Hans Kosina, E360

    N. Neophytou, H. Kosina:
    "Thermoelectric Properties of Ultra Scaled Silicon Nanowires Using the sp3d5s*-SO Atomistic Tight-Binding Model and Boltzmann Transport";
    Journal of Electronic Materials, 40 (2011), 5; S. 753 - 758.

    Zusätzliche Informationen

  364. Autor/innen: Neophytos Neophytou; Michael Thesberg, E360

    N. Neophytou, M. Thesberg:
    "Modulation Doping and Energy Filtering as Effective Ways to Improve the Thermoelectric Power Factor";
    Journal of Computational Electronics (eingeladen), 15 (2016), 1; S. 16 - 26.

    Zusätzliche Informationen

  365. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; Martin Wagner, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    N. Neophytou, M. Wagner, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Analysis of Thermoelectric Properties of Scaled Silicon Nanowires Using an Atomistic Tight-Binding Model";
    Journal of Electronic Materials, 39 (2010), 9; S. 1902 - 1908.

    Zusätzliche Informationen

  366. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; Xanthippe Zianni; Hans Kosina, E360; Stefano Frabboni; Bruno Lorenzi; Dario Narducci

    N. Neophytou, X. Zianni, H. Kosina, S. Frabboni, B. Lorenzi, D. Narducci:
    "Power factor enhancement by inhomogeneous distribution of dopants in two-phase nanocrystalline systems";
    Journal of Electronic Materials, 43 (2013), 6; S. 1896 - 1904.

    Zusätzliche Informationen

  367. Autor/innen: Neophytos Neophytou, E360; Xanthippe Zianni; Hans Kosina, E360; Stefano Frabboni; Bruno Lorenzi; Dario Narducci

    N. Neophytou, X. Zianni, H. Kosina, S. Frabboni, B. Lorenzi, D. Narducci:
    "Simultaneous Increase in Electrical Conductivity and Seebeck Coefficient in Highly Boron-Doped Nanocrystalline Si";
    Nanotechnology, 24 (2013), 20; S. 205402.

    Zusätzliche Informationen

  368. Autor/innen: M. Noei; Mahdi Moradinasab, E360; M. Fathipour

    M. Noei, M. Moradinasab, M. Fathipour:
    "A computational study of ballistic graphene nanoribbon field effect transistors";
    Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 44 (2012), 7-8; S. 1780 - 1786.

    Zusätzliche Informationen

  369. Autor/innen: H. Noll; Siegfried Selberherr, E360

    H. Noll, S. Selberherr:
    "Zur Entwicklung der Mikroelektronik";
    Telematik, 4 (1998), 1; S. 2 - 6.

  370. Autor/innen: J.O. Nylander; F. Masszi; Siegfried Selberherr, E360; S. Berg

    J.O. Nylander, F. Masszi, S. Selberherr, S. Berg:
    "Computer Simulations of Schottky Contacts with a Non-Constant Recombination Velocity";
    Solid-State Electronics, 32 (1989), 5; S. 363 - 367.

    Zusätzliche Informationen

  371. Autor/innen: Roberto Orio, E360; Hajdin Ceric, E360; Siegfried Selberherr, E360

    R. Orio, H. Ceric, S. Selberherr:
    "A Compact Model for Early Electromigration Failures of Copper Dual-Damascene Interconnects";
    Microelectronics Reliability, 51 (2011), S. 1573 - 1577.

    Zusätzliche Informationen

  372. Autor/innen: Roberto Orio, E360; Hajdin Ceric, E360; Siegfried Selberherr, E360

    R. Orio, H. Ceric, S. Selberherr:
    "Analysis of Electromigration in Dual-Damascene Interconnect Structures";
    Journal Integrated Circuits and Systems, 4 (2009), 2; S. 67 - 72.

  373. Autor/innen: Roberto Orio, E360; Hajdin Ceric, E360; Siegfried Selberherr, E360

    R. Orio, H. Ceric, S. Selberherr:
    "Effect of Strains on Anisotropic Material Transport in Copper Interconnect Structures under Electromigration Stress";
    Journal of Computational Electronics, 7 (2008), 3; S. 128 - 131.

    Zusätzliche Informationen

  374. Autor/innen: Roberto Orio, E360; Hajdin Ceric, E360; Siegfried Selberherr, E360

    R. Orio, H. Ceric, S. Selberherr:
    "Electromigration Failure in a Copper Dual-Damascene Structure with a Through Silicon Via";
    Microelectronics Reliability, 52 (2012), S. 1981 - 1986.

    Zusätzliche Informationen

  375. Autor/innen: Roberto Orio, E360; Hajdin Ceric, E360; Siegfried Selberherr, E360

    R. Orio, H. Ceric, S. Selberherr:
    "Physically based Models of Electromigration: From Black´s Equation to Modern TCAD Models";
    Microelectronics Reliability (eingeladen), 50 (2010), 6; S. 775 - 789.

    Zusätzliche Informationen

  376. Autor/innen: F. Ortmann; S. Roche; J. C. Greer; G. Huhs; T. Shulthess; T. Deutsch; P. Weinberger; M. Payne; J. M. Sellier; J. Sprekels; Josef Weinbub, E360; Karl Rupp, E360; Mihail Nedjalkov, E360; Dragica Vasileska; E. Alfi nito; L. Reggiani; D. Guerra; D.K. Ferry; M. Saraniti; S.M. Goodnick; A. Kloes; L. Colombo; K. Lilja; J. Mateos; T. Gonzalez; E. Velazquez; P Palestri; A. Schenk; M. Macucci

    F. Ortmann, S. Roche, J. C. Greer, G. Huhs, T. Shulthess, T. Deutsch, P. Weinberger, M. Payne, J. M. Sellier, J. Sprekels, J. Weinbub, K. Rupp, M. Nedjalkov, D. Vasileska, E. Alfi nito, L. Reggiani, D. Guerra, D.K. Ferry, M. Saraniti, S.M. Goodnick, A. Kloes, L. Colombo, K. Lilja, J. Mateos, T. Gonzalez, E. Velazquez, P. Palestri, A. Schenk, M. Macucci:
    "Multi-Scale Modelling for Devices and Circuits";
    E-Nano Newsletter, Special Issue April 2012 (2012), 31 S.

  377. Autor/innen: Dimitry Osintsev, E360; Oskar Baumgartner, E360; Zlatan Stanojevic; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    D. Osintsev, O. Baumgartner, Z. Stanojevic, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Subband Splitting and Surface Roughness Induced Spin Relaxation in (001) Silicon SOI MOSFETs";
    Solid-State Electronics, 90 (2013), S. 34 - 38.

    Zusätzliche Informationen

  378. Autor/innen: Dimitry Osintsev, E360; Viktor Sverdlov, E360; Alexander Makarov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    D. Osintsev, V. Sverdlov, A. Makarov, S. Selberherr:
    "Current and Conductance Modulation at Elevated Temperature in Silicon and InAs-based Spin Field-Effect Transistors";
    Sains Malaysiana, 42 (2013), 2; S. 205 - 211.

  379. Autor/innen: Dimitry Osintsev, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    D. Osintsev, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Acoustic Phonon and Surface Roughness Spin Relaxation Mechanisms in Strained Ultra-Scaled Silicon Films";
    Advanced Materials Research - Print/CD, 854 (2014), S. 29 - 34.

    Zusätzliche Informationen

  380. Autor/innen: Dimitry Osintsev, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    D. Osintsev, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Electron Mobility and Spin Lifetime Enhancement in Strained Ultra-Thin Silicon Films";
    Solid-State Electronics, 112 (2015), S. 46 - 50.

    Zusätzliche Informationen

  381. Autor/innen: Dimitry Osintsev, E360; Viktor Sverdlov, E360; Zlatan Stanojevic; Alexander Makarov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    D. Osintsev, V. Sverdlov, Z. Stanojevic, A. Makarov, S. Selberherr:
    "Temperature Dependence of the Transport Properties of Spin Field-Effect Transistors Built with InAs and Si Channels";
    Solid-State Electronics, 71 (2012), S. 25 - 29.

    Zusätzliche Informationen

  382. Autor/innen: C Ostermaier; Peter Willibald Lagger; G. Prechtl; Alexander Grill, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Dionyz Pogany, E362

    C. Ostermaier, P. Lagger, G. Prechtl, A. Grill, T. Grasser, D. Pogany:
    "Dynamics of carrier transport via AlGaN barrier in AlGaN/GaN MIS-HEMTs";
    Applied Physics Letters, 110 (2017), 173502; S. 1 - 4.

  383. Autor/innen: Vassil Palankovski, E360; N. Belova; Klaus-Tibor Grasser, E360; Helmut Puchner, E360; Sheldon Aronowitz; Siegfried Selberherr, E360

    V. Palankovski, N. Belova, T. Grasser, H. Puchner, S. Aronowitz, S. Selberherr:
    "A Methodology for Deep Sub-0.25µm CMOS Technology Prediction";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 48 (2001), 10; S. 2331 - 2336.

    Zusätzliche Informationen

  384. Autor/innen: Vassil Palankovski, E360; Goran Kaiblinger-Grujin, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Palankovski, G. Kaiblinger-Grujin, S. Selberherr:
    "Study of Dopant-Dependent Band Gap Narrowing in Compound Semiconductor Devices";
    Materials Science and Engineering B, 66 (1999), 1-3; S. 46 - 49.

    Zusätzliche Informationen

  385. Autor/innen: Vassil Palankovski, E360; Rüdiger Quay, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Palankovski, R. Quay, S. Selberherr:
    "Industrial Application of Heterostructure Device Simulation";
    IEEE Journal of Solid-State Circuits (eingeladen), 36 (2001), 9; S. 1365 - 1370.

    Zusätzliche Informationen

  386. Autor/innen: Vassil Palankovski, E360; G. Röhrer; Klaus-Tibor Grasser, E360; Sergey Smirnov, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Palankovski, G. Röhrer, T. Grasser, S. Smirnov, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Rigorous Modeling Approach to Numerical Simulation of SiGe HBTs";
    Applied Surface Science, 224 (2004), 1-4; S. 361 - 364.

    Zusätzliche Informationen

  387. Autor/innen: Vassil Palankovski, E360; R. Schultheis; A. Bonacina; Siegfried Selberherr, E360

    V. Palankovski, R. Schultheis, A. Bonacina, S. Selberherr:
    "Effectiveness of Silicon Nitride Passivation in III-V Based Heterojunction Bipolar Transistors";
    Radiation Effects and Defects in Solids, 156 (2001), 1-4; S. 261 - 265.

    Zusätzliche Informationen

  388. Autor/innen: Vassil Palankovski, E360; R. Schultheis; Siegfried Selberherr, E360

    V. Palankovski, R. Schultheis, S. Selberherr:
    "Simulation of Power Heterojunction Bipolar Transistors on Gallium Arsenide";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 48 (2001), 6; S. 1264 - 1269.

    Zusätzliche Informationen

  389. Autor/innen: Vassil Palankovski, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Palankovski, S. Selberherr:
    "Critical Modeling Issues of SiGe Semiconductor Devices";
    Journal of Telecommunications and Information Technology (eingeladen), 4 (2004), 1; S. 15 - 25.

    Zusätzliche Informationen

  390. Autor/innen: Vassil Palankovski, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Palankovski, S. Selberherr:
    "Micro Materials Modeling in MINIMOS-NT";
    Microsystem Technologies - Micro- and Nanosystems - Information Storage and Processing Systems, 7 (2001), 4; S. 183 - 187.

    Zusätzliche Informationen

  391. Autor/innen: Vassil Palankovski, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Palankovski, S. Selberherr:
    "Rigorous Modeling of High-Speed Semiconductor Devices";
    Microelectronics Reliability (eingeladen), 44 (2004), 6; S. 889 - 897.

    Zusätzliche Informationen

  392. Autor/innen: Vassil Palankovski, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Palankovski, S. Selberherr:
    "The State-of-the-Art in Simulation for Optimization of SiGe-HBTs";
    Applied Surface Science, 224 (2004), 1-4; S. 312 - 319.

    Zusätzliche Informationen

  393. Autor/innen: Vassil Palankovski, E360; Sergey Vainshtein; Valentin Yuferev; Juha Kostamovaara; Vladimir Egorkin

    V. Palankovski, S. Vainshtein, V. Yuferev, J. Kostamovaara, V. Egorkin:
    "Effect of Hot-Carrier Energy Relaxation on Main Properties of Collapsing Field Domains in Avalanching GaAs";
    Applied Physics Letters, 106 (2015), 18; S. 183505-1 - 183505-5.

    Zusätzliche Informationen

  394. Autor/innen: P Palestri; N Barin; D Brunel; C Busseret; A Campera; P Childs; F Driussi; C. Fiegna; G Fiori; R Gusmeroli; G Iannaccone; Markus Karner, E360; Hans Kosina, E360; Erasmus Langer, E360; C Majkusiak; C Monzio Compagnoni; A Poncet; E. Sangiorgi; L Selmi; A Spinelli; J Walczak

    P. Palestri, N. Barin, D. Brunel, C. Busseret, A. Campera, P. Childs, F. Driussi, C. Fiegna, G. Fiori, R. Gusmeroli, G. Iannaccone, M. Karner, H. Kosina, E. Langer, C. Majkusiak, C. Monzio Compagnoni, A. Poncet, E. Sangiorgi, L. Selmi, A. Spinelli, J. Walczak:
    "Comparison of Modeling Approaches for the Capacitance-Voltage and Current-Voltage Characteristics of Advanced Gate Stacks";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 54 (2007), 1; S. 106 - 114.

  395. Autor/innen: Santo Papaleo, E360; Wolfhard Zisser, E360; Anderson P. Singulani; Hajdin Ceric, E360; Siegfried Selberherr, E360

    S. Papaleo, W. H. Zisser, A.P. Singulani, H. Ceric, S. Selberherr:
    "Stress Evolution During Nanoindentation in Open TSVs";
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 16 (2016), 4; S. 470 - 474.

    Zusätzliche Informationen

  396. Autor/innen: Jong Mun Park, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    J.M. Park, T. Grasser, H. Kosina, S. Selberherr:
    "A Numerical Study of Partial-SOI LDMOSFETs";
    Solid-State Electronics, 47 (2003), 2; S. 275 - 281.

    Zusätzliche Informationen

  397. Autor/innen: Jong Mun Park, E360; Robert Klima, E360; Siegfried Selberherr, E360

    J.M. Park, R. Klima, S. Selberherr:
    "High-Voltage Lateral Trench Gate SOI-LDMOSFETs";
    Microelectronics Journal, 35 (2004), 3; S. 299 - 304.

    Zusätzliche Informationen

  398. Autor/innen: Jong Mun Park, E360; Stephan Wagner, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    J.M. Park, S. Wagner, T. Grasser, S. Selberherr:
    "New SOI Lateral Power Devices with Trench Oxide";
    Solid-State Electronics, 48 (2004), 6; S. 1007 - 1015.

    Zusätzliche Informationen

  399. Autor/innen: Christoph Pichler, E360; Richard Plasun, E360; Rudolf Strasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    C. Pichler, R. Plasun, R. Strasser, S. Selberherr:
    "High-Level TCAD Task Representation and Automation";
    IEEE Journal of Technology Computer Aided Design, 1 (1997), 5.

    Zusätzliche Informationen

  400. Autor/innen: Christoph Pichler, E360; Richard Plasun, E360; Rudolf Strasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    C. Pichler, R. Plasun, R. Strasser, S. Selberherr:
    "Simulation of Complete VLSI Fabrication Processes with Heterogeneous Simulation Tools";
    IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 12 (1999), 1; S. 76 - 86.

    Zusätzliche Informationen

  401. Autor/innen: P. Pichler, E366; Werner Jüngling, E360; Siegfried Selberherr, E360; E. Guerrero; Hans Pötzl, E366

    P. Pichler, W. Jüngling, S. Selberherr, E. Guerrero, H. Pötzl:
    "Simulation of Critical IC-Fabrication Steps";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 4 (1985), 4; S. 384 - 397.

    Zusätzliche Informationen

  402. Autor/innen: P. Pichler, E366; Werner Jüngling, E360; Siegfried Selberherr, E360; E. Guerrero; Hans Pötzl, E366

    P. Pichler, W. Jüngling, S. Selberherr, E. Guerrero, H. Pötzl:
    "Simulation of Critical IC-Fabrication Steps";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 32 (1985), 10; S. 1940 - 1953.

    Zusätzliche Informationen

  403. Autor/innen: P. Pichler, E366; Werner Jüngling, E360; Siegfried Selberherr, E360; Hans Pötzl, E366

    P. Pichler, W. Jüngling, S. Selberherr, H. Pötzl:
    "Two-Dimensional Coupled Diffusion Modeling";
    Physica B: Condensed Matter, 129 (1985), 1-3; S. 187 - 191.

    Zusätzliche Informationen

  404. Autor/innen: Richard Plasun, E360; Michael Stockinger, E360; Siegfried Selberherr, E360

    R. Plasun, M. Stockinger, S. Selberherr:
    "Integrated Optimization Capabilities in the VISTA Technology CAD Framework";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 17 (1998), 12; S. 1244 - 1251.

    Zusätzliche Informationen

  405. Autor/innen: G. Pobegen; T. Aichinger; Klaus-Tibor Grasser, E360; M. Nelhiebel

    G. Pobegen, T. Aichinger, T. Grasser, M. Nelhiebel:
    "Impact of Gate Poly Doping and Oxide Thickness on the N- and PBTI in MOSFETs";
    Microelectronics Reliability, 51 (2011), S. 1530 - 1534.

