Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
R. Wittmann, A. Hössinger, S. Selberherr:
"Monte Carlo Simulation of Ion Implantation for Doping of Strained Silicon MOSFETs";
Poster: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD),
Tokyo, Japan;
01.09.2005
- 03.09.2005; in: "Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)",
(2005),
ISBN: 4-9902762-0-5;
S. 191
- 194.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2005.201505
Online-Bibliotheks-Katalog der TU Wien:
http://aleph.ub.tuwien.ac.at/F?base=tuw01&func=find-c&ccl_term=AC05935507
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2006/CP2005_Wittmann_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.