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Zeitschriftenartikel:
A. Schütz, S. Selberherr, H. Pötzl:
"A Two-Dimensional Model of the Avalanche Effect in MOS Transistors";
Solid-State Electronics, 25 (1982), 3; S. 177 - 183.

"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(82)90105-8
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/JB1982_Schuetz_1.pdf

Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.