Zeitschriftenartikel:
J.M. Park, R. Klima, S. Selberherr:
"High-Voltage Lateral Trench Gate SOI-LDMOSFETs";
Microelectronics Journal,
35
(2004),
3;
S. 299
- 304.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00192-7
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2004/JB2004_Park_1.pdf
Zugeordnete Projekte:
Projektleitung Siegfried Selberherr:
SIM
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.