Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
S. E. Tyaginov, I. Starkov, O. Triebl, H. Ceric, T. Grasser, H. Enichlmair, J.M. Park, C. Jungemann:
"Secondary Generated Holes as a Crucial Component for Modeling of HC Degradation in High-Voltage n-MOSFET";
Vortrag: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD),
Osaka, Japan;
08.09.2011
- 10.09.2011; in: "Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)",
(2011),
ISBN: 978-1-61284-418-3;
S. 123
- 126.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2011.6035065
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2011/CP2011_Tyaginov_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.