    Zusätzliche Informationen

  406. Autor/innen: Gregor Pobegen; T. Aichinger; Alberto Salinaro; Klaus-Tibor Grasser, E360

    G. Pobegen, T. Aichinger, A. Salinaro, T. Grasser:
    "Impact of Hot Carrier Degradation and Positive Bias Temperature Stress on Lateral 4H-SiC nMOSFETs";
    Materials Science Forum, 778-780 (2014), S. 959 - 962.

    Zusätzliche Informationen

  407. Autor/innen: Gregor Pobegen; Klaus-Tibor Grasser, E360

    G. Pobegen, T. Grasser:
    "Efficient Characterization of Threshold Voltage Instabilities in SiC nMOSFETs Using the Concept of Capture-Emission-Time Maps";
    Materials Science Forum, 740-742 (2013), S. 757 - 760.

    Zusätzliche Informationen

  408. Autor/innen: Gregor Pobegen; Klaus-Tibor Grasser, E360

    G. Pobegen, T. Grasser:
    "On the Distribution of NBTI Time Constants on a Long, Temperature-Accelerated Time Scale";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 60 (2013), 7; S. 2148 - 2155.

    Zusätzliche Informationen

  409. Autor/innen: Gregor Pobegen; Michael Nelhiebel; Stefano de Filippis; Klaus-Tibor Grasser, E360

    G. Pobegen, M. Nelhiebel, S. de Filippis, T. Grasser:
    "Accurate High Temperature Measurements Using Local Polysilicon Heater Structures";
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 99 (2013), PP; S. 1 - 8.

    Zusätzliche Informationen

  410. Autor/innen: Gregor Pobegen; S. E. Tyaginov, E360; Michael Nelhiebel; Klaus-Tibor Grasser, E360

    G. Pobegen, S. E. Tyaginov, M. Nelhiebel, T. Grasser:
    "Observation of Normally Distributed Energies for Interface Trap Recovery After Hot-Carrier Degradation";
    IEEE Electron Device Letters, 34 (2013), 8; S. 939 - 941.

    Zusätzliche Informationen

  411. Autor/innen: Christian Poschalko, E360; Siegfried Selberherr, E360

    C. Poschalko, S. Selberherr:
    "Cavity Model for the Slot Radiation of an Enclosure Excited by Printed Circuit Board Traces With Different Loads";
    IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 51 (2009), 1; S. 18 - 24.

    Zusätzliche Informationen

  412. Autor/innen: Mahdi Pourfath, E360; Andreas Gehring, E360; Stephan Enzo Ungersböck, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360; Byoung-Ho Cheong; Wanjun Park

    M. Pourfath, A. Gehring, E. Ungersböck, H. Kosina, S. Selberherr, B.-H. Cheong, W. Park:
    "Separated Carrier Injection Control in Carbon Nanotube Field-Effect Transistors";
    Journal of Applied Physics, 97 (2005), 10; S. 106103-1 - 106103-3.

    Zusätzliche Informationen

  413. Autor/innen: Mahdi Pourfath, E360; Hans Kosina, E360

    M. Pourfath, H. Kosina:
    "Computational Study of Carbon-Based Electronics";
    Journal of Computational Electronics, 8 (2009), 3-4; S. 427 - 440.

    Zusätzliche Informationen

  414. Autor/innen: Mahdi Pourfath, E360; Hans Kosina, E360

    M. Pourfath, H. Kosina:
    "Formalism Application of the Non-Equilibrium Green's Function for the Numerical Analysis of Carbon Nanotube Fets";
    Journal of Computational and Theoretical Nanoscience, 5 (2008), 6; S. 1128 - 1137.

    Zusätzliche Informationen

  415. Autor/innen: Mahdi Pourfath, E360; Hans Kosina, E360

    M. Pourfath, H. Kosina:
    "The Effect of Phonon Scattering on the Switching Response of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors";
    Nanotechnology, 18 (2007), 42; S. 424036 - 424041.

    Zusätzliche Informationen

  416. Autor/innen: Mahdi Pourfath, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Pourfath, H. Kosina, S. Selberherr:
    "A Fast and Stable Poisson-Schrödinger Solver for the Analysis of Carbon Nanotube Transistors";
    Journal of Computational Electronics, 5 (2006), 2-3; S. 155 - 159.

    Zusätzliche Informationen

  417. Autor/innen: Mahdi Pourfath, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Pourfath, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Dissipative Transport in CNTFETs";
    Journal of Computational Electronics, 6 (2007), 1-3; S. 321 - 324.

    Zusätzliche Informationen

  418. Autor/innen: Mahdi Pourfath, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Pourfath, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Geometry Optimization for Carbon Nanotube Transistors";
    Solid-State Electronics, 51 (2007), 11-12; S. 1565 - 1571.

    Zusätzliche Informationen

  419. Autor/innen: Mahdi Pourfath, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Pourfath, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Numerical Study of Quantum Transport in Carbon Nanotube Transistors";
    Mathematics and Computers in Simulation, 79 (2008), 4; S. 1051 - 1059.

    Zusätzliche Informationen

  420. Autor/innen: Mahdi Pourfath, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Pourfath, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Rigorous Modeling of Carbon Nanotube Transistors";
    Journal of Physics: Conference Series, 38 (2006), S. 29 - 32.

    Zusätzliche Informationen

  421. Autor/innen: Mahdi Pourfath, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Pourfath, H. Kosina, S. Selberherr:
    "The Effect of Inelastic Phonon Scattering on Carbon Nanotube-Based Transistor Performance";
    Journal of Physics: Conference Series, 109 (2008), 012029; S. 1 - 5.

    Zusätzliche Informationen

  422. Autor/innen: Mahdi Pourfath, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Pourfath, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Tunneling CNTFETs";
    Journal of Computational Electronics, 6 (2007), 1-3; S. 243 - 246.

    Zusätzliche Informationen

  423. Autor/innen: Mahdi Pourfath, E360; Stephan Enzo Ungersböck, E360; Andreas Gehring, E360; Byoung-Ho Cheong; W Park; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Pourfath, E. Ungersböck, A. Gehring, B.-H. Cheong, W.J. Park, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Optimization of Schottky Barrier Carbon Nanotube Field Effect Transistors";
    Microelectronic Engineering, 81 (2005), 2-4; S. 428 - 433.

    Zusätzliche Informationen

  424. Autor/innen: Mahdi Pourfath, E360; Stephan Enzo Ungersböck, E360; Andreas Gehring, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360; W Park; Byoung-Ho Cheong

    M. Pourfath, E. Ungersböck, A. Gehring, H. Kosina, S. Selberherr, W.J. Park, B.-H. Cheong:
    "Numerical Analysis of Coaxial Double Gate Schottky Barrier Carbon Nanotube Field Effect Transistors";
    Journal of Computational Electronics, 4 (2005), 1-2; S. 75 - 78.

    Zusätzliche Informationen

  425. Autor/innen: Helmut Puchner, E360; R. Castagnetti; Wolfgang Pyka, E360

    H. Puchner, R. Castagnetti, W. Pyka:
    "Minimizing Thick Resist Sidewall Slope Dependence on Design Geometry by Optimizing Bake Conditions";
    Microelectronic Engineering, 53 (2000), S. 429 - 432.

  426. Autor/innen: Helmut Puchner, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Puchner, S. Selberherr:
    "An Advanced Model for Dopant Diffusion in Polysilicon";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 42 (1995), 10; S. 1750 - 1755.

    Zusätzliche Informationen

  427. Autor/innen: Wolfgang Pyka, E360; Peter Fleischmann, E360; Bernhard Haindl, E384; Siegfried Selberherr, E360

    W. Pyka, P. Fleischmann, B. Haindl, S. Selberherr:
    "Three-Dimensional Simulation of HPCVD - Linking Continuum Transport and Reaction Kinetics with Topography Simulation";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 18 (1999), 12; S. 1741 - 1749.

    Zusätzliche Informationen

  428. Autor/innen: Wolfgang Pyka, E360; Heinrich Kirchauer, E360; Siegfried Selberherr, E360

    W. Pyka, H. Kirchauer, S. Selberherr:
    "Three-Dimensional Resist Development Simulation - Benchmarks and Integration with Lithography";
    Microelectronic Engineering, 53 (2000), 1-4; S. 449 - 452.

    Zusätzliche Informationen

  429. Autor/innen: Wolfgang Pyka, E360; Rui Martins, E360; Siegfried Selberherr, E360

    W. Pyka, R. Martins, S. Selberherr:
    "Optimized Algorithms for Three-Dimensional Cellular Topography Simulation";
    IEEE Journal of Technology Computer Aided Design, 1 (2000), 20.

    Zusätzliche Informationen

  430. Autor/innen: Rüdiger Quay, E360; K. Hess; R. Reuter; M. Schlechtweg; T. Grave; Vassil Palankovski, E360; Siegfried Selberherr, E360

    R. Quay, K. Hess, R. Reuter, M. Schlechtweg, T. Grave, V. Palankovski, S. Selberherr:
    "Nonlinear Electronic Transport and Device Performance of HEMTs";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 48 (2001), 2; S. 210 - 217.

    Zusätzliche Informationen

  431. Autor/innen: Rüdiger Quay, E360; C. Moglestue; Vassil Palankovski, E360; Siegfried Selberherr, E360

    R. Quay, C. Moglestue, V. Palankovski, S. Selberherr:
    "A Temperature Dependent Model for the Saturation Velocity in Semiconductor Materials";
    Materials Science in Semiconductor Processing, 3 (2000), 1-2; S. 149 - 155.

    Zusätzliche Informationen

  432. Autor/innen: H. Rabiee Golgir; R. Faez; M. Pazoki; Hossein Karamitaheri, E360; R. Sarvari

    H. Rabiee Golgir, R. Faez, M. Pazoki, H. Karamitaheri, R. Sarvari:
    "Investigation of Quantum Conductance in Semiconductor Single-Wall Carbon Nanotubes: Effect of Strain and Impurity";
    Journal of Applied Physics, 110 (2011), 6; S. 064320-1 - 064320-6.

    Zusätzliche Informationen

  433. Autor/innen: Mustafa Radi, E360; Ernst Leitner, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Radi, E. Leitner, S. Selberherr:
    "AMIGOS: Analytical Model Interface & General Object-Oriented Solver";
    IEEE Journal of Technology Computer Aided Design, 1 (1999), 17.

    Zusätzliche Informationen

  434. Autor/innen: K. Raleva; Dragica Vasileska; S.M. Goodnick; Mihail Nedjalkov, E360

    K. Raleva, D. Vasileska, S.M. Goodnick, M. Nedjalkov:
    "Modeling Thermal Effects in Nanodevices";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 55 (2008), 6; S. 1306 - 1316.

  435. Autor/innen: Manfred Reiche; M Kittler; E Pippel; Hans Kosina, E360; Alois Lugstein, E362; H Uebensee

    M. Reiche, M. Kittler, E. Pippel, H. Kosina, A. Lugstein, H. Uebensee:
    "Electronic Properties of Dislocations";
    Solid State Phenomena, 242 (2016), S. 141 - 146.

    Zusätzliche Informationen

  436. Autor/innen: Manfred Reiche; M Kittler; E Pippel; H Uebensee; Hans Kosina, E360; Alexander Grill, E360; Zlatan Stanojevic; Oskar Baumgartner

    M. Reiche, M. Kittler, E. Pippel, H. Uebensee, H. Kosina, A. Grill, Z. Stanojevic, O. Baumgartner:
    "Impact of Defect-Induced Strain on Device Properties";
    Advanced Engineering Materials, 18 (2016), 12; S. 1 - 4.

    Zusätzliche Informationen

  437. Autor/innen: Peter Reininger, E362; Benedikt Schwarz, E362; Hermann Detz, E362; Donald MacFarland, E362; Tobias Zederbauer, E362; Aaron Maxwell Andrews, E362; Werner Schrenk, E362; Oskar Baumgartner, E360; Hans Kosina, E360; Gottfried Strasser, E362

    P. Reininger, B. Schwarz, H. Detz, D. MacFarland, T. Zederbauer, A. M. Andrews, W. Schrenk, O. Baumgartner, H. Kosina, G. Strasser:
    "Diagonal-transition quantum cascade detector";
    Applied Physics Letters, 105 (2014), 091108; S. 1 - 4.

    Zusätzliche Informationen

  438. Autor/innen: H. Reisinger; R. P. Vollertsen; Paul-Jürgen Wagner, E360; T. Huttner; A. Martin; S. Aresu; W. Gustin; Klaus-Tibor Grasser, E360; C. Schlünder

    H. Reisinger, R. Vollertsen, P.-J. Wagner, T. Huttner, A. Martin, S. Aresu, W. Gustin, T. Grasser, C. Schlünder:
    "A Study of NBTI and Short-Term Threshold Hysteresis of Thin Nitrided and Thick Non-Nitrided Oxides";
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 9 (2009), 2; S. 106 - 114.

    Zusätzliche Informationen

  439. Autor/innen: Gerald Rescher; Gregor Pobegen; Klaus-Tibor Grasser, E360

    G. Rescher, G. Pobegen, T. Grasser:
    "Threshold Voltage Instabilities of Present SiC-Power MOSFETs Under Positive Bias Temperature Stress";
    Materials Science Forum, 858 (2016), S. 481 - 484.

    Zusätzliche Informationen

  440. Autor/innen: Ch. Ringhofer; Mihail Nedjalkov, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    Ch. Ringhofer, M. Nedjalkov, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Semiclassical Approximation of Electron-Phonon Scattering Beyond Fermi's Golden Rule";
    SIAM Journal on Applied Mathematics, 64 (2004), 6; S. 1933 - 1953.

    Zusätzliche Informationen

  441. Autor/innen: Ch. Ringhofer; Siegfried Selberherr, E360

    Ch. Ringhofer, S. Selberherr:
    "Implications of Analytical Investigations about the Semiconductor Equations on Device Modeling Programs";
    MRC Technical Summary Report, 2513 (1983), S. 1 - 49.

  442. Autor/innen: Rodrigo Rodriguez-Torres, E360; Edmundo Gutierrez; Robert Klima, E360; Siegfried Selberherr, E360

    R. Rodriguez-Torres, E. Gutierrez, R. Klima, S. Selberherr:
    "Analysis of Split-Drain MAGFETs";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 51 (2004), 12; S. 2237 - 2245.

    Zusätzliche Informationen

  443. Autor/innen: Gunnar Andreas Rott; K. Rott; H. Reisinger; W. Gustin; Klaus-Tibor Grasser, E360

    G.A. Rott, K. Rott, H. Reisinger, W. Gustin, T. Grasser:
    "Mixture of negative bias temperature instability and hot-carrier driven threshold voltage degradation of 130 nm technology p-channel transistors";
    Microelectronics Reliability, 54 (2014), 9-10; S. 2310 - 2314.

    Zusätzliche Informationen

  444. Autor/innen: K. Rott; H. Reisinger; S. Aresu; C. Schlünder; K. Kölpin; W. Gustin; Klaus-Tibor Grasser, E360

    K. Rott, H. Reisinger, S. Aresu, C. Schlünder, K. Kölpin, W. Gustin, T. Grasser:
    "New Insights on the PBTI Phenomena in SiON pMOSFETs";
    Microelectronics Reliability, 52 (2012), 9-10; S. 1891 - 1894.

    Zusätzliche Informationen

  445. Autor/innen: Florian Rudolf, E360; Karl Rupp, E360; Josef Weinbub, E360; Andreas Morhammer, E360; Siegfried Selberherr, E360

    F. Rudolf, K. Rupp, J. Weinbub, A. Morhammer, S. Selberherr:
    "Transformation Invariant Local Element Size Specification";
    Applied Mathematics and Computation, 267 (2015), S. 195 - 206.

    Zusätzliche Informationen

  446. Autor/innen: Florian Rudolf, E360; Josef Weinbub, E360; Karl Rupp, E360; Siegfried Selberherr, E360

    F. Rudolf, J. Weinbub, K. Rupp, S. Selberherr:
    "The Meshing Framework ViennaMesh for Finite Element Applications";
    Journal of Computational and Applied Mathematics, 270 (2014), S. 166 - 177.

    Zusätzliche Informationen

  447. Autor/in: Karl Rupp, E360

    K. Rupp:
    "High-Level Manipulation of OpenCL-Based Subvectors and Submatrices";
    Procedia Computer Science, 9 (2012), S. 1857 - 1866.

    Zusätzliche Informationen

  448. Autor/innen: Karl Rupp, E360; Ansgar Jüngel, E101; Klaus-Tibor Grasser, E360

    K. Rupp, A. Jüngel, T. Grasser:
    "Matrix Compression for Spherical Harmonics Expansions of the Boltzmann Transport Equation for Semiconductors";
    Journal of Computational Physics, 229 (2010), S. 8750 - 8765.

    Zusätzliche Informationen

  449. Autor/innen: Karl Rupp, E360; C. Jungemann; Sung-Min Hong; Markus Bina; Klaus-Tibor Grasser, E360; Ansgar Jüngel, E101

    K. Rupp, C. Jungemann, S.-M Hong, M. Bina, T. Grasser, A. Jüngel:
    "A Review of Recent Advances in the Spherical Harmonics Expansion Method for Semiconductor Device Simulation";
    Journal of Computational Electronics, 15 (2016), 3; S. 939 - 958.

    Zusätzliche Informationen

  450. Autor/innen: Karl Rupp, E360; Siegfried Selberherr, E360

    K. Rupp, S. Selberherr:
    "The Economic Limit to Moore's Law";
    IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 24 (2011), 1; S. 1 - 4.

    Zusätzliche Informationen

  451. Autor/innen: Karl Rupp; Siegfried Selberherr, E360

    K. Rupp, S. Selberherr:
    "The Economic Limit to Moore´s Law";
    Proceedings of the IEEE, 98 (2010), 3; S. 351 - 353.

