Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
W. Gös, M. Karner, S. E. Tyaginov, Ph. Hehenberger, T. Grasser:
"Level Shifts and Gate Interfaces as Vital Ingredients in Modeling of Charge Trapping";
Vortrag: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD),
Hakone, Japan;
09.09.2008
- 11.09.2008; in: "Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)",
(2008),
ISBN: 978-1-4244-1753-7;
S. 69
- 72.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2008.4648239
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2009/CP2008_Goes_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.