Zeitschriftenartikel:
N. Khalil, J. Faricelli, D. Bell, S. Selberherr:
"The Extraction of Two-Dimensional MOS Transistor Doping via Inverse Modeling";
IEEE Electron Device Letters,
16
(1995),
1;
S. 17
- 19.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/55.363213
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_1995/JB1995_Khalil_2.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.