    Zusätzliche Informationen

  452. Autor/innen: Karl Rupp, E360; Philippe Tillet; Ansgar Jüngel, E101; Klaus-Tibor Grasser, E360

    K. Rupp, Ph. Tillet, A. Jüngel, T. Grasser:
    "Achieving Portable High Performance for Iterative Solvers on Accelerators";
    Proceedings in Applied Mathematics and Mechanics, 14 (2014), 1; S. 963 - 964.

    Zusätzliche Informationen

  453. Autor/innen: Karl Rupp, E360; Philippe Tillet; Florian Rudolf, E360; Josef Weinbub, E360; Andreas Morhammer, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Ansgar Jüngel, E101; Siegfried Selberherr, E360

    K. Rupp, Ph. Tillet, F. Rudolf, J. Weinbub, A. Morhammer, T. Grasser, A. Jüngel, S. Selberherr:
    "ViennaCL---Linear Algebra Library for Multi- and Many-Core Architectures";
    SIAM Journal on Scientific Computing, 38 (2016), 5; S. S412 - S439.

    Zusätzliche Informationen

  454. Autor/innen: Karl Rupp, E360; Josef Weinbub, E360; Ansgar Jüngel, E101; Klaus-Tibor Grasser, E360

    K. Rupp, J. Weinbub, A. Jüngel, T. Grasser:
    "Pipelined Iterative Solvers with Kernel Fusion for Graphics Processing Units";
    ACM Transactions on Mathematical Software, 43 (2016), 2; S. 11:1 - 11:27.

    Zusätzliche Informationen

  455. Autor/innen: J. T. Ryan; P. M. Lenahan; Klaus-Tibor Grasser, E360; H. Enichlmair

    J. Ryan, P. Lenahan, T. Grasser, H. Enichlmair:
    "Observations of Negative Bias Temperature Instability Defect Generation via On The Fly Electron Spin Resonance";
    Applied Physics Letters, 96 (2010), 22; S. 223509-1 - 223509-3.

    Zusätzliche Informationen

  456. Autor/innen: Rainer Sabelka, E360; Siegfried Selberherr, E360

    R. Sabelka, S. Selberherr:
    "A Finite Element Simulator for Three-Dimensional Analysis of Interconnect Structures";
    Microelectronics Journal, 32 (2001), 2; S. 163 - 171.

    Zusätzliche Informationen

  457. Autor/innen: Franz Schanovsky, E360; Oskar Baumgartner, E360; Viktor Sverdlov, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    F. Schanovsky, O. Baumgartner, V. Sverdlov, T. Grasser:
    "A Multi Scale Modeling Approach to Non-Radiative Multi Phonon Transitions at Oxide Defects in MOS Structures";
    Journal of Computational Electronics, 11 (2012), 3; S. 218 - 224.

    Zusätzliche Informationen

  458. Autor/innen: Franz Schanovsky, E360; Wolfgang Gös, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    F. Schanovsky, W. Gös, T. Grasser:
    "An Advanced Description of Oxide Traps in MOS Transistors and its Relation to DFT";
    Journal of Computational Electronics (eingeladen), 9 (2010), 3-4; S. 135 - 140.

    Zusätzliche Informationen

  459. Autor/innen: Franz Schanovsky, E360; Wolfgang Gös, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    F. Schanovsky, W. Gös, T. Grasser:
    "Multiphonon Hole Trapping from First Principles";
    Journal of Vacuum Science & Technology B, 29 (2011), 1; S. 01A201-1 - 01A201-5.

    Zusätzliche Informationen

  460. Autor/innen: Gerhard Schrom, E360; De Vivek; Siegfried Selberherr, E360

    G. Schrom, De Vivek, S. Selberherr:
    "VLSI Performance Metric Based on Minimum TCAD Simulations";
    IEEE Journal of Technology Computer Aided Design, 1 (1998), 12.

    Zusätzliche Informationen

  461. Autor/innen: Gerhard Schrom, E360; Christoph Pichler, E360; Thomas Simlinger, E360; Siegfried Selberherr, E360

    G. Schrom, C. Pichler, T. Simlinger, S. Selberherr:
    "On the Lower Bounds of CMOS Supply Voltage";
    Solid-State Electronics, 39 (1996), 4; S. 425 - 430.

    Zusätzliche Informationen

  462. Autor/innen: Gerhard Schrom, E360; Andreas Stach, E360; Siegfried Selberherr, E360

    G. Schrom, A. Stach, S. Selberherr:
    "An Interpolation Based MOSFET Model for Low-Voltage Applications";
    Microelectronics Journal, 29 (1998), 8; S. 529 - 534.

    Zusätzliche Informationen

  463. Autor/innen: A. Schütz, E366; Siegfried Selberherr, E360; Hans Pötzl, E366

    A. Schütz, S. Selberherr, H. Pötzl:
    "A Two-Dimensional Model of the Avalanche Effect in MOS Transistors";
    Solid-State Electronics, 25 (1982), 3; S. 177 - 183.

    Zusätzliche Informationen

  464. Autor/innen: A. Schütz, E366; Siegfried Selberherr, E360; Hans Pötzl, E366

    A. Schütz, S. Selberherr, H. Pötzl:
    "Analysis of Breakdown Phenomena in MOSFET's";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, CAD-1 (1982), 2; S. 77 - 85.

    Zusätzliche Informationen

  465. Autor/innen: A. Schütz, E366; Siegfried Selberherr, E360; Hans Pötzl, E366

    A. Schütz, S. Selberherr, H. Pötzl:
    "Modeling MOS-Transistors in the Avalanche Breakdown Regime";
    Transactions on Computer Simulation (eingeladen), 1 (1984), 1; S. 1 - 14.

  466. Autor/innen: A. Schütz, E366; Siegfried Selberherr, E360; Hans Pötzl, E366

    A. Schütz, S. Selberherr, H. Pötzl:
    "Temperature Distribution and Power Dissipation in MOSFETs";
    Solid-State Electronics, 27 (1984), 4; S. 394 - 395.

    Zusätzliche Informationen

  467. Autor/innen: Philipp Schwaha, E360; Rene Heinzl, E360; Franz Stimpfl, E360; Siegfried Selberherr, E360

    P. Schwaha, R. Heinzl, F. Stimpfl, S. Selberherr:
    "Synergies in Scientific Computing by Combining Multi-Paradigmatic Languages for High-Performance Applications";
    International Journal of Parallel, Emergent and Distributed Systems, 24 (2009), 6; S. 539 - 549.

    Zusätzliche Informationen

  468. Autor/innen: P. Schwaha; D. Querlioz; P. Dollfus; J. Saint-Martin; Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    P. Schwaha, D. Querlioz, P. Dollfus, J. Saint-Martin, M. Nedjalkov, S. Selberherr:
    "Decoherence Effects in the Wigner Function Formalism";
    Journal of Computational Electronics, 12 (2013), 3; S. 388 - 396.

    Zusätzliche Informationen

  469. Autor/innen: Benedikt Schwarz, E362; Peter Reininger, E362; Hermann Detz, E362; Tobias Zederbauer, E362; Aaron Maxwell Andrews, E362; Stefan Kalchmair, E362; Werner Schrenk, E362; Oskar Baumgartner, E360; Hans Kosina, E360; Gottfried Strasser, E362

    B. Schwarz, P. Reininger, H. Detz, T. Zederbauer, A. M. Andrews, S. Kalchmair, W. Schrenk, O. Baumgartner, H. Kosina, G. Strasser:
    "A bi-functional quantum cascade device for same-frequency lasing and detection";
    Applied Physics Letters, 101 (2012), S. 1911091 - 1911094.

  470. Autor/innen: Nima Sefidmooye Azar; Mahdi Pourfath, E360

    N. Sefidmooye Azar, M. Pourfath:
    "A Comprehensive Study of Transistors Based on Conductive Polymer Matrix Composites";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 62 (2015), 5; S. 1584 - 1589.

    Zusätzliche Informationen

  471. Autor/in: Siegfried Selberherr, E360

    S. Selberherr:
    "Computer für Wissenschaft und Forschung";
    Österreichische Hochschulzeitung (eingeladen), 5 (1988), S. 9 - 10.

  472. Autor/in: Siegfried Selberherr, E360

    S. Selberherr:
    "Computerunterstützte Konstruktion von Bauelementen der Mikroelektronik";
    Österreichische Hochschulzeitung (eingeladen), 7 (1988), S. 25.

  473. Autor/in: Siegfried Selberherr, E360

    S. Selberherr:
    "Device Modeling and Physics";
    Physica Scripta (eingeladen), T35 (1991), S. 293 - 298.

    Zusätzliche Informationen

  474. Autor/in: Siegfried Selberherr, E360

    S. Selberherr:
    "Die großen Herausforderungen in der Mikroelektronik in den nächsten zehn Jahren";
    Elektrotechnik und Informationstechnik (e&i) (eingeladen), 115 (1998), 7/8; S. 344 - 348.

    Zusätzliche Informationen

  475. Autor/in: Siegfried Selberherr, E360

    S. Selberherr:
    "MOS Device Modeling at 77K";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 36 (1989), 8; S. 1464 - 1474.

    Zusätzliche Informationen

  476. Autor/in: Siegfried Selberherr, E360

    S. Selberherr:
    "Process and Device Modeling for VLSI";
    Microelectronics Reliability (eingeladen), 24 (1984), 2; S. 225 - 257.

    Zusätzliche Informationen

  477. Autor/in: Siegfried Selberherr, E360

    S. Selberherr:
    "Process and Device Modeling for VLSI";
    Microelectronics Journal, 16 (1985), 6; S. 56 - 57.

    Zusätzliche Informationen

  478. Autor/in: Siegfried Selberherr, E360

    S. Selberherr:
    "Process Modeling";
    Microelectronic Engineering, 9 (1989), 1-4; S. 605 - 610.

    Zusätzliche Informationen

  479. Autor/in: Siegfried Selberherr, E360

    S. Selberherr:
    "Technology Computer-Aided Design";
    South African Journal of Physics (eingeladen), 16 (1993), 1/2; S. 1 - 5.

  480. Autor/innen: Siegfried Selberherr, E360; E. Guerrero

    S. Selberherr, E. Guerrero:
    "Simple and Accurate Representation of Implantation Parameters by Low Order Polynomals";
    Solid-State Electronics, 24 (1981), 6; S. 591 - 593.

    Zusätzliche Informationen

  481. Autor/innen: Siegfried Selberherr, E360; W. Hänsch; M. Seavey; Jan Slotboom

    S. Selberherr, W. Hänsch, M. Seavey, J. Slotboom:
    "The Evolution of the MINIMOS Mobility Model";
    Archiv für Elektronik und Übertragungstechnik, 44 (1990), 3; S. 161 - 172.

  482. Autor/innen: Siegfried Selberherr, E360; W. Hänsch; M. Seavey; Jan Slotboom

    S. Selberherr, W. Hänsch, M. Seavey, J. Slotboom:
    "The Evolution of the MINIMOS Mobility Model";
    Solid-State Electronics, 33 (1990), 11; S. 1425 - 1436.

    Zusätzliche Informationen

  483. Autor/innen: Siegfried Selberherr, E360; Erasmus Langer, E360

    S. Selberherr, E. Langer:
    "Three Dimensional Process and Device Modeling";
    Microelectronics Journal (eingeladen), 20 (1989), 1-2; S. 113 - 127.

    Zusätzliche Informationen

  484. Autor/innen: Siegfried Selberherr, E360; Erasmus Langer, E360

    S. Selberherr, E. Langer:
    "Three Dimensional Process and Device Modeling";
    Microelectronics Reliability, 30 (1990), 3; S. 624.

    Zusätzliche Informationen

  485. Autor/innen: Siegfried Selberherr, E360; Ch. Ringhofer

    S. Selberherr, Ch. Ringhofer:
    "Implications of Analytical Investigations about the Semiconductor Equations on Device Modeling Programs";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 3 (1984), 1; S. 52 - 64.

    Zusätzliche Informationen

  486. Autor/innen: Siegfried Selberherr, E360; A. Schütz, E366; Hans Pötzl, E366

    S. Selberherr, A. Schütz, H. Pötzl:
    "Investigation of Parameter Sensitivity of Short Channel MOSFETs";
    Solid-State Electronics, 25 (1982), 2; S. 85 - 90.

    Zusätzliche Informationen

  487. Autor/innen: Siegfried Selberherr, E360; A. Schütz, E366; Hans Pötzl, E366

    S. Selberherr, A. Schütz, H. Pötzl:
    "MINIMOS - A Two-Dimensional MOS Transistor Analyzer";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 27 (1980), 8; S. 1540 - 1550.

    Zusätzliche Informationen

  488. Autor/innen: Siegfried Selberherr, E360; A. Schütz, E366; Hans Pötzl, E366

    S. Selberherr, A. Schütz, H. Pötzl:
    "MINIMOS - A Two-Dimensional MOS Transistor Analyzer";
    IEEE Journal of Solid-State Circuits, 15 (1980), 4; S. 605 - 615.

    Zusätzliche Informationen

  489. Autor/innen: Siegfried Selberherr, E360; A. Schütz, E366; Hans Pötzl, E366

    S. Selberherr, A. Schütz, H. Pötzl:
    "MINIMOS - Zweidimensionale Modellierung von MOS-Transistoren (Teil 1)";
    Elektronikschau, 9 (1980), S. 18 - 23.

  490. Autor/innen: Siegfried Selberherr, E360; A. Schütz, E366; Hans Pötzl, E366

    S. Selberherr, A. Schütz, H. Pötzl:
    "MINIMOS - Zweidimensionale Modellierung von MOS-Transistoren (Teil 2)";
    Elektronikschau, 10 (1980), S. 54 - 58.

  491. Autor/innen: Siegfried Selberherr, E360; A. Schütz, E366; Hans Pötzl, E366

    S. Selberherr, A. Schütz, H. Pötzl:
    "Two-Dimensional MOS Transistor Modelling";
    European Electronics (eingeladen), 1 (1981), 3; S. 20 - 30.

  492. Autor/innen: Siegfried Selberherr, E360; Martin Stiftinger, E360; Otto Heinreichsberger, E360; K. Traar

    S. Selberherr, M. Stiftinger, O. Heinreichsberger, K. Traar:
    "On the Numerical Solution of the Three-Dimensional Semiconductor Device Equations on Vector-Concurrent Computers";
    Computer Physics Communications, 67 (1991), 1; S. 145 - 156.

    Zusätzliche Informationen

  493. Autor/innen: J. M. Sellier; S. M. Amoroso; Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360; A Asenov; Ivan Dimov

    J. M. Sellier, S. Amoroso, M. Nedjalkov, S. Selberherr, A. Asenov, I. Dimov:
    "Electron Dynamics in Nanoscale Transistors by Means of Wigner and Boltzmann Approaches";
    Physica A: Statistical Mechanics and its Applications, 398 (2014), S. 194 - 198.

    Zusätzliche Informationen

  494. Autor/innen: J. M. Sellier; Mihail Nedjalkov, E360; Ivan Dimov

    J. M. Sellier, M. Nedjalkov, I. Dimov:
    "An Introduction to Applied Quantum Mechanics in the Wigner Monte Carlo Formalism";
    Physics Reports, 577 (2015), S. 1 - 34.

    Zusätzliche Informationen

  495. Autor/innen: J. M. Sellier; Mihail Nedjalkov, E360; Ivan Dimov; Siegfried Selberherr, E360

    J. M. Sellier, M. Nedjalkov, I. Dimov, S. Selberherr:
    "A Benchmark Study of the Wigner Monte Carlo Method";
    Monte Carlo Methods and Applications, 20 (2014), 1; S. 43 - 51.

    Zusätzliche Informationen

  496. Autor/innen: J. M. Sellier; Mihail Nedjalkov, E360; Ivan Dimov; Siegfried Selberherr, E360

    J. M. Sellier, M. Nedjalkov, I. Dimov, S. Selberherr:
    "A Comparison of Approaches for the Solution of the Wigner Equation";
    Mathematics and Computers in Simulation, 107 (2015), S. 108 - 119.

    Zusätzliche Informationen

  497. Autor/innen: J. M. Sellier; Mihail Nedjalkov, E360; Ivan Dimov; Siegfried Selberherr, E360

    J. M. Sellier, M. Nedjalkov, I. Dimov, S. Selberherr:
    "Decoherence and Time Reversibility: The Role of Randomness at Interfaces";
    Journal of Applied Physics, 114 (2013), 17; S. 174902-1 - 174902-7.

    Zusätzliche Informationen

  498. Autor/innen: Prateek Sharma, E360; S. E. Tyaginov, E360; Markus Jech, E360; Yannick Wimmer, E360; Florian Rudolf, E360; H. Enichlmair; J.M. Park; Hajdin Ceric, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    P. Sharma, S. E. Tyaginov, M. Jech, Y. Wimmer, F. Rudolf, H. Enichlmair, J.M. Park, H. Ceric, T. Grasser:
    "The Role of Cold Carriers and the Multiple-Carrier Process of Si-H Bond Dissociation for Hot-Carrier Degradation in n- and p-channel LDMOS Devices";
    Solid-State Electronics, 115 (2016), Part B; S. 185 - 191.

    Zusätzliche Informationen

  499. Autor/innen: Prateek Sharma, E360; S. E. Tyaginov, E360; Yannick Wimmer, E360; Florian Rudolf, E360; Karl Rupp, E360; Markus Bina, E360; H. Enichlmair; J.M. Park; R. Minixhofer; Hajdin Ceric, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    P. Sharma, S. E. Tyaginov, Y. Wimmer, F. Rudolf, K. Rupp, M. Bina, H. Enichlmair, J.M. Park, R. Minixhofer, H. Ceric, T. Grasser:
    "Modeling of Hot-Carrier Degradation in nLDMOS Devices: Different Approaches to the Solution of the Boltzmann Transport Equation";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 62 (2015), 6; S. 1811 - 1818.

