Zeitschriftenartikel:
V. Palankovski, R. Schultheis, A. Bonacina, S. Selberherr:
"Effectiveness of Silicon Nitride Passivation in III-V Based Heterojunction Bipolar Transistors";
Radiation Effects and Defects in Solids,
156
(2001),
1-4;
S. 261
- 265.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1080/10420150108216903
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2002/JB2001_Palankovski_4.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.