Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
J. Franco, B. Kaczer, G. Eneman, Ph. J. Roussel, T. Grasser, J. Mitard, L. Ragnarsson, M. Cho, L. Witters, T. Chiarella, M. Togo, W. Wang, A. Hikavyy, R. Loo, N. Horiguchi, G. Groeseneken:
"Superior NBTI Reliability of SiGe Channel pMOSFETs: Replacement Gate, FinFETs, and Impact of Body Bias";
Vortrag: IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM),
Washington DC, USA;
05.12.2011
- 07.12.2011; in: "Proceedings of the IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)",
(2011),
ISBN: 978-1-4577-0505-2;
4 S.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/IEDM.2011.6131580
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2011/CP2011_Grasser_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.