    Zusätzliche Informationen

  500. Autor/innen: Prateek Sharma, E360; S. E. Tyaginov, E360; Yannick Wimmer, E360; Florian Rudolf, E360; Karl Rupp, E360; H. Enichlmair; J.M. Park; Hajdin Ceric, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    P. Sharma, S. E. Tyaginov, Y. Wimmer, F. Rudolf, K. Rupp, H. Enichlmair, J.M. Park, H. Ceric, T. Grasser:
    "Comparison of Analytic Distribution Function Models for Hot-Carrier Degradation in nLDMOSFETs";
    Microelectronics Reliability, 55 (2015), 9-10; S. 1427 - 1432.

    Zusätzliche Informationen

  501. Autor/innen: Alireza Sheikholeslami, E360; Farnaz Parhami; H Puchner; Siegfried Selberherr, E360

    A. Sheikholeslami, F. Parhami, H. Puchner, S. Selberherr:
    "Planarization of Silicon Dioxide and Silicon Nitride Passivation Layers";
    Journal of Physics: Conference Series, 61 (2007), S. 1051 - 1055.

    Zusätzliche Informationen

  502. Autor/innen: Thomas Simlinger, E360; Helmut Brech; T. Grave; Siegfried Selberherr, E360

    T. Simlinger, H. Brech, T. Grave, S. Selberherr:
    "Simulation of Submicron Double-Heterojunction High Electron Mobility Transistors with MINIMOS-NT";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 44 (1997), 5; S. 700 - 707.

    Zusätzliche Informationen

  503. Autor/innen: Vito Simonka, E360; Andreas Hössinger; Josef Weinbub, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Simonka, A. Hössinger, J. Weinbub, S. Selberherr:
    "Growth Rates of Dry Thermal Oxidation of 4H-Silicon Carbide";
    Journal of Applied Physics, 120 (2016), 13; S. 135705-1 - 135705-8.

    Zusätzliche Informationen

  504. Autor/innen: Vito Simonka, E360; Georg Nawratil, E104 - 3; Andreas Hössinger; Josef Weinbub, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Simonka, G. Nawratil, A. Hössinger, J. Weinbub, S. Selberherr:
    "Anisotropic Interpolation Method of Silicon Carbide Oxidation Growth Rates for Three-Dimensional Simulation";
    Solid-State Electronics (eingeladen), 128 (2017), 2; S. 135 - 140.

    Zusätzliche Informationen

  505. Autor/innen: Anderson P. Singulani, E360; Hajdin Ceric, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. P. Singulani, H. Ceric, S. Selberherr:
    "Stress Evolution in the Metal Layers of TSVs with Bosch Scallops";
    Microelectronics Reliability, 53 (2013), S. 1602 - 1605.

    Zusätzliche Informationen

  506. Autor/innen: Sergey Smirnov, E360; Hans Kosina, E360

    S. Smirnov, H. Kosina:
    "Monte Carlo Modeling of the Electron Mobility in Strained Si1-xGex Layers on Arbitrarily Oriented Si1-yGey Substrates";
    Solid-State Electronics (eingeladen), 48 (2004), S. 1325 - 1335.

    Zusätzliche Informationen

  507. Autor/innen: Sergey Smirnov, E360; Hans Kosina, E360; Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    S. Smirnov, H. Kosina, M. Nedjalkov, S. Selberherr:
    "Monte Carlo Method for Modeling of Small Signal Response Including the Pauli Exclusion Principle";
    Journal of Applied Physics, 94 (2003), 9; S. 5791 - 5799.

    Zusätzliche Informationen

  508. Autor/innen: Sergey Smirnov, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    S. Smirnov, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Investigation of the Electron Mobility in Strained Si1-x Gex at High Ge Composition";
    IEICE Transactions on Electronics, E86-C (2003), 3; S. 350 - 356.

  509. Autor/innen: Sina Soleimani Kahnoj; S. B. Touski; Mahdi Pourfath, E360

    S. Soleimani Kahnoj, S. Touski, M. Pourfath:
    "The effect of electron-electron interaction induced dephasing on electronic transport in graphene nanoribbons";
    Applied Physics Letters, 105 (2014), 10; S. 1035021 - 1035024.

    Zusätzliche Informationen

  510. Autor/innen: Xiaoxue Song; Fei Hui; Theresia Knobloch, E360; Bingru Wang; Zhongchao Fan; Klaus-Tibor Grasser, E360; Xu Jing; Yuanyuan Shi; Mario Lanza

    X. Song, F. Hui, T. Knobloch, B. Wang, Z. Fan, T. Grasser, X. Jing, Y. Shi, M. Lanza:
    "Piezoelectricity in Two Dimensions: Graphene vs. Molybdenum Disulfide";
    Applied Physics Letters, 111 (2017), 8; S. 083107-1 - 083107-4.

    Zusätzliche Informationen

  511. Autor/innen: Gerhard Span; Martin Wagner, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Lennart Holmgren

    G. Span, M. Wagner, T. Grasser, L. Holmgren:
    "Miniaturized TEG with Thermal Generation of Free Carriers";
    Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, 1 (2007), 6; S. 241 - 243.

    Zusätzliche Informationen

  512. Autor/innen: Michael Spevak, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    M. Spevak, T. Grasser:
    "Discretization of Macroscopic Transport Equations on Non-Cartesian Coordinate Systems";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 26 (2007), 8; S. 1408 - 1416.

  513. Autor/innen: Zlatan Stanojevic; Oskar Baumgartner, E360; Lidija Filipovic, E360; Hans Kosina, E360; Markus Karner, E360; Christian Kernstock, E360; Philipp Prause, E360

    Z. Stanojevic, O. Baumgartner, L. Filipovic, H. Kosina, M. Karner, C. Kernstock, P. Prause:
    "Consistent Low-Field Mobility Modeling for Advanced MOS Devices";
    Solid-State Electronics, 112 (2015), S. 37 - 45.

    Zusätzliche Informationen

  514. Autor/innen: Zlatan Stanojevic; Viktor Sverdlov, E360; Oskar Baumgartner, E360; Hans Kosina, E360

    Z. Stanojevic, V. Sverdlov, O. Baumgartner, H. Kosina:
    "Subband Engineering in N-Type Silicon Nanowires using Strain and Confinement";
    Solid-State Electronics, 70 (2012), S. 73 - 80.

    Zusätzliche Informationen

  515. Autor/innen: Alexander Starkov; Oleg Pakhomov; Ivan Starkov, E360

    A. Starkov, O. Pakhomov, I. Starkov:
    "Impact of the Pyroelectric Effect on Ferroelectric Phase Transitions";
    Ferroelectrics, 427 (2012), 1; S. 78 - 83.

    Zusätzliche Informationen

  516. Autor/innen: Alexander Starkov; Oleg Pakhomov; Ivan Starkov, E360

    A. Starkov, O. Pakhomov, I. Starkov:
    "Solid-State Cooler: New Opportunities";
    Ferroelectrics, 430 (2012), 1; S. 108 - 114.

    Zusätzliche Informationen

  517. Autor/innen: A. S. Starkov; O. V. Pakhomov; Ivan Starkov, E360

    A. S. Starkov, O. V. Pakhomov, I. Starkov:
    "Account for Mutual Influence of Electrical, Elastic, and Thermal Phenomena for Ferroelectric Domain Wall Modeling";
    Ferroelectrics, 442 (2013), 1; S. 10 - 17.

    Zusätzliche Informationen

  518. Autor/innen: A. S. Starkov; O. V. Pakhomov; Ivan Starkov, E360

    A. S. Starkov, O. V. Pakhomov, I. Starkov:
    "Effect of Thermal Phenomena on a Second-Order Phase Transition in the Landau-Ginzburg Model";
    JETP Letters, 91 (2010), 10; S. 507 - 511.

  519. Autor/innen: A. S. Starkov; O. V. Pakhomov; Ivan Starkov, E360

    A. S. Starkov, O. V. Pakhomov, I. Starkov:
    "Parametric Enhancement of Electrocaloric Effect by Periodically Varying External Field";
    Technical Physics Letters, 79 (2011), 12; S. 1139 - 1141.

    Zusätzliche Informationen

  520. Autor/innen: A. S. Starkov; O. V. Pakhomov; Ivan Starkov, E360

    A. S. Starkov, O. V. Pakhomov, I. Starkov:
    "Theoretical Model for Thin Ferroelectric Films and the Multilayer Structures Based on Them";
    Journal of Experimental and Theoretical Physics, 116 (2013), 6; S. 987 - 994.

    Zusätzliche Informationen

  521. Autor/innen: A. S. Starkov; Ivan Starkov, E360

    A. S. Starkov, I. Starkov:
    "Domain Wall Motion for Slowly Varying Electric Field";
    Ferroelectrics, 442 (2013), 1; S. 1 - 9.

    Zusätzliche Informationen

  522. Autor/innen: Ivan Starkov, E360; H. Enichlmair

    I. Starkov, H. Enichlmair:
    "Local oxide capacitance as a crucial parameter for characterization of hot-carrier degradation in long-channel n-MOSFETs";
    Journal of Vacuum Science & Technology B, 31 (2013), 1; S. 01A118-1 - 01A118-7.

    Zusätzliche Informationen

  523. Autor/innen: Ivan Starkov, E360; S. E. Tyaginov, E360; H. Enichlmair; Johann Cervenka, E360; C. Jungemann; Sara Carniello; Jong Mun Park, E360; Hajdin Ceric, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    I. Starkov, S. E. Tyaginov, H. Enichlmair, J. Cervenka, C. Jungemann, S. Carniello, J.M. Park, H. Ceric, T. Grasser:
    "Hot-Carrier Degradation Caused Interface State Profile-Simulation versus Experiment";
    Journal of Vacuum Science & Technology B, 29 (2011), S. 01AB09-1 - 01AB09-8.

    Zusätzliche Informationen

  524. Autor/innen: Ivan Starkov, E360; S. E. Tyaginov, E360; H. Enichlmair; Jong Mun Park, E360; Hajdin Ceric, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    I. Starkov, S. E. Tyaginov, H. Enichlmair, J.M. Park, H. Ceric, T. Grasser:
    "Accurate Extraction of MOSFET Unstressed Interface State Spatial Distribution from Charge Pumping Measurements";
    Solid State Phenomena, 178-179 (2011), S. 267 - 272.

    Zusätzliche Informationen

  525. Autor/innen: Hannes Stippel, E360; Ernst Leitner, E360; Christoph Pichler, E360; Helmut Puchner, E360; Ernst Strasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Stippel, E. Leitner, C. Pichler, H. Puchner, E. Strasser, S. Selberherr:
    "Process Simulation for the 1990s";
    Microelectronics Journal (eingeladen), 26 (1995), 2-3; S. 203 - 215.

    Zusätzliche Informationen

  526. Autor/innen: Hannes Stippel, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Stippel, S. Selberherr:
    "Monte Carlo Simulation of Ion Implantation for Three-Dimensional Structures Using an Octree";
    IEICE Transactions on Electronics, E77-C (1994), 2; S. 118 - 123.

  527. Autor/innen: Michael Stockinger, E360; Andreas Wild; Siegfried Selberherr, E360

    M. Stockinger, A. Wild, S. Selberherr:
    "Drive Performance of an Asymmetric MOSFET Structure: The Peak Device";
    Microelectronics Journal, 30 (1999), 3; S. 229 - 233.

    Zusätzliche Informationen

  528. Autor/innen: Roberta Stradiotto; Gregor Pobegen; C Ostermaier; Michael Waltl, E360; Alexander Grill, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    R. Stradiotto, G. Pobegen, C. Ostermaier, M. Waltl, A. Grill, T. Grasser:
    "Characterization of Interface Defects With Distributed Activation Energies in GaN-Based MIS-HEMTs";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 64 (2017), 3; S. 1045 - 1052.

    Zusätzliche Informationen

  529. Autor/innen: Ernst Strasser, E360; Gerhard Schrom, E360; Karl Wimmer, E360; Siegfried Selberherr, E360

    E. Strasser, G. Schrom, K. Wimmer, S. Selberherr:
    "Accurate Simulation of Pattern Transfer Processes Using Minkowski Operations";
    IEICE Transactions on Electronics, E77-C (1994), 2; S. 92 - 97.

  530. Autor/innen: Ernst Strasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    E. Strasser, S. Selberherr:
    "Algorithms and Models for Cellular Based Topography Simulation";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 14 (1995), 9; S. 1104 - 1114.

    Zusätzliche Informationen

  531. Autor/innen: Rudolf Strasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    R. Strasser, S. Selberherr:
    "Practical Inverse Modeling with SIESTA";
    IEICE Transactions on Electronics, 83-C (2000), 8; S. 1303 - 1310.

  532. Autor/innen: Viktor Sverdlov, E360; Oskar Baumgartner, E360; Thomas Windbacher, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Sverdlov, O. Baumgartner, T. Windbacher, S. Selberherr:
    "Modeling of Modern MOSFETs with Strain";
    Journal of Computational Electronics (eingeladen), 8 (2009), 3-4; S. 192 - 208.

    Zusätzliche Informationen

  533. Autor/innen: Viktor Sverdlov, E360; Andreas Gehring, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Sverdlov, A. Gehring, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Quantum Transport in Ultra-Scaled Double-Gate MOSFETs: A Wigner Function-Based Monte Carlo Approach";
    Solid-State Electronics, 49 (2005), 9; S. 1510 - 1515.

    Zusätzliche Informationen

  534. Autor/innen: Viktor Sverdlov, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Sverdlov, T. Grasser, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Scattering and Space-Charge Effects in Wigner Monte Carlo Simulations of Single and Double Barrier Devices";
    Journal of Computational Electronics, 5 (2006), 4; S. 447 - 450.

    Zusätzliche Informationen

  535. Autor/innen: Viktor Sverdlov, E360; Gerhard Karlowatz, E360; Siddhartha Dhar, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Sverdlov, G. Karlowatz, S. Dhar, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Two-Band k.p Model for the Conduction Band in Silicon: Impact of Strain and Confinement on Band Structure and Mobility";
    Solid-State Electronics, 52 (2008), 10; S. 1563 - 1568.

    Zusätzliche Informationen

  536. Autor/innen: Viktor Sverdlov, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Sverdlov, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Electron Subband Dispersions in Ultra-Thin Silicon Films from a Two-Band k·p Theory";
    Journal of Computational Electronics, 7 (2008), 3; S. 164 - 167.

    Zusätzliche Informationen

  537. Autor/innen: Viktor Sverdlov, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Sverdlov, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Modeling Current Transport in Ultra-Scaled Field-Effect Transistors";
    Microelectronics Reliability (eingeladen), 47 (2006), 1; S. 11 - 19.

    Zusätzliche Informationen

  538. Autor/innen: Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Electron Subband Structure and Controlled Valley Splitting in Silicon Thin-Body SOI FETs: Two-Band k.p Theory and Beyond";
    Solid-State Electronics, 52 (2008), 12; S. 1861 - 1866.

    Zusätzliche Informationen

  539. Autor/innen: Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Silicon Spintronics: Progress and Challenges";
    Physics Reports, 585 (2015), S. 1 - 40.

    Zusätzliche Informationen

  540. Autor/innen: Viktor Sverdlov, E360; Stephan Enzo Ungersböck, E360; Hans Kosina, E360

    V. Sverdlov, E. Ungersböck, H. Kosina:
    "Theoretical Electron Mobility Analysis in Thin-Body FETs: Dependence on Substrate Orientation and Biaxial Strain";
    IEEE Transactions on Nanotechnology, 6 (2007), 3; S. 334 - 340.

  541. Autor/innen: Viktor Sverdlov, E360; Stephan Enzo Ungersböck, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Sverdlov, E. Ungersböck, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Current Transport Models for Nanoscale Semiconductor Devices";
    Materials Science and Engineering R-Reports, 58 (2008), 6; S. 228 - 270.

    Zusätzliche Informationen

  542. Autor/innen: Viktor Sverdlov, E360; Stephan Enzo Ungersböck, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Sverdlov, E. Ungersböck, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Volume Inversion Mobility in SOI MOSFETs for Different Thin Body Orientations";
    Solid-State Electronics, 51 (2007), 2; S. 299 - 305.

    Zusätzliche Informationen

  543. Autor/innen: Viktor Sverdlov, E360; Thomas Windbacher, E360; Franz Schanovsky, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Sverdlov, T. Windbacher, F. Schanovsky, S. Selberherr:
    "Mobility Modeling in Advanced MOSFETs with Ultra-Thin Silicon Body under Stress";
    Journal Integrated Circuits and Systems, 4 (2009), 2; S. 55 - 60.

  544. Autor/innen: Seyed Mohammad Tabatabaei; M. Noei; Kaveh Khaliji; Mahdi Pourfath, E360; M. Fathipour

    S. M. Tabatabaei, M. Noei, K. Khaliji, M. Pourfath, M. Fathipour:
    "A First-Principles Study on the Effect of Biaxial Strain on the Ultimate Performance of Monolayer MoS2-Based Double Gate Field Effect Transistor";
    Journal of Applied Physics, 113 (2013), S. 163708-1 - 163708-6.

    Zusätzliche Informationen

  545. Autor/innen: Milan Tapajna; N Killat; Vassil Palankovski, E360; Dagmar Gregusova; Karol Cico; J.-F Carlin; Nicolas Grandjean; M. Kuball; J. Kuzmik

    M. Tapajna, N. Killat, V. Palankovski, D. Gregusova, K. Cico, J. Carlin, N. Grandjean, M. Kuball, J. Kuzmik:
    "Hot-Electron-Related Degradation in InAlN/GaN High-Electron-Mobility Transistors";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 61 (2014), 8; S. 2793 - 2801.

