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Zeitschriftenartikel:

S. Vitanov, V. Palankovski, S. Maroldt, R. Quay, S. Murad, T. Rödle, S. Selberherr:
"Physics-Based Modeling of GaN HEMTs";
IEEE Transactions on Electron Devices, 59 (2012), 3; S. 685 - 693.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/TED.2011.2179118

Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2011/JB2012_Vitanov_1.pdf


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.