Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
T. Grasser, W. Gös, B. Kaczer:
"Modeling Bias Temperature Instability During Stress and Recovery";
Vortrag: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD),
Hakone, Japan;
09.09.2008
- 11.09.2008; in: "Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)",
(2008),
ISBN: 978-1-4244-1753-7;
S. 65
- 68.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2008.4648238
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2009/CP2008_Grasser_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.