    Zusätzliche Informationen

  546. Autor/innen: Michael Thesberg, E360; Hans Kosina, E360; Neophytos Neophytou

    M. Thesberg, H. Kosina, N. Neophytou:
    "On the Effectiveness of the Thermoelectric Energy Filtering Mechanism in Low-Dimensional Superlattices and Nano-Composites";
    Journal of Applied Physics, 120 (2016), 23; S. 234302-1 - 234302-9.

    Zusätzliche Informationen

  547. Autor/innen: Michael Thesberg, E360; Hans Kosina, E360; Neophytos Neophytou

    M. Thesberg, H. Kosina, N. Neophytou:
    "On the Lorenz Number of Multiband Materials";
    Physical Review B, 95 (2017), 12; S. 125206-1 - 125206-14.

    Zusätzliche Informationen

  548. Autor/innen: Michael Thesberg, E360; Mahdi Pourfath, E360; Neophytos Neophytou; Hans Kosina, E360

    M. Thesberg, M. Pourfath, N. Neophytou, H. Kosina:
    "The Fragility of Thermoelectric Power Factor in Cross-Plane Superlattices in the Presence of Nonidealities: A Quantum Transport Simulation Approach";
    Journal of Electronic Materials, 45 (2016), 3; S. 1584 - 1588.

    Zusätzliche Informationen

  549. Autor/innen: Michael Thesberg, E360; Mahdi Pourfath, E360; Neophytos Neophytou; Hans Kosina, E360

    M. Thesberg, M. Pourfath, N. Neophytou, H. Kosina:
    "The Influence of Non-Idealities on the Thermoelectric Power Factor of Nanostructured Superlattices";
    Journal of Applied Physics, 118 (2015), 3; S. 224301-1 - 224301-6.

    Zusätzliche Informationen

  550. Autor/innen: Martin Thurner, E360; Philipp Lindorfer, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Thurner, P. Lindorfer, S. Selberherr:
    "Numerical Treatment of Nonrectangular Field-Oxide for 3-D MOSFET Simulation";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 9 (1990), 11; S. 1189 - 1197.

    Zusätzliche Informationen

  551. Autor/innen: Martin Thurner, E360; Siegfried Selberherr, E360

    M. Thurner, S. Selberherr:
    "Three-Dimensional Effects Due to the Field Oxide in MOS Devices Analyzed with MINIMOS 5";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 9 (1990), 8; S. 856 - 867.

    Zusätzliche Informationen

  552. Autor/innen: M. Toledano-Luque; Ben Kaczer; J. Franco; Ph. J. Roussel; Klaus-Tibor Grasser, E360; G. Groeseneken

    M. Toledano-Luque, B. Kaczer, J. Franco, Ph. J. Roussel, T. Grasser, G. Groeseneken:
    "Defect-Centric Perspective of Time-Dependent BTI Variability";
    Microelectronics Reliability, 52 (2012), 9-10; S. 1883 - 1890.

    Zusätzliche Informationen

  553. Autor/innen: M. Toledano-Luque; Ben Kaczer; Klaus-Tibor Grasser, E360; Ph. J. Roussel; J. Franco; G. Groeseneken

    M. Toledano-Luque, B. Kaczer, T. Grasser, Ph. J. Roussel, J. Franco, G. Groeseneken:
    "Toward a Streamlined Projection of Small Device Bias Temperature Instability Lifetime Distributions";
    Journal of Vacuum Science & Technology B, 31 (2013), 1; S. 01A114-1 - 01A114-4.

    Zusätzliche Informationen

  554. Autor/innen: M. Toledano-Luque; Ben Kaczer; Ph. J. Roussel; M. Cho; Klaus-Tibor Grasser, E360; G. Groeseneken

    M. Toledano-Luque, B. Kaczer, Ph. J. Roussel, M. Cho, T. Grasser, G. Groeseneken:
    "Temperature Dependence of the Emission and Capture Times of SiON Individual Traps after Positive Bias Temperature Stress";
    Journal of Vacuum Science & Technology B, 29 (2011), S. 01AA04-1 - 01AA04-5.

    Zusätzliche Informationen

  555. Autor/innen: M. Toledano-Luque; Ben Kaczer; Ph. J. Roussel; J. Franco; L. A. Ragnarsson; Klaus-Tibor Grasser, E360; G. Groeseneken

    M. Toledano-Luque, B. Kaczer, Ph. J. Roussel, J. Franco, L. Ragnarsson, T. Grasser, G. Groeseneken:
    "Depth Localization of Positive Charge Trapped in Silicon Oxynitride Field Effect Transistors after Positive and Negative Gate Bias Temperature Stress";
    Applied Physics Letters, 98 (2011), S. 183506-1 - 183506-3.

    Zusätzliche Informationen

  556. Autor/innen: M. Toledano-Luque; Ben Kaczer; E. Simoen; Ph. J. Roussel; A. Veloso; Klaus-Tibor Grasser, E360; G. Groeseneken

    M. Toledano-Luque, B. Kaczer, E. Simoen, Ph. J. Roussel, A. Veloso, T. Grasser, G. Groeseneken:
    "Temperature and Voltage Dependences of the Capture and Emission Times of Individual Traps in High-k Dielectrics";
    Microelectronic Engineering, 88 (2011), S. 1243 - 1246.

    Zusätzliche Informationen

  557. Autor/innen: S. B. Touski; Mahdi Pourfath, E360

    S. Touski, M. Pourfath:
    "Substrate Surface Corrugation Effects on the Electronic Transport in Graphene Nanoribbons";
    Applied Physics Letters, 103 (2013), 14; S. 1435061 - 1435063.

    Zusätzliche Informationen

  558. Autor/innen: Oliver Triebl, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    O. Triebl, T. Grasser:
    "Vector Discretization Schemes in Technology CAD Environments";
    Romanian Journal of Information Science and Technology, 10 (2007), 2; S. 167 - 176.

  559. Autor/innen: S. E. Tyaginov, E360; Markus Bina, E360; J. Franco; Yannick Wimmer, E360; Ben Kaczer; Klaus-Tibor Grasser, E360

    S. E. Tyaginov, M. Bina, J. Franco, Y. Wimmer, B. Kaczer, T. Grasser:
    "On the Importance of Electron-Electron Scattering for Hot-Carrier Degradation";
    Japanese Journal of Applied Physics, 54 (2015), S. 1 - 6.

    Zusätzliche Informationen

  560. Autor/innen: S. E. Tyaginov, E360; Yury Illarionov, E360; M. I. Vexler; Markus Bina; Johann Cervenka, E360; J. Franco; Ben Kaczer; Klaus-Tibor Grasser, E360

    S. E. Tyaginov, Yu. Illarionov, M. I. Vexler, M. Bina, J. Cervenka, J. Franco, B. Kaczer, T. Grasser:
    "Modeling of deep-submicron silicon-based MISFETs with calcium fluoride dielectric";
    Journal of Computational Electronics, 1 (2014), 1; S. 1 - 6.

    Zusätzliche Informationen

  561. Autor/innen: S. E. Tyaginov, E360; Markus Jech, E360; J. Franco; Prateek Sharma, E360; Ben Kaczer; Klaus-Tibor Grasser, E360

    S. E. Tyaginov, M. Jech, J. Franco, P. Sharma, B. Kaczer, T. Grasser:
    "Understanding and Modeling the Temperature Behavior of Hot-Carrier Degradation in SiON n-MOSFETs";
    IEEE Electron Device Letters, 37 (2016), 1; S. 84 - 87.

    Zusätzliche Informationen

  562. Autor/innen: S. E. Tyaginov, E360; Ivan Starkov, E360; H. Enichlmair; C. Jungemann; Jong Mun Park, E360; E. Seebacher; Roberto Orio, E360; Hajdin Ceric, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    S. E. Tyaginov, I. Starkov, H. Enichlmair, C. Jungemann, J.M. Park, E. Seebacher, R. Orio, H. Ceric, T. Grasser:
    "An Analytical Approach for Physical Modeling of Hot-Carrier Induced Degradation";
    Microelectronics Reliability, 51 (2011), S. 1525 - 1529.

    Zusätzliche Informationen

  563. Autor/innen: S. E. Tyaginov, E360; Ivan Starkov, E360; Oliver Triebl, E360; Johann Cervenka, E360; C. Jungemann; Sara Carniello; J.M. Park; H. Enichlmair; Markus Karner, E360; Christian Kernstock, E360; E. Seebacher; R. Minixhofer; Hajdin Ceric, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    S. E. Tyaginov, I. Starkov, O. Triebl, J. Cervenka, C. Jungemann, S. Carniello, J.M. Park, H. Enichlmair, M. Karner, C. Kernstock, E. Seebacher, R. Minixhofer, H. Ceric, T. Grasser:
    "Interface Traps Density-of-States as a Vital Component for Hot-Carrier Degradation Modeling";
    Microelectronics Reliability, 50 (2010), S. 1267 - 1272.

    Zusätzliche Informationen

  564. Autor/innen: S. E. Tyaginov, E360; Viktor Sverdlov, E360; Ivan Starkov, E360; Wolfgang Gös, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    S. E. Tyaginov, V. Sverdlov, I. Starkov, W. Gös, T. Grasser:
    "Impact of O-Si-O Bond Angle Fluctuations on the Si-O Bond-Breakage Rate";
    Microelectronics Reliability, 49 (2009), S. 998 - 1002.

    Zusätzliche Informationen

  565. Autor/innen: S. E. Tyaginov, E360; M.I. Vexler; A. El Hdiy; K. Gacem; V. Zaporojtchenko

    S. E. Tyaginov, M. Vexler, A. El Hdiy, K. Gacem, V Zaporojtchenko:
    "Electrical Methods for Estimating the Correlation Length of Insulator Thickness Fluctuations in MIS Tunnel Structures";
    Materials Science in Semiconductor Processing, 13 (2010), S. 405 - 410.

    Zusätzliche Informationen

  566. Autor/innen: S. E. Tyaginov, E360; M.I. Vexler; N. S. Sokolov; S. M. Suturin; A. G. Banshchikov; Klaus-Tibor Grasser, E360; Bernd Meinerzhagen

    S. E. Tyaginov, M. Vexler, N. S. Sokolov, S. M. Suturin, A. Banshchikov, T. Grasser, B. Meinerzhagen:
    "Determination of Correlation Length for Thickness Fluctuations in Thin Oxide and Fluoride Films";
    Journal of Physics D: Applied Physics, 42 (2009), 115307; S. 1 - 6.

    Zusätzliche Informationen

  567. Autor/innen: S. E. Tyaginov, E360; Yannick Wimmer, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    S. E. Tyaginov, Y. Wimmer, T. Grasser:
    "Modeling of Hot-Carrier Degradation Based on Thorough Carrier Transport Treatment";
    Facta Universitatis (eingeladen), 27 (2014), 4; S. 479 - 508.

    Zusätzliche Informationen

  568. Autor/innen: Stephan Enzo Ungersböck, E360; Siddhartha Dhar, E360; Gerhard Karlowatz, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    E. Ungersböck, S. Dhar, G. Karlowatz, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Physical Modeling of Electron Mobility Enhancement for Arbitrarily Strained Silicon";
    Journal of Computational Electronics, 6 (2007), 1-3; S. 55 - 58.

    Zusätzliche Informationen

  569. Autor/innen: Stephan Enzo Ungersböck, E360; Siddhartha Dhar, E360; Gerhard Karlowatz, E360; Viktor Sverdlov, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    E. Ungersböck, S. Dhar, G. Karlowatz, V. Sverdlov, H. Kosina, S. Selberherr:
    "The Effect of General Strain on the Band Structure and Electron Mobility of Silicon";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 54 (2007), 9; S. 2183 - 2190.

    Zusätzliche Informationen

  570. Autor/innen: Stephan Enzo Ungersböck, E360; Wolfgang Gös, E360; Siddhartha Dhar, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    E. Ungersböck, W. Gös, S. Dhar, H. Kosina, S. Selberherr:
    "The Effect of Uniaxial Stress on Band Structure and Electron Mobility of Silicon";
    Mathematics and Computers in Simulation, 79 (2008), 4; S. 1071 - 1077.

    Zusätzliche Informationen

  571. Autor/innen: Stephan Enzo Ungersböck, E360; Hans Kosina, E360

    E. Ungersböck, H. Kosina:
    "Monte Carlo Study of Electron Transport in Strained Silicon Inversion Layers";
    Journal of Computational Electronics, 5 (2006), 2-3; S. 79 - 83.

  572. Autor/innen: Stephan Enzo Ungersböck, E360; Mahdi Pourfath, E360; Hans Kosina, E360; Andreas Gehring, E360; Byoung-Ho Cheong; W Park; Siegfried Selberherr, E360

    E. Ungersböck, M. Pourfath, H. Kosina, A. Gehring, B.-H. Cheong, W.J. Park, S. Selberherr:
    "Optimization of Single-Gate Carbon-Nanotube Field-Effect Transistors";
    IEEE Transactions on Nanotechnology, 4 (2005), 5; S. 533 - 538.

    Zusätzliche Informationen

  573. Autor/innen: Sergey Vainshtein; Valentin Yuferev; Vassil Palankovski, E360; Duu-Sheng Ong; Juha Kostamovaara

    S. Vainshtein, V. Yuferev, V. Palankovski, D. Ong, J. Kostamovaara:
    "Negative Differential Mobility in GaAs at Ultrahigh Fields: Comparison between an Experiment and Simulations";
    Applied Physics Letters, 92 (2008), S. 062114-1 - 062114-3.

    Zusätzliche Informationen

  574. Autor/innen: Martin Vasicek, E360; Johann Cervenka, E360; D. Esseni; P Palestri; Klaus-Tibor Grasser, E360

    M. Vasicek, J. Cervenka, D. Esseni, P. Palestri, T. Grasser:
    "Applicability of Macroscopic Transport Models to Decananometer MOSFETs";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 59 (2012), 3; S. 639 - 646.

    Zusätzliche Informationen

  575. Autor/innen: Martin Vasicek, E360; Johann Cervenka, E360; Martin Wagner, E360; Markus Karner, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    M. Vasicek, J. Cervenka, M. Wagner, M. Karner, T. Grasser:
    "A 2D Non-Parabolic Six-Moments Model";
    Solid-State Electronics, 52 (2008), S. 1606 - 1609.

    Zusätzliche Informationen

  576. Autor/innen: Martin Vasicek, E360; Johann Cervenka, E360; Martin Wagner, E360; Markus Karner, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    M. Vasicek, J. Cervenka, M. Wagner, M. Karner, T. Grasser:
    "Parameter Modeling for Higher-Order Transport Models in UTB SOI MOSFETs";
    Journal of Computational Electronics, 7 (2008), 3; S. 168 - 173.

    Zusätzliche Informationen

  577. Autor/innen: M. I. Vexler; Yury Illarionov, E360; S. E. Tyaginov, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    M. I. Vexler, Yu. Illarionov, S. E. Tyaginov, T. Grasser:
    "Adaptation of the Model of Tunneling in a Metal/CaF2/Si(111) System for Use in Industrial Simulators of MIS Devices";
    Semiconductors (Physics of Semiconductor Devices), 49 (2015), 2; S. 259 - 263.

    Zusätzliche Informationen

  578. Autor/innen: M. I. Vexler; S. E. Tyaginov, E360; Yury Illarionov, E360; Yew Kwang Sing; Ang Diing Shenp; V. V. Fedorov; D. V. Isakov

    M. I. Vexler, S. E. Tyaginov, Yu. Illarionov, Y. K. Sing, A. D. Shenp, V. V. Fedorov, D. V. Isakov:
    "A General Simulation Procedure for the Electrical Characteristics of Metal Insulator Semiconductor Tunnel Structures";
    Semiconductors (Physics of Semiconductor Devices), 47 (2013), 5; S. 686 - 694.

    Zusätzliche Informationen

  579. Autor/innen: M.I. Vexler; Yury Illarionov, E360; I.V. Grekhov

    M. Vexler, Yu. Illarionov, I. Grekhov:
    "Quantum-Well Charge and Voltage Distribution in a Metal-Insulator-Semiconductor Structure upon Resonant Electron Tunneling";
    Semiconductors (Physics of Semiconductor Devices), 51 (2017), 4; S. 444 - 448.

    Zusätzliche Informationen

  580. Autor/innen: M.I. Vexler; G.G. Kareva; Yury Illarionov, E360; I.V. Grekhov

    M. Vexler, G.G. Kareva, Yu. Illarionov, I. Grekhov:
    "Resonant Electron Tunneling and Related Charging Phenomena in Metal-Oxide-p+-Si Nanostructures";
    Technical Physics Letters, 42 (2016), 11; S. 1090 - 1093.

    Zusätzliche Informationen

  581. Autor/innen: M.I. Vexler; N. S. Sokolov; S. M. Suturin; A. G. Banshchikov; S. E. Tyaginov, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    M. Vexler, N. S. Sokolov, S. M. Suturin, A. Banshchikov, S. E. Tyaginov, T. Grasser:
    "Electrical Characterization and Modeling of the Au/CaF2/nSi(111) Sructures with High-Quality Tunnel-Thin Fluoride Layer";
    Journal of Applied Physics, 105 (2009), 083716; S. 1 - 6.

    Zusätzliche Informationen

  582. Autor/innen: K. Vinzenz; Siegfried Selberherr, E360

    K. Vinzenz, S. Selberherr:
    "Kommentar zu Prinzipien der virtuellen Realität und deren Anwendungen in intraoperativen Navigationshilfesystemen";
    Acta Chirurgica Austriaca (eingeladen), 28 (1996), 1; S. 60 - 61.

