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D. Süss:
"Computational Material Science in der Entwicklung magnetischer Datenspeicher";
Vortrag: Seminar Institut für Allgemeine Physik (IAP), TU Wien; 11.12.2007.

Das gezielte Design von Nanostrukturen führt zu einer exponentiell wachsenden Speicherdichte von magnetischen Datenspeichern. Im Rahmen dieses Kolloquiums wird die Bedeutung von computerunterstütztem Materialdesign für die Entwicklung von Festplatten gezeigt. Für die Erforschung und Optimierung wechselwirkender magnetischer Nanostrukturen müssen komplexe numerische Methoden angewendet, die im Rahmen des Kolloquiums kurz gestreift werden. Neben der Finite-Elemente-Methode (FEM) wird die Randelement-Methode (BEM), hierachische Matrizen, vorkonditionierte Zeitintegrationsmethode, wie auch globale Optimierungsroutinen auf der Basis von neuronalen Netzen und "simulated annealing" angewendet, um magnetische Strukturen mit ausgezeichneten magnetischen Eigenschaften zu entwickeln, zu verstehen und zu optimieren. Als Anwendungsbeispiel wird die Simulation des "exchange bias"-Effekts der in jedem Lesekopf in Festplatten Anwendung findet, jedoch immer noch nicht vollständig verstanden wird, gebracht. Weiters wird ein neuartiges Speichermedium vorgestellt, das durch die Nanostrukturierung von magnetischen weichen und magnetischen harten Schichten ("exchange- spring" Medien) eine hervorragende thermische Stabilität besitzt und gleichzeitig leicht beschrieben werden kann. Damit werden Speicherdichten von mehr als 1 Tb/inch_ = 0.15 Tb/cm_ vorausgesagt, was einer Verdreifachung der Speicherdichte gegenüber konventionellen Medien entspricht.