Zeitschriftenartikel:
M. Budil, E. Guerrero, T. Brabec, S. Selberherr, H. Pötzl:
"A New Model for the Determination of Point Defect Equilibrium Concentrations in Silicon";
COMPEL - The International Journal for Computation and Mathematics in Electrical and Electronic Engineering,
6
(1987),
1;
S. 37
- 44.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1108/eb010299
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2013/JB1987_Budil_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.