  583. Autor/innen: Stanislav Vitanov, E360; Vassil Palankovski, E360

    S. Vitanov, V. Palankovski:
    "Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs with InGaN cap layer: A simulation study";
    Solid-State Electronics, 52 (2008), 11; S. 1791 - 1795.

    Zusätzliche Informationen

  584. Autor/innen: Stanislav Vitanov, E360; Vassil Palankovski, E360; S. Maroldt; Rüdiger Quay, E360

    S. Vitanov, V. Palankovski, S. Maroldt, R. Quay:
    "High-Temperature Modeling of AlGaN/GaN HEMTs";
    Solid-State Electronics, 54 (2010), 10; S. 1105 - 1112.

    Zusätzliche Informationen

  585. Autor/innen: Stanislav Vitanov, E360; Vassil Palankovski, E360; S. Maroldt; Rüdiger Quay, E360; S. Murad; T. Rödle; Siegfried Selberherr, E360

    S. Vitanov, V. Palankovski, S. Maroldt, R. Quay, S. Murad, T. Rödle, S. Selberherr:
    "Physics-Based Modeling of GaN HEMTs";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 59 (2012), 3; S. 685 - 693.

    Zusätzliche Informationen

  586. Autor/innen: Martin Wagner, E360; Markus Karner, E360; Johann Cervenka, E360; Martin Vasicek, E360; Hans Kosina, E360; Stefan Holzer, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    M. Wagner, M. Karner, J. Cervenka, M. Vasicek, H. Kosina, S. Holzer, T. Grasser:
    "Quantum Correction for DG MOSFETs";
    Journal of Computational Electronics, 5 (2007), S. 397 - 400.

    Zusätzliche Informationen

  587. Autor/innen: Martin Wagner, E360; Gerhard Span; Stefan Holzer, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    M. Wagner, G. Span, S. Holzer, T. Grasser:
    "Thermoelectric Power Generation Using Large-Area Si/SiGe pn-Junctions with Varying Ge Content";
    Semiconductor Science and Technology, 22 (2007), S. 173 - 176.

  588. Autor/innen: Stephan Wagner, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Claus Fischer, E360; Siegfried Selberherr, E360

    S. Wagner, T. Grasser, C. Fischer, S. Selberherr:
    "An Advanced Equation Assembly Module";
    Engineering with Computers, 21 (2005), 2; S. 151 - 163.

    Zusätzliche Informationen

  589. Autor/innen: Stephan Wagner, E360; Vassil Palankovski, E360; G. Röhrer; Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    S. Wagner, V. Palankovski, G. Röhrer, T. Grasser, S. Selberherr:
    "Direct Extraction Feature for Scattering Parameters of SiGe-HBTs";
    Applied Surface Science, 224 (2004), 1-4; S. 365 - 369.

    Zusätzliche Informationen

  590. Autor/innen: Michael Waltl, E360; Gerhard Rzepa, E360; Alexander Grill, E360; Wolfgang Gös, E360; J. Franco; Ben Kaczer; L. Witters; J. Mitard; N. Horiguchi; Klaus-Tibor Grasser, E360

    M. Waltl, G. Rzepa, A. Grill, W. Gös, J. Franco, B. Kaczer, L. Witters, J. Mitard, N. Horiguchi, T. Grasser:
    "Superior NBTI in High-k SiGe Transistors - Part I: Experimental";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 64 (2017), 5; S. 2092 - 2098.

    Zusätzliche Informationen

  591. Autor/innen: Michael Waltl, E360; Gerhard Rzepa, E360; Alexander Grill, E360; Wolfgang Gös, E360; J. Franco; Ben Kaczer; L. Witters; J. Mitard; N. Horiguchi; Klaus-Tibor Grasser, E360

    M. Waltl, G. Rzepa, A. Grill, W. Gös, J. Franco, B. Kaczer, L. Witters, J. Mitard, N. Horiguchi, T. Grasser:
    "Superior NBTI in High-k SiGe Transistors - Part II: Theory";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 64 (2017), 5; S. 2099 - 2105.

    Zusätzliche Informationen

  592. Autor/innen: L. Wang; A.R. Brown; Mihail Nedjalkov, E360; Craig Alexander; B. Cheng; C. Millar; A Asenov

    L. Wang, A. Brown, M. Nedjalkov, C. Alexander, B. Cheng, C. Millar, A. Asenov:
    "Impact of Self-Heating on the Statistical Variability in Bulk and SOI FinFETs";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 62 (2015), 7; S. 2106­ - 2112.

    Zusätzliche Informationen

  593. Autor/in: Christoph Wasshuber, E360

    C. Wasshuber:
    "Grenzen der Miniaturisierung - Die Zukunft der Mikroelektronik";
    Informatik Spektrum (eingeladen), 21 (1998), 4; S. 223 - 226.

  594. Autor/innen: Christoph Wasshuber, E360; Hans Kosina, E360

    C. Wasshuber, H. Kosina:
    "A Single-Electron Device and Circuit Simulator";
    Superlattices and Microstructures, 21 (1997), 1; S. 37 - 42.

    Zusätzliche Informationen

  595. Autor/innen: Christoph Wasshuber, E360; Hans Kosina, E360

    C. Wasshuber, H. Kosina:
    "Simulation of a Single Electron Tunnel Transistor with Inclusion of Inelastic Macroscopic Quantum Tunneling of Charge";
    VLSI Design, 6 (1998), 1-4; S. 35 - 38.

    Zusätzliche Informationen

  596. Autor/innen: Christoph Wasshuber, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    C. Wasshuber, H. Kosina, S. Selberherr:
    "A Comparative Study of Single-Electron Memories";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 45 (1998), 11; S. 2365 - 2371.

    Zusätzliche Informationen

  597. Autor/innen: Christoph Wasshuber, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    C. Wasshuber, H. Kosina, S. Selberherr:
    "A Single-Electron Device and Circuit Simulator with a New Algorithm to Incorporate Co-tunneling";
    IEEE Journal of Technology Computer Aided Design, 1 (1997), 7.

    Zusätzliche Informationen

  598. Autor/innen: Christoph Wasshuber, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    C. Wasshuber, H. Kosina, S. Selberherr:
    "SIMON - A Simulator for Single-Electron Tunnel Devices and Circuits";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 16 (1997), 9; S. 937 - 944.

    Zusätzliche Informationen

  599. Autor/innen: Christoph Wasshuber, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    C. Wasshuber, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Single-Electron Memories";
    VLSI Design, 8 (1998), 1-4; S. 219 - 223.

    Zusätzliche Informationen

  600. Autor/innen: Josef Weinbub, E360; Paul Ellinghaus, E360; Mihail Nedjalkov, E360

    J. Weinbub, P. Ellinghaus, M. Nedjalkov:
    "Domain Decomposition Strategies for the Two-Dimensional Wigner Monte Carlo Method";
    Journal of Computational Electronics, 14 (2015), 4; S. 922 - 929.

    Zusätzliche Informationen

  601. Autor/innen: Josef Weinbub, E360; Andreas Hössinger, E360

    J. Weinbub, A. Hössinger:
    "Accelerated Redistancing for Level Set-Based Process Simulations with the Fast Iterative Method";
    Journal of Computational Electronics, 13 (2014), 4; S. 877 - 884.

    Zusätzliche Informationen

  602. Autor/innen: Josef Weinbub, E360; Andreas Hössinger

    J. Weinbub, A. Hössinger:
    "Comparison of the Parallel Fast Marching Method, the Fast Iterative Method, and the Parallel Semi-Ordered Fast Iterative Method";
    Procedia Computer Science, 80 (2016), S. 2271 - 2275.

    Zusätzliche Informationen

  603. Autor/innen: Josef Weinbub, E360; Karl Rupp, E360; Siegfried Selberherr, E360

    J. Weinbub, K. Rupp, S. Selberherr:
    "Highly Flexible and Reusable Finite Element Simulations with ViennaX";
    Journal of Computational and Applied Mathematics, 270 (2014), S. 484 - 495.

    Zusätzliche Informationen

  604. Autor/innen: Josef Weinbub, E360; Karl Rupp, E360; Siegfried Selberherr, E360

    J. Weinbub, K. Rupp, S. Selberherr:
    "ViennaX: A Parallel Plugin Execution Framework for Scientific Computing";
    Engineering with Computers, 30 (2014), 4; S. 651 - 668.

    Zusätzliche Informationen

  605. Autor/innen: Josef Weinbub, E360; Matthias Wastl; Karl Rupp, E360; Florian Rudolf, E360; Siegfried Selberherr, E360

    J. Weinbub, M. Wastl, K. Rupp, F. Rudolf, S. Selberherr:
    "ViennaMaterials - A Dedicated Material Library for Computational Science and Engineering";
    Applied Mathematics and Computation, 267 (2015), S. 282 - 293.

    Zusätzliche Informationen

  606. Autor/innen: Wilfried Wessner, E360; Johann Cervenka, E360; Clemens Heitzinger, E360; Andreas Hössinger, E360; Siegfried Selberherr, E360

    W. Wessner, J. Cervenka, C. Heitzinger, A. Hössinger, S. Selberherr:
    "Anisotropic Mesh Refinement for the Simulation of Three-Dimensional Semiconductor Manufacturing Processes";
    IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 25 (2006), 10; S. 2129 - 2139.

    Zusätzliche Informationen

  607. Autor/innen: Yannick Wimmer, E360; Al-Moatasem El-Sayed, E360; Wolfgang Gös, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; A. L. Shluger

    Y. Wimmer, A.-M. El-Sayed, W. Gös, T. Grasser, A. Shluger:
    "Role of Hydrogen in Volatile Behaviour of Defects in SiO2-Based Electronic Devices";
    Proceedings of the Royal Society A - Mathematical, Physical and Engineering Sciences (eingeladen), 472 (2016), 2190; S. 1 - 23.

    Zusätzliche Informationen

  608. Autor/innen: Thomas Windbacher, E360; Joydeep Ghosh, E360; Alexander Makarov, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Windbacher, J. Ghosh, A. Makarov, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Modelling of multipurpose spintronic devices";
    International Journal of Nanotechnology, 12 (2015), 3/4; S. 313 - 331.

    Zusätzliche Informationen

  609. Autor/innen: Thomas Windbacher, E360; Hiwa Mahmoudi, E360; Alexander Makarov, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Windbacher, H. Mahmoudi, A. Makarov, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Multiple Purpose Spin Transfer Torque Operated Devices";
    Facta Universitatis, 26 (2013), 3; S. 227 - 238.

    Zusätzliche Informationen

  610. Autor/innen: Thomas Windbacher, E360; Alexander Makarov, E360; Hiwa Mahmoudi, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Windbacher, A. Makarov, H. Mahmoudi, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Novel Bias-Field-Free Spin Transfer Oscillator";
    Journal of Applied Physics, 115 (2014), 17; S. 17C901-1 - 17C901-3.

    Zusätzliche Informationen

  611. Autor/innen: Thomas Windbacher, E360; Alexander Makarov, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Windbacher, A. Makarov, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Influence of Magnetization Variations in the Free Layer on a Non-Volatile Magnetic Flip Flop";
    Solid-State Electronics, 108 (2015), S. 2 - 7.

    Zusätzliche Informationen

  612. Autor/innen: Thomas Windbacher, E360; Viktor Sverdlov, E360; Oskar Baumgartner, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Windbacher, V. Sverdlov, O. Baumgartner, S. Selberherr:
    "Electron Subband Structure in Strained Silicon UTB Films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama Model - Part 1 Analytical Consideration and Strain-Induced Valley Splitting";
    Solid-State Electronics, 54 (2010), 2; S. 137 - 142.

    Zusätzliche Informationen

  613. Autor/innen: Thomas Windbacher, E360; Oliver Triebl, E360; Dimitry Osintsev, E360; Alexander Makarov, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Windbacher, O. Triebl, D. Osintsev, A. Makarov, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Simulation Study of an Electrically Read- and Writable Magnetic Logic Gate";
    Microelectronic Engineering, 112 (2013), S. 188 - 192.

    Zusätzliche Informationen

  614. Autor/innen: Robert Wittmann, E360; Siegfried Selberherr, E360

    R. Wittmann, S. Selberherr:
    "A Study of Ion Implantation into Crystalline Germanium";
    Solid-State Electronics, 51 (2007), 6; S. 982 - 988.

    Zusätzliche Informationen

  615. Autor/innen: Stefanie Wolf, E360; Neophytos Neophytou, E360; Hans Kosina, E360

    S. Wolf, N. Neophytou, H. Kosina:
    "Thermal conductivity of silicon nanomeshes: Effects of porosity and roughness";
    Journal of Applied Physics, 115 (2014), 20; S. 204306 - 204313.

    Zusätzliche Informationen

  616. Autor/innen: Stefanie Wolf, E360; Neophytos Neophytou, E360; Zlatan Stanojevic; Hans Kosina, E360

    S. Wolf, N. Neophytou, Z. Stanojevic, H. Kosina:
    "Monte Carlo Simulations of Thermal Conductivity in Nanoporous Si Membranes";
    Journal of Electronic Materials, 43 (2014), 10; S. 3870 - 3875.

    Zusätzliche Informationen

  617. Autor/innen: A. Yazdanpanah Goharrizi; Mahdi Pourfath, E360; M. Fathipour; Hans Kosina, E360

    A. Yazdanpanah Goharrizi, M. Pourfath, M. Fathipour, H. Kosina:
    "Device Performance of Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors in the Presence of Line-Edge Roughness";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 59 (2012), 12; S. 3527 - 3532.

    Zusätzliche Informationen

  618. Autor/innen: A. Yazdanpanah Goharrizi; Mahdi Pourfath, E360; M. Fathipour; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Yazdanpanah Goharrizi, M. Pourfath, M. Fathipour, H. Kosina, S. Selberherr:
    "A Numerical Study of Line-Edge Roughness Scattering in Graphene Nanoribbons";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 59 (2012), 2; S. 433 - 440.

    Zusätzliche Informationen

  619. Autor/innen: A. Yazdanpanah Goharrizi; Mahdi Pourfath, E360; M. Fathipour; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Yazdanpanah Goharrizi, M. Pourfath, M. Fathipour, H. Kosina, S. Selberherr:
    "An Analytical Model for Line-Edge Roughness Limited Mobility of Graphene Nanoribbons";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 58 (2011), 11; S. 3725 - 3735.

    Zusätzliche Informationen

  620. Autor/innen: Karl Zankel; Hans Kosina, E360

    K. Zankel, H. Kosina:
    "Capacitance Simulation of Irradiated Semiconductor Detectors";
    Il Nuovo Cimento, 112 (1999), 1-2; S. 43 - 47.

  621. Autor/innen: Majid Zeraati; S. Mehdi Vaez Allaei; I. Abdolhosseini Sarsari; Mahdi Pourfath, E360; Davide Donadio

    M. Zeraati, S.M.V. Allaei, I.A. Sarsari, M. Pourfath, D. Donadio:
    "Highly Anisotropic Thermal Conductivity of Arsenene: An Ab Initio Study";
    Physical Review B, 93 (2016), 8; S. 085424-1 - 085424-6.

    Zusätzliche Informationen

  622. Autor/innen: Wolfhard Zisser, E360; Hajdin Ceric, E360; Josef Weinbub, E360; Siegfried Selberherr, E360

    W. H. Zisser, H. Ceric, J. Weinbub, S. Selberherr:
    "Electromigration Reliability of Open TSV Structures";
    Microelectronics Reliability, 54 (2014), 9-10; S. 2133 - 2137.

    Zusätzliche Informationen


Editorials in wiss. Zeitschriften


  1. Autor/innen: Hajdin Ceric, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Ceric, S. Selberherr:
    "Editorial Preface to the Special Section on Electromigration Published in March 2009";
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 9 (2009), 2; S. 103.

    Zusätzliche Informationen

  2. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    T. Grasser, S. Selberherr:
    "Modelling the Negative Bias Temperature Instability (Editorial)";
    Microelectronics Reliability, 47 (2007), 6; S. 839 - 840.

    Zusätzliche Informationen

  3. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Kosina, S. Selberherr:
    "International Workshop on Computational Electronics (Editorial)";
    Journal of Computational Electronics, 5 (2007), 4; S. 283 - 284.

    Zusätzliche Informationen

  4. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Kosina, S. Selberherr:
    "The Field of Computational Electronics from a European Perspective (Guest Editorial)";
    Journal of Computational Electronics, 8 (2009), 3-4; S. 173.

    Zusätzliche Informationen

  5. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Josef Weinbub, E360; D.K. Ferry

    M. Nedjalkov, J. Weinbub, D.K. Ferry:
    "Introduction to the Special Issue on Wigner Functions";
    Journal of Computational Electronics, 14 (2015), 4; S. 857 - 858.

    Zusätzliche Informationen

  6. Autor/innen: E. Sangiorgi; A Asenov; H. Bennett; R. Dutton; D. Esseni; M. Giles; M. Hane; K. Nishi; J. Ranaweera; Siegfried Selberherr, E360

    E. Sangiorgi, A. Asenov, H. Bennett, R. Dutton, D. Esseni, M. Giles, M. Hane, K. Nishi, J. Ranaweera, S. Selberherr:
    "Foreword Special Issue on Characterization of Nano CMOS Variability by Simulation and Measurements";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 58 (2011), 8; S. 2190 - 2196.

    Zusätzliche Informationen

  7. Autor/innen: E. Sangiorgi; A Asenov; H.S. Bennett; R.W. Dutton; D. Esseni; M. Giles; M. Hane; C. Jungemann; K. Nishi; Siegfried Selberherr, E360; S. Takagi

    E. Sangiorgi, A. Asenov, H.S. Bennett, R.W. Dutton, D. Esseni, M. Giles, M. Hane, C. Jungemann, K. Nishi, S. Selberherr, S. Takagi:
    "Foreword Special Issue on Simulation and Modeling of Nanoelectronics Devices";
    IEEE Transactions on Electron Devices, 54 (2007), 9; S. 2072 - 2078.

