Buchbeiträge:
E. Ungersböck, V. Sverdlov, H. Kosina, S. Selberherr:
"Low-Field Electron Mobility in Stressed UTB SOI MOSFETs for Different Substrate Orientations";
in: "SiGe and Ge: Materials, Processing, and Devices, Vol. 3, No. 7",
D. Harame, J. Boquet, M. Caymax, J. Cressler, H. Iwai, S. Koester, G. Masini, J. Murota, A. Reznicek, K. Rim, B. Tillack, S. Zaima (Hrg.);
herausgegeben von: The Electrochemical Society;
ECS Transactions,
2006,
ISBN: 1-56677-507-8,
S. 45
- 54.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1149/1.2355793
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2007/JB2006_Ungersboeck_3.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.