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Zeitschriftenartikel:

J.M. Park, R. Klima, S. Selberherr:
"High-Voltage Lateral Trench Gate SOI-LDMOSFETs";
Microelectronics Journal, 35 (2004), 3; S. 299 - 304.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00192-7

Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2004/JB2004_Park_1.pdf



Zugeordnete Projekte:
Projektleitung Siegfried Selberherr:
SIM


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universitšt Wien.