    Zusätzliche Informationen

  8. Autor/innen: Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Editorial: Special Issue of Solid-State Electronics, dedicated to EUROSOI-ULIS 2016";
    Solid-State Electronics, 128 (2017), 2; S. 1 - 2.

    Zusätzliche Informationen


Buchbeiträge


  1. Autor/innen: Shaikh Ahmed; Mihail Nedjalkov, E360; Dragica Vasileska
    Andere beteiligte Person: V. Chan

    S. Ahmed, M. Nedjalkov, D. Vasileska:
    "Comparative Study of Various Self-Consistent Event Biasing Schemes for Monte Carlo Simulations of Nanoscale MOSFETs";
    in: "Theory and Applications of Monte Carlo Simulations", V. Chan (Hrg.); Intech Open Access Publisher, 2013, ISBN: 978-953-51-1012-5, S. 109 - 133.

    Zusätzliche Informationen

  2. Autor/innen: Oskar Baumgartner, E360; Zlatan Stanojevic; Hans Kosina, E360
    Andere beteiligte Personen: K. K. Sabelfeld; Ivan Dimov

    O. Baumgartner, Z. Stanojevic, H. Kosina:
    "Monte Carlo Simulation of Electron Transport in Quantum Cascade Lasers";
    in: "Monte Carlo Methods and Applications", K. K. Sabelfeld, I. Dimov (Hrg.); De Gruyter, 2012, ISBN: 978-3-11-029347-0, S. 59 - 67.

  3. Autor/innen: Markus Bina, E360; Karl Rupp, E360
    Andere beteiligte Person: Klaus-Tibor Grasser, E360

    M. Bina, K. Rupp:
    "The Spherical Harmonics Expansion Method for Assessing Hot Carrier Degradation";
    in: "Hot Carrier Degradation in Semiconductor Devices", T. Grasser (Hrg.); Springer International Publishing, 2015, ISBN: 978-3-319-08993-5, S. 197 - 220.

    Zusätzliche Informationen

  4. Autor/innen: Hajdin Ceric, E360; Rene Heinzl, E360; Christian Hollauer, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360

    H. Ceric, R. Heinzl, Ch. Hollauer, T. Grasser, S. Selberherr:
    "Microstructure and Stress Aspects of Electromigration Modeling";
    in: "Stress-Induced Phenomena in Metallization", American Institute of Physics, Melville, 2006, ISBN: 0-7354-03104, S. 262 - 268.

  5. Autor/innen: Johann Cervenka, E360; Paul Ellinghaus, E360; Mihail Nedjalkov, E360
    Andere beteiligte Personen: Ivan Dimov; Stefka Fidanova; Ivan Lirkov

    J. Cervenka, P. Ellinghaus, M. Nedjalkov:
    "Deterministic Solution of the Discrete Wigner Equation";
    in: "Numerical Methods and Applications", I. Dimov, S. Fidanova, I. Lirkov (Hrg.); Springer International Publishing, 2015, ISBN: 978-3-319-15584-5, S. 149 - 156.

    Zusätzliche Informationen

  6. Autor/innen: Johann Cervenka, E360; Paul Ellinghaus, E360; Mihail Nedjalkov, E360; Erasmus Langer, E360
    Andere beteiligte Personen: Ivan Lirkov; S. Margenov; J. Wasniewski

    J. Cervenka, P. Ellinghaus, M. Nedjalkov, E. Langer:
    "Optimization of the Deterministic Solution of the Discrete Wigner Equation";
    in: "Lecture Notes in Computer Science", 9374; I. Lirkov, S. Margenov, J. Wasniewski (Hrg.); Springer, 2015, ISBN: 978-3-319-26519-3, S. 269 - 276.

    Zusätzliche Informationen

  7. Autor/innen: Johann Cervenka, E360; Aleksandar Zoric; Todor Gurov; G. Arsov

    J. Cervenka, A. Zoric, T. Gurov, G. Arsov:
    "GRINKO - Grid e-Infrastructure and Networking with Kosovo";
    in: "JOINT RESEARCH AND TECHNOLOGY DEVELOPMENT Projects 2007-2010", KAIP, 2010, S. 150 - 162.

  8. Autor/innen: Ivan Dimov; Mihail Nedjalkov, E360; J. M. Sellier; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: Giovanni Russo; Vincenzo Capasso; Giuseppe Nicosia; Vittorio Romano

    I. Dimov, M. Nedjalkov, J. M. Sellier, S. Selberherr:
    "Neumann Series Analysis of the Wigner Equation Solution";
    in: "Progress in Industrial Mathematics at ECMI 2014, Mathematics in Industry", 22; G. Russo, V. Capasso, G. Nicosia, V. Romano (Hrg.); Springer International Publishing, 2016, (eingeladen), ISBN: 978-3-319-23412-0, S. 701 - 707.

    Zusätzliche Informationen

  9. Autor/innen: Paul Ellinghaus, E360; Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    P. Ellinghaus, M. Nedjalkov, S. Selberherr:
    "Efficient Calculation of the Two-Dimensional Wigner Potential";
    in: "The 17th International Workshop on Computational Electronics (IWCE)", IEEE Xplore, 2014, ISBN: 978-1-4799-5433-9, S. 1 - 3.

    Zusätzliche Informationen

  10. Autor/innen: Paul Ellinghaus, E360; Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    P. Ellinghaus, M. Nedjalkov, S. Selberherr:
    "Implications of the Coherence Length on the Discrete Wigner Potential";
    in: "The 17th International Workshop on Computational Electronics (IWCE)", IEEE Xplore, 2014, ISBN: 978-1-4799-5433-9, S. 1 - 3.

    Zusätzliche Informationen

  11. Autor/innen: Paul Ellinghaus, E360; Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: Ivan Dimov; Stefka Fidanova; Ivan Lirkov

    P. Ellinghaus, M. Nedjalkov, S. Selberherr:
    "Optimized Particle Regeneration Scheme for the Wigner Monte Carlo Method";
    in: "Lecture Notes in Computer Science", 8962; I. Dimov, S. Fidanova, I. Lirkov (Hrg.); Springer International Publishing, 2015, ISBN: 978-3-319-15584-5, S. 27 - 33.

    Zusätzliche Informationen

  12. Autor/innen: Paul Ellinghaus, E360; Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: Ivan Lirkov; S. Margenov; J. Wasniewski

    P. Ellinghaus, M. Nedjalkov, S. Selberherr:
    "The Influence of Electrostatic Lenses on Wave Packet Dynamics";
    in: "Lecture Notes in Computer Science", 9374; I. Lirkov, S. Margenov, J. Wasniewski (Hrg.); Springer, 2015, ISBN: 978-3-319-26519-3, S. 277 - 284.

    Zusätzliche Informationen

  13. Autor/innen: Lado Filipovic, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: Ivan Lirkov; S. Margenov; J. Wasniewski

    L. Filipovic, S. Selberherr:
    "A Monte Carlo Simulator for Non-contact Mode Atomic Force Microscopy";
    in: "Lecture Notes in Computer Science, Vol. 7116", I. Lirkov, S. Margenov, J. Wasniewski (Hrg.); Springer, 2012, ISBN: 978-3-642-29842-4, S. 447 - 454.

    Zusätzliche Informationen

  14. Autor/innen: Lado Filipovic, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: K. K. Sabelfeld; Ivan Dimov

    L. Filipovic, S. Selberherr:
    "A Two-Dimensional Lorentzian Distribution for an Atomic Force Microscopy Simulator";
    in: "Monte Carlo Methods and Applications", K. K. Sabelfeld, I. Dimov (Hrg.); De Gruyter, 2012, ISBN: 978-3-11-029347-0, S. 97 - 104.

    Zusätzliche Informationen

  15. Autor/innen: Lado Filipovic, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: Y. Omura; J. A. Martino; J.-P. Raskin; Siegfried Selberherr, E360; H. Ishii; Francisco Gamiz; B.-Y. Nguyen

    L. Filipovic, S. Selberherr:
    "Stress Considerations in Thin Films for CMOS-Integrated Gas Sensors";
    in: "Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 17", Y. Omura, J. A. Martino, J.-P. Raskin, S. Selberherr, H. Ishii, F. Gamiz, B.-Y. Nguyen (Hrg.); The Electrochemical Society, 2015, ISBN: 978-1-62332-238-0, S. 243 - 250.

    Zusätzliche Informationen

  16. Autor/innen: Lado Filipovic, E360; Siegfried Selberherr, E360; Giorgio C. Mutinati; Elise Brunet; S. Steinhauer; Anton Köck; Jordi Teva; J. Kraft; Joerg Siegert; F. Schrank; Christian Gspan; Werner Grogger
    Andere beteiligte Personen: Gi-Chul Yang; Sio-Long Ao; Len Gelman

    L. Filipovic, S. Selberherr, G. Mutinati, E. Brunet, S. Steinhauer, A. Köck, J. Teva, J. Kraft, J. Siegert, F. Schrank, C. Gspan, W. Grogger:
    "Modeling and Analysis of Spray Pyrolysis Deposited SnO2 Films for Gas Sensors";
    in: "Transactions on Engineering Technologies", G.-C. Yang, S.-L. Ao, L. Gelman (Hrg.); Springer, 2014, ISBN: 978-94-017-8831-1, S. 295 - 310.

    Zusätzliche Informationen

  17. Autor/innen: Andreas Gehring, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Gehring, S. Selberherr:
    "Tunneling Models for Semiconductor Device Simulation";
    in: "Handbook of Theoretical and Computational Nanotechnology", herausgegeben von: Forschungszentrum Karlsruhe; American Scientific Publishers, Los Angeles, 2006, ISBN: 1-58883-042-x, S. 469 - 543.

  18. Autor/innen: Joydeep Ghosh, E360; Dimitry Osintsev, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: Y. Omura; J. A. Martino; J.-P. Raskin; Siegfried Selberherr, E360; H. Ishii; Francisco Gamiz; B.-Y. Nguyen

    J. Ghosh, D. Osintsev, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Variation of Spin Lifetime with Spin Injection Orientation in Strained Thin Silicon Films";
    in: "Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 17", Y. Omura, J. A. Martino, J.-P. Raskin, S. Selberherr, H. Ishii, F. Gamiz, B.-Y. Nguyen (Hrg.); The Electrochemical Society, 2015, ISBN: 978-1-62332-238-0, S. 233 - 240.

    Zusätzliche Informationen

  19. Autor/innen: Joydeep Ghosh, E360; Dimitry Osintsev, E360; Viktor Sverdlov, E360; Josef Weinbub, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: Ivan Lirkov; S. Margenov; J. Wasniewski

    J. Ghosh, D. Osintsev, V. Sverdlov, J. Weinbub, S. Selberherr:
    "Evaluation of Spin Lifetime in Thin-Body FETs: A High Performance Computing Approach";
    in: "Lecture Notes in Computer Science", 9374; I. Lirkov, S. Margenov, J. Wasniewski (Hrg.); Springer, 2015, ISBN: 978-3-319-26519-3, S. 285 - 292.

    Zusätzliche Informationen

  20. Autor/innen: Joydeep Ghosh, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    J. Ghosh, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Spin Diffusion and the Role of Screening Effects in Semiconductors";
    in: "The 17th International Workshop on Computational Electronics (IWCE)", IEEE Xplore, 2014, ISBN: 978-1-4799-5433-9, S. 1 - 4.

    Zusätzliche Informationen

  21. Autor/innen: Wolfgang Gös, E360; Franz Schanovsky, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360
    Andere beteiligte Person: Klaus-Tibor Grasser, E360

    W. Gös, F. Schanovsky, T. Grasser:
    "Advanced Modeling of Oxide Defects";
    in: "Bias Temperature Instability for Devices and Circuits", T. Grasser (Hrg.); Springer New York, 2013, ISBN: 978-1-4614-7909-3, S. 409 - 446.

    Zusätzliche Informationen

  22. Autor/innen: Wolfgang Gös, E360; Franz Schanovsky, E360; Philipp Paul Hehenberger, E360; Paul-Jürgen Wagner, E360; Klaus-Tibor Grasser, E360

    W. Gös, F. Schanovsky, Ph. Hehenberger, P.-J. Wagner, T. Grasser:
    "Charge Trapping and the Negative Bias Temperature Instability";
    in: "Physics and Technology of High-k Materials 8", ECS Transactions, 2010, (eingeladen), ISBN: 978-1-56677-822-0, S. 565 - 589.

  23. Autor/in: Klaus-Tibor Grasser, E360

    T. Grasser:
    "Closure Relations for Macroscopic Transport Models in Semiconductor Device Simulation";
    in: "Recent Research Developments in Applied Physics Vol. 7 - 2004 Part II", herausgegeben von: S.G. Pandalai; Transworld Research Network, 2004, (eingeladen), ISBN: 81-7895-156-8, S. 423 - 446.

  24. Autor/in: Klaus-Tibor Grasser, E360
    Andere beteiligte Person: Klaus-Tibor Grasser, E360

    T. Grasser:
    "The Capture/Emission Time Map Approach to the Bias Temperature Instability";
    in: "Bias Temperature Instability for Devices and Circuits", T. Grasser (Hrg.); Springer New York, 2013, ISBN: 978-1-4614-7909-3, S. 447 - 481.

  25. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Wolfgang Gös, E360; Ben Kaczer
    Andere beteiligte Personen: R. Ekwal Sah; J. Zhang; J. Deen; J. Yota; A. Toriumi

    T. Grasser, W. Gös, B. Kaczer:
    "Critical Modeling Issues in Negative Bias Temperature Instability";
    in: "215th ECS Meeting", R. Ekwal Sah, J. Zhang, J. Deen, J. Yota, A. Toriumi (Hrg.); ECS Transactions, 2009, (eingeladen), S. 265 - 287.

    Zusätzliche Informationen

  26. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Wolfgang Gös, E360; Ben Kaczer

    T. Grasser, W. Gös, B. Kaczer:
    "Towards Engineering Modeling of Negative Bias Temperature Instability";
    in: "Defects in Microelectronic Materials and Devices", herausgegeben von: D. Fleetwood, R. Schrimpf, S. Pantelides; Taylor and Francis/CRC Press, 2008, (eingeladen), ISBN: 1420043765, S. 399 - 436.

  27. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Person: Klaus-Tibor Grasser, E360

    T. Grasser, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Hot Carrier Effects within Macroscopic Transport Models";
    in: "Advanced Device Modeling and Simulation", T. Grasser (Hrg.); World Scientific Publishing Co., Singapore, 2003, ISBN: 9-812-38607-6, S. 173 - 201.

  28. Autor/innen: Klaus-Tibor Grasser, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: S. Luryi; J. Xu; A. Zaslavsky

    T. Grasser, S. Selberherr:
    "Current Transport Models for Engineering Applications";
    in: "Future Trends in Microelectronics", S. Luryi, J. Xu, A. Zaslavsky (Hrg.); John Wiley & Sons, 2002, (eingeladen), ISBN: 0-471-21247-4, S. 87 - 98.

  29. Autor/innen: T.V. Gurov; E. Atanassov; Ivan Dimov; Vassil Palankovski, E360

    T.V. Gurov, E. Atanassov, I. Dimov, V. Palankovski:
    "Femtosecond Evolution of Spatially Inhomogeneous Carrier Excitations Part II: Stochastic Approach and Grid Implementation";
    in: "Lecture Notes in Computer Science Vol. 3743", Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg, 2006, ISBN: 3-540-31994-8, S. 157 - 163.

  30. Autor/innen: T.V. Gurov; E. Atanassov; Mihail Nedjalkov, E360; Ivan Dimov

    T.V. Gurov, E. Atanassov, M. Nedjalkov, I. Dimov:
    "Modeling of Carrier Transport in Nanowires";
    in: "Lecture Notes in Computing Sciences Vol. 4487", Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg, 2007, S. 739 - 746.

  31. Autor/innen: E. A. Gutierrez-Dominguez; Francisco Gamiz; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360; Alfonso Torres-Jacome
    Andere beteiligte Person: E. A. Gutierrez-Dominguez

    E. Gutierrez-Dominguez, F. Gamiz, V. Sverdlov, S. Selberherr, A. Torres-Jacome:
    "Device Physics, Modeling, and Technology for Nanoscaled Semiconductor Devices";
    in: "Nano-Scaled Semiconductor Technologies: Physics, Modelling, Characterisation, and Societal Impact", 27; E. Gutierrez-Dominguez (Hrg.); Institution of Engineering and Technology, 2016, ISBN: 978-1-84919-930-8, S. 17 - 185.

    Zusätzliche Informationen

  32. Autor/innen: Rene Heinzl, E360; Philipp Schwaha, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: J. Filipe; B. Shishkov; M. Helfert; L.A. Maciaszek

    R. Heinzl, P. Schwaha, S. Selberherr:
    "Modern Concepts for High-Perfomance Scientific Computing";
    in: "Software and Data Technologies", J. Filipe, B. Shishkov, M. Helfert, L. Maciaszek (Hrg.); Springer, 2009, ISBN: 978-3-540-88654-9, S. 89 - 100.

  33. Autor/innen: Rene Heinzl, E360; Michael Spevak, E360; Philipp Schwaha, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: B. Kaagström; Erik Elmroth; Jack Dongarra; J. Wasniewski

    R. Heinzl, M. Spevak, P. Schwaha, S. Selberherr:
    "A High Performance Generic Scientific Simulation Environment";
    in: "Lecture Notes in Computer Science, Vol. 4699", B. Kaagström, E. Elmroth, J. Dongarra, J. Wasniewski (Hrg.); Springer, 2007, ISBN: 978-3-540-75754-2, S. 996 - 1005.

