Zeitschriftenartikel:
T. Krishnamohan, C. Jungemann, D. Kim, E. Ungersböck, S. Selberherr, A.-T Pham, B. Meinerzhagen, P. Wong, Y. Nishida, K. Saraswat:
"High Performance, Uniaxially-Strained, Silicon and Germanium, Double-Gate p-MOSFETs";
Microelectronic Engineering,
84
(2007),
9-10;
S. 2063
- 2066.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2007.04.085
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2008/JB2007_Ungersboeck_2.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.