Zeitschriftenartikel:
P. Habas, S. Selberherr:
"On the Effect of Non-Degenerate Doping of Polysilicon Gate in Thin Oxide MOS-Devices - Analytical Modeling";
Solid-State Electronics,
33
(1990),
12;
S. 1539
- 1544.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(90)90134-Z
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_1990/JB1990_Habas_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.