Zeitschriftenartikel:
G. Kaiblinger-Grujin, H. Kosina, S. Selberherr:
"Influence of the Doping Element on the Electron Mobility in n-Silicon";
Journal of Applied Physics,
83
(1998),
6;
S. 3096
- 3101.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1063/1.367067
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_1998/JB1998_Kaiblinger_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.