Zeitschriftenartikel:
P. Habas:
"The Application of Charge-Pumping Technique to Characterize the Si/Si02 Interface in Power VDMOSFETs";
Microelectronic Engineering,
28
(1995),
1-4;
S. 171
- 174.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(95)00038-A
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2013/JB1995_Habas_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.