Zeitschriftenartikel:
S. Dhar, H. Kosina, G. Karlowatz, E. Ungersböck, T. Grasser, S. Selberherr:
"High-Field Electron Mobility Model for Strained-Silicon Devices";
IEEE Transactions on Electron Devices,
53
(2006),
12;
S. 3054
- 3062.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/TED.2006.885639
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2007/JB2006_Dhar_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.