Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
Ph. Hehenberger, W. Gös, O. Baumgartner, J. Franco, B. Kaczer, T. Grasser:
"Quantum-Mechanical Modeling of NBTI in High-k SiGe MOSFETs";
Vortrag: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD),
Osaka, Japan;
08.09.2011
- 10.09.2011; in: "Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)",
(2011),
ISBN: 978-1-61284-418-3;
S. 11
- 14.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2011.6035036
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2011/CP2011_Hehenberger_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.