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Zeitschriftenartikel:

J. Franco, B. Kaczer, M. Toledano-Luque, Ph. J. Roussel, Ph. Hehenberger, T. Grasser, J. Mitard, G. Eneman, T. Y. Hoffmann, G. Groeseneken:
"On the Impact of the Si Passivation Layer Thickness on the NBTI of Nanoscaled Si0.45Ge0.55 pMOSFETs";
Microelectronic Engineering, 88 (2011), 7; S. 1388 - 1391.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2011.03.065

Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2011/JB2011_Hehenberger_1.pdf


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.