    Zusätzliche Informationen

  34. Autor/innen: Christian Hollauer, E360; Hajdin Ceric, E360; Siegfried Selberherr, E360

    Ch. Hollauer, H. Ceric, S. Selberherr:
    "Three-Dimensional Simulation of Thermal Oxidation and the Influence of Stress";
    in: "Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface-5, Vol. 1 No. 1", herausgegeben von: H.Z. Massoud, J.H. Stathis, T. Hattori, D. Misra, I. Baumvol; ECS Transactions, Pennington, 2005, ISBN: 1-56677-430-6, S. 103 - 113.

  35. Autor/innen: Ben Kaczer; Klaus-Tibor Grasser, E360; R. Fernandez; G. Groeseneken
    Andere beteiligte Personen: R. Sah; J. Zhang; Y. Kamakura; M. Deen; J. Yota

    B. Kaczer, T. Grasser, R. Fernandez, G. Groeseneken:
    "Toward Understanding the Wide Distribution of Time Scales in Negative Bias Temperature Instability";
    in: "Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging Dielectrics 9", R. Sah, J. Zhang, Y. Kamakura, M. Deen, J. Yota (Hrg.); ECS Transactions, Pennington, 2007, (eingeladen), ISBN: 978-1-56677-552-6, S. 265 - 281.

  36. Autor/innen: Ben Kaczer; Klaus-Tibor Grasser, E360; J. Franco; M. Toledano-Luque; Ph. J. Roussel; M. Cho; E. Simoen; G. Groeseneken
    Andere beteiligte Personen: Ricardo Reis; Yu Cao; G. Wirth

    B. Kaczer, T. Grasser, J. Franco, M. Toledano-Luque, Ph. J. Roussel, M. Cho, E. Simoen, G. Groeseneken:
    "Recent Trends in Bias Temperature Instability";
    in: "Circuit Design for Reliability", R. Reis, Y. Cao, G. Wirth (Hrg.); Springer New York, 2015, ISBN: 978-1-4614-4077-2, S. 5 - 19.

    Zusätzliche Informationen

  37. Autor/innen: Hossein Karamitaheri, E360; Mahdi Pourfath, E360; R. Faez; Hans Kosina, E360
    Andere beteiligte Personen: Z. Karim; D. Misra; P. Srinivasan; Y. Obeng; S. De Gendt

    H. Karamitaheri, M. Pourfath, R. Faez, H. Kosina:
    "An Investigation of the Geometrical Effects on the Thermal Conductivity of Graphene Antidot Lattices";
    in: "Dielectrics in Nanosystems -and- Graphene, Ge/III-V, Nanowires and Emerging Materials for Post-CMOS Applications 3", Z. Karim, D. Misra, P. Srinivasan, Y. Obeng, S. De Gendt (Hrg.); ECS Transactions, 2011, ISBN: 978-1-56677-864-0, S. 185 - 192.

  38. Autor/innen: Gerhard Karlowatz, E360; Stephan Enzo Ungersböck, E360; Wilfried Wessner, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: D. Harame; J. Boquet; M. Caymax; J. Cressler; H. Iwai; S. Koester; G. Masini; J. Murota; A. Reznicek; K. Rim; B. Tillack; S. Zaima

    G. Karlowatz, E. Ungersböck, W. Wessner, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Analysis of Hole Transport in Arbitrarily Strained Germanium";
    in: "SiGe and Ge: Materials, Processing, and Devices, Vol. 3, No. 7", D. Harame, J. Boquet, M. Caymax, J. Cressler, H. Iwai, S. Koester, G. Masini, J. Murota, A. Reznicek, K. Rim, B. Tillack, S. Zaima (Hrg.); herausgegeben von: The Electrochemical Society; ECS Transactions, 2006, ISBN: 1-56677-507-8, S. 443 - 450.

    Zusätzliche Informationen

  39. Autor/innen: Markus Karner, E360; Andreas Gehring, E360; Stefan Holzer, E360; Hans Kosina, E360

    M. Karner, A. Gehring, S. Holzer, H. Kosina:
    "Efficient Calculation of Quasi-bound States for the Simulation of Direct Tunneling";
    in: "Lecture Notes in Computer Science Vol. 3743", Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg, 2006, ISBN: 3-540-31994-8, S. 572 - 577.

  40. Autor/innen: Markus Karner, E360; Andreas Gehring, E360; Stefan Holzer, E360; Hans Kosina, E360

    M. Karner, A. Gehring, S. Holzer, H. Kosina:
    "On the Efficient Calculation of Quasi-Bound States for the Simulation of Direct Tunneling";
    in: "Springer Lecture Notes", Springer, 2005, S. 33 - 34.

  41. Autor/innen: Markus Karner, E360; Andreas Gehring, E360; Stefan Holzer, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: S. Kar; S. De Gendt; M. Houssa; D. Landheer; D. Misra; W. Tsai

    M. Karner, A. Gehring, S. Holzer, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Efficient Calculation of Lifetime Based Direct Tunneling Through Stacked Dielectrics";
    in: "Physics and Technology of High-k Gate Dielectrics III, Vol. 1 No. 5", S. Kar, S. De Gendt, M. Houssa, D. Landheer, D. Misra, W. Tsai (Hrg.); herausgegeben von: The Electrochemical Society; ECS Transactions, 2006, ISBN: 1-56677-444-6, S. 693 - 703.

    Zusätzliche Informationen

  42. Autor/innen: Markus Karner, E360; Stefan Holzer, E360; Wolfgang Gös, E360; Martin Vasicek, E360; Martin Wagner, E360; Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: S. Kar; S. De Gendt; M. Houssa; H. Iwai; D. Landheer; D. Misra

    M. Karner, S. Holzer, W. Gös, M. Vasicek, M. Wagner, H. Kosina, S. Selberherr:
    "Numerical Analysis of Gate Stacks";
    in: "Physics and Technology of High-k Gate Dielectrics 4, Vol. 3 No. 3", S. Kar, S. De Gendt, M. Houssa, H. Iwai, D. Landheer, D. Misra (Hrg.); herausgegeben von: The Electrochemical Society; ECS Transactions, 2006, ISBN: 1-56677-503-5, S. 299 - 308.

    Zusätzliche Informationen

  43. Autor/in: Hans Kosina, E360

    H. Kosina:
    "Nanoelectronic Device Simulation Based on the Wigner Function Formalism";
    in: "Physics and Modeling of Tera- and Nano-Devices", World Scientific Publishing Co., Singapore, 2008, ISBN: 978-981-277-904-5, S. 31 - 40.

  44. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Mihail Nedjalkov, E360
    Andere beteiligte Person: Klaus-Tibor Grasser, E360

    H. Kosina, M. Nedjalkov:
    "Particle Models for Device Simulation";
    in: "Advanced Device Modeling and Simulation", T. Grasser (Hrg.); World Scientific Publishing Co., Singapore, 2003, (eingeladen), ISBN: 9-812-38607-6, S. 27 - 69.

  45. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Mihail Nedjalkov, E360

    H. Kosina, M. Nedjalkov:
    "Wigner Function-Based Device Modeling";
    in: "Handbook of Theoretical and Computational Nanotechnology", herausgegeben von: Forschungszentrum Karlsruhe; American Scientific Publishers, Los Angeles, 2006, ISBN: 1-58883-042-x, S. 731 - 763.

  46. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: Ivan Lirkov; S. Margenov; J. Wasniewski; P. Yalamov

    H. Kosina, M. Nedjalkov, S. Selberherr:
    "A Stable Backward Monte Carlo Method for the Solution of the Boltzmann Equation";
    in: "Lecture Notes in Computer Science, Vol. 2907", I. Lirkov, S. Margenov, J. Wasniewski, P. Yalamov (Hrg.); Springer, 2003, ISBN: 3-540-21090-3, S. 170 - 177.

  47. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Mihail Nedjalkov, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: S. Margenov; J. Wasniewski; P. Yalamov

    H. Kosina, M. Nedjalkov, S. Selberherr:
    "Monte Carlo Analysis of the Small-Signal Response of Charge Carriers";
    in: "Lecture Notes in Computer Science, Vol. 2179", S. Margenov, J. Wasniewski, P. Yalamov (Hrg.); Springer, 2001, ISBN: 3-540-43043-1, S. 175 - 182.

  48. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: H. Iwai; Y Nishida; M. Shur; H. Wong

    H. Kosina, S. Selberherr:
    "Device Simulation Demands of Upcoming Microelectronics Devices";
    in: "Frontiers in Electronics", H. Iwai, Y. Nishida, M. Shur, H. Wong (Hrg.); World Scientific Publishing Co., 2006, ISBN: 978-981-256-884-7, S. 115 - 136.

    Zusätzliche Informationen

  49. Autor/innen: Hans Kosina, E360; Karl Wimmer, E360; Claus Fischer, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Person: Masao Doyama

    H. Kosina, K. Wimmer, C. Fischer, S. Selberherr:
    "Simulation of ULSI Processes and Devices";
    in: "Computer Aided Innovation of New Materials", M. Doyama et al. (Hrg.); North Holland Publishing Company, 1991, (eingeladen), ISBN: 0-444-88864-0, S. 723 - 728.

  50. Autor/innen: Volodymyr Kysenko; Karl Rupp, E360; Oleksandr Marchenko; Siegfried Selberherr, E360; Anatoly Anisimov
    Andere beteiligte Personen: Gosse Bouma; Ashwin Ittoo; Elisabeth Metais; Hans Wortmann

    V. Kysenko, K. Rupp, O. Marchenko, S. Selberherr, A. Anisimov:
    "GPU-Accelerated Non-negative Matrix Factorization for Text Mining";
    in: "Lecture Notes in Computer Science, Vol. 7337", G. Bouma, A. Ittoo, E. Metais, H. Wortmann (Hrg.); Springer, 2012, ISBN: 978-3-642-31177-2, S. 158 - 163.

    Zusätzliche Informationen

  51. Autor/innen: Erasmus Langer, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: Hans-Joachim Bungartz; Franz Durst; Christoph Zenger

    E. Langer, S. Selberherr:
    "Advanced Models, Applications, and Software Systems for High Performance Computing-Application in Microelectronics";
    in: "High Performance Scientific and Engineering Computing", H.J. Bungartz, F. Durst, C. Zenger (Hrg.); Springer, 1999, (eingeladen), ISBN: 3-540-65730-4, S. 291 - 308.

    Zusätzliche Informationen

  52. Autor/innen: Erasmus Langer, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Person: R. Helbig

    E. Langer, S. Selberherr:
    "Prozeßsimulation: Stand der Technik";
    in: "Festkörperprobleme 36", R. Helbig (Hrg.); Vieweg, 1996, (eingeladen), ISBN: 3-528-08043-4, S. 203 - 243.

  53. Autor/innen: Hiwa Mahmoudi, E360; Thomas Windbacher, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Person: Andrzej Napieralski

    H. Mahmoudi, T. Windbacher, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Compact Modeling of Memristive IMP Gates for Reliable Stateful Logic Design";
    in: "Proceedings of the 21st International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems", A. Napieralski (Hrg.); Department of Microelectronics and Computer Science, Lodz University of Technology, Poland, 2014, ISBN: 978-83-63578-04-6, S. 58 - 61.

  54. Autor/innen: Hiwa Mahmoudi, E360; Thomas Windbacher, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Person: T. Brozek

    H. Mahmoudi, T. Windbacher, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Stateful STT-MRAM-Based Logic for Beyond-Von Neumann Computing";
    in: "Stateful STT-MRAM-Based Logic for Beyond-Von Neumann Computing", T. Brozek (Hrg.); herausgegeben von: CRC Press; CRC Press, 2014, ISBN: 978-1-4822-1490-1, S. 221 - 259.

  55. Autor/innen: Alexander Makarov, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Person: G Lee

    A. Makarov, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Composite Magnetic Tunnel Junctions for Fast Memory Devices and Efficient Spin-Torque Nano-Oscillators";
    in: "Future Information Engineering", G. Lee (Hrg.); WITPRESS, 2014, ISBN: 978-1-84564-855-8, S. 391 - 398.

    Zusätzliche Informationen

  56. Autor/innen: Alexander Makarov, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: S. Luryi; J. Xu; A. Zaslavsky

    A. Makarov, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Magnetic Tunnel Junctions with a Composite Free Layer: A New Concept for Future Universal Memory";
    in: "Future Trends in Microelectronics - Frontiers and Innovations", S. Luryi, J. Xu, A. Zaslavsky (Hrg.); John Wiley & Sons, 2013, (eingeladen), ISBN: 978-1118-44216-6, S. 93 - 101.

    Zusätzliche Informationen

  57. Autor/innen: Alexander Makarov, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: Ivan Dimov; Stefka Dimova; Natalia T. Kolkovska

    A. Makarov, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Modeling of the SET and RESET Process in Bipolar Resistive Oxide-Based Memory Using Monte Carlo Simulations";
    in: "Lecture Notes in Computer Science, Vol. 6046", I. Dimov, S. Dimova, N. T. Kolkovska (Hrg.); Springer, 2011, ISBN: 978-3-642-18465-9, S. 87 - 94.

    Zusätzliche Informationen

  58. Autor/innen: Alexander Makarov, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Makarov, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "MTJs with a Composite Free Layer for High-Speed Spin Transfer Torque RAM: Micromagnetic Simulations";
    in: "The 15th International Workshop on Computational Electronics (IWCE)", IEEE Xplore, 2012, ISBN: 978-1-4673-0705-5, S. 1 - 4.

    Zusätzliche Informationen

  59. Autor/innen: Alexander Makarov, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360

    A. Makarov, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "New Trends in Microelectronics: Towards an Ultimate Memory Concept";
    in: "The 8th International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems", IEEE Xplore, 2012, ISBN: 978-1-4577-1116-9, S. 1 - 4.

    Zusätzliche Informationen

  60. Autor/innen: Alexander Makarov, E360; Viktor Sverdlov, E360; Siegfried Selberherr, E360
    Andere beteiligte Personen: Sorin Cristoloveanu, IMEP; M. Shur

    A. Makarov, V. Sverdlov, S. Selberherr:
    "Progress in Magnetoresistive Memory: Magnetic Tunnel Junctions with a Composite Free Layer";
    in: "Frontiers in Electronics", S. Cristoloveanu, M. Shur (Hrg.); World Scientific Publishing Co., 2015, (eingeladen), ISBN: 978-981-4651-76-9, S. 1 - 15.

    Zusätzliche Informationen

  61. Autor/innen: Paul Manstetten, E360; Lado Filipovic, E360; Andreas Hössinger, E360; Josef Weinbub, E360; Siegfried Selberherr, E360

    P. Manstetten, L. Filipovic, A. Hössinger, J. Weinbub, S. Selberherr:
    "Using One-Dimensional Radiosity to Model Neutral Particle Flux in High Aspect Ratio Holes";
    in: "Proceedings of the 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)", IEEE Xplore, 2016, ISBN: 978-1-4673-8608-1, S. 120 - 123.

    Zusätzliche Informationen

  62. Autor/innen: Jan-Frederik Mennemann, E101 - 1; Ansgar Jüngel, E101 - 1; Hans Kosina, E360

    J.-F. Mennemann, A. Jüngel, H. Kosina:
    "Transient Schrödinger-Poisson simulations of a high-frequency resonant tunneling diode oscillator";
    in: "ASC Report 17/2012", herausgegeben von: Institute for Analysis and Scientific Computing; Vienna University of Technology, Wien, 2012, ISBN: 978-3-902627-05-6, S. 1 - 30.

  63. Autor/in: Mihail Nedjalkov, E360
    Andere beteiligte Personen: A D´Amico; G Balestrino; A Paoletti

    M. Nedjalkov:
    "Wigner Transport in Presence of Phonons: Particle Models of the Electron Kinetics";
    in: "From Nanostructures to Nanosensing Applications Volume 160", A. D´Amico, G. Balestrino, A. Paoletti (Hrg.); herausgegeben von: Societa Italiana Di Fisica; IOS Press, Amsterdam, 2005, (eingeladen), ISBN: 1-58603-527-4, S. 55 - 103.

  64. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; T.V. Gurov; Hans Kosina, E360; Dragica Vasileska; Vassil Palankovski, E360

    M. Nedjalkov, T.V. Gurov, H. Kosina, D. Vasileska, V. Palankovski:
    "Femtosecond Evolution of Spatially Inhomogeneous Carrier Excitations Part I: Kinetic Approach";
    in: "Lecture Notes in Computer Science Vol. 3743", Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg, 2006, ISBN: 3-540-31994-8, S. 149 - 156.

  65. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; T.V. Gurov; Hans Kosina, E360; P.A. Whitlock

    M. Nedjalkov, T.V. Gurov, H. Kosina, P.A. Whitlock:
    "Statistical Algorithms for Simulation of Electron Quantum Kinetics in Semiconductors - Part II";
    in: "Springer Lecture Notes", Springer, 2001, S. A-27 - A-28.

  66. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; T.V. Gurov; Hans Kosina, E360; P.A. Whitlock
    Andere beteiligte Personen: S. Margenov; J. Wasniewski; P. Yalamov

    M. Nedjalkov, T.V. Gurov, H. Kosina, P.A. Whitlock:
    "Statistical Algorithms for Simulation of Quantum Kinetics in Semiconductors - Part II";
    in: "Large-Scale Scientific Computing", S. Margenov, J. Wasniewski, P. Yalamov (Hrg.); Springer, 2001, ISBN: 3-540-43043-1, S. 183 - 190.

  67. Autor/innen: Mihail Nedjalkov, E360; Hans Kosina, E360;