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C. Eisenmenger-Sittner, H. Bangert, H.Y. Joo, P.B. Barna, A. Kovács:
"Lamellares Wachstum in Al-Sn-Al Sandwich-Schichten";
Poster: FKA 12, Wien/Österreich; 22.09.2003 - 24.09.2003.

Bei der Abscheidung von Aluminium-Schichten auf einem dünnen Zinn-Film kommt es zur Ausbildung lamellarer Strukturen. Die Dicke der Lamellen hängt von der Abscheiderate der Al-Schicht ab. Der Entstehungsmechanismus der Lamellen sowie die Ratenabhängigkeit ihrer Dicke wird in dieser Arbeit mittels Festkörperanalytischer Methoden untersucht.

Al-Sn-Al Sandwich-Schichten wurden mittels Magnetronsputtern auf natürlich oxidiertem Si bei 180°C abgeschieden. Die Proben bestehen aus einer 400 nm dicken Al-Grundschicht, einer 10 nm dicken Sn Zwischenschicht und einer 400 nm dicken Al-Deckschicht. Grund- und Zwischenschicht wurden mit 0,4 bzw. 0,1 nm/s abgeschieden, die Deckschicht wurde mit 0,1-0,8 nm/s abgeschieden.

Rasterkraftmikroskopische Aufnahmen der Oberfläche der Deckschicht zeigen eine signifikante Verringerung der Korngröße mit steigender Depositionsrate. Transmissionselektronenmikroskopische Querpräparate der Proben zeigen eine Verringerung der Lamellendicke mit steigender Abscheiderate. Dieses Verhalten der Lamellendicke wird mit einem Modell, welches die Korngrenzendiffusion von Sn sowie dessen Oxidation an der Wachstumsfront der Schicht beinhaltet, beschrieben.

Danksagung: Diese Arbeit wird durch den FWF, Projekt Nr. P-15739 und durch die "Hungarian National Science Foundation", contract No. OTKA T033075, finanziell unterstützt