[Zurück]


Zeitschriftenartikel:

V. Palankovski, R. Schultheis, A. Bonacina, S. Selberherr:
"Effectiveness of Silicon Nitride Passivation in III-V Based Heterojunction Bipolar Transistors";
Radiation Effects and Defects in Solids, 156 (2001), 1-4; S. 261 - 265.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1080/10420150108216903

Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2002/JB2001_Palankovski_4.pdf


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universitšt Wien.