Vorträge und Posterpräsentationen (ohne Tagungsband-Eintrag):
B. Schwarz, C. Schrank, C. Eisenmenger-Sittner, H. Bangert:
"Thermisch induzierte Entnetzung von Kupferschichten auf Kohlenstoff";
Poster: 12. Festkörperanalytiktagung 2003,
Wien/Österreich;
22.09.2003
- 24.09.2003.
Kurzfassung deutsch:
Aus der Gasphase bei Raumtemperatur abgeschiedene Kupferfilme mit einer Dicke von ca. 1 µm zeigen auf glasartigen Kohlenstoffoberflächen, welche mit Stickstoffplasma vorbehandelt wurden, exzellente Haftung. Werden die Cu-Schichten jedoch einer Temperaturbehandlung von 800°C unter Vakuumbedingungen unterzogen, so reduziert sich die Schichthaftung drastisch.
Dieser Adhäsionsverlust ist auf Entnetzungsphänomene, welche durch die Rekristallisation der Cu-Schicht hervorgerufen werden, zurückzuführen . Im Rahmen dieser Arbeit wird der Entnetzungsvorgang mittels Rasterkraftmikroskopie und Transmissionselektronen-mikroskopie detailliert untersucht. Es zeigt sich, dass Korngrenzen in der Schicht, welche sich beim Rekristallisationsvorgang bilden, nicht nur an der Grenzfläche Schicht/Vakuum, sondern auch an der Grenzfläche Schicht/Kohlenstoff von "Einschnürungen" (engl. "Grain Boundary Grooves") terminiert werden. Diese Einschnürungen sind Keime für die Bildung von Löchern, welche die erste Stufe der Entnetzung darstellen. Die Lochbildungszeiten werden mit verschiedenen Modellen des Entnetzungsvorganges berechnet.
Danksagung: Diese Arbeit wird durch den FWF, Projekt Nr. P-14534, finanziell unterstützt
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.