Zeitschriftenartikel:
V. Sverdlov, T. Windbacher, F. Schanovsky, S. Selberherr:
"Mobility Modeling in Advanced MOSFETs with Ultra-Thin Silicon Body under Stress";
Journal Integrated Circuits and Systems,
4
(2009),
2;
S. 55
- 60.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.29292/jics.v4i2.298
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2009/JB2009_Sverdlov_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.