Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
W. Gös, T. Grasser:
"First-Principles Investigation on Oxide Trapping";
Vortrag: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD),
Vienna, Austria;
25.09.2007
- 27.09.2007; in: "Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)",
T. Grasser, S. Selberherr (Hrg.);
Springer-Verlag Wien New York,
12
(2007),
ISBN: 978-3-211-72860-4;
S. 157
- 160.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_38
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2008/CP2007_Goes_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.