Zeitschriftenartikel:
D. Osintsev, V. Sverdlov, Z. Stanojevic, A. Makarov, S. Selberherr:
"Temperature Dependence of the Transport Properties of Spin Field-Effect Transistors Built with InAs and Si Channels";
Solid-State Electronics,
71
(2012),
S. 25
- 29.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2011.10.015
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2011/JB2012_Ostintsev_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.