Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
S. Vitanov, J. Kuzmik, V. Palankovski:
"Normally-Off InAlN/GaN HEMTs with n++ GaN Cap Layer: A Simulation Study";
Vortrag: International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS),
Washington DC , USA;
07.12.2011
- 09.12.2011; in: "Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS 