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Zeitschriftenartikel:

T. Ayalew, A. Gehring, J.M. Park, T. Grasser, S. Selberherr:
"Improving SiC Lateral DMOSFET Reliability under High Field Stress";
Microelectronics Reliability, 43 (2003), 9-11; S. 1889 - 1894.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1016/S0026-2714(03)00321-4

Online-Bibliotheks-Katalog der TU Wien:
http://aleph.ub.tuwien.ac.at/F?base=tuw01&func=find-c&ccl_term=AC04403712

Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2004/JB2003_Ayalew_1.pdf


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universitšt Wien.