Zeitschriftenartikel:
N. Neophytou, H. Kosina:
"Bias-Induced Hole Mobility Increase in Narrow [111] and [110] Si Nanowire Transistors";
IEEE Electron Device Letters,
33
(2012),
5;
S. 652
- 654.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/LED.2012.2188879
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2011/JB2012_Neophytou_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.