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Zeitschriftenartikel:
H. Puchner, S. Selberherr:
"An Advanced Model for Dopant Diffusion in Polysilicon";
IEEE Transactions on Electron Devices, 42 (1995), 10; S. 1750 - 1755.

"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/16.464423
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_1995/JB1995_Puchner_1.pdf

Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.