Zeitschriftenartikel:
S. E. Tyaginov, I. Starkov, O. Triebl, J. Cervenka, C. Jungemann, S. Carniello, J.M. Park, H. Enichlmair, M. Karner, C. Kernstock, E. Seebacher, R. Minixhofer, H. Ceric, T. Grasser:
"Interface Traps Density-of-States as a Vital Component for Hot-Carrier Degradation Modeling";
Microelectronics Reliability,
50
(2010),
S. 1267
- 1272.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2010.0
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2010/JB2010_Tyaginov_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.