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Zeitschriftenartikel:

S. Dhar, E. Ungersböck, H. Kosina, T. Grasser, S. Selberherr:
"Electron Mobility Model for <110> Stressed Silicon Including Strain-Dependent Mass";
IEEE Transactions on Nanotechnology, 6 (2007), 1; S. 97 - 100.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/TNANO.2006.888533

Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2007/JB2007_Dhar_1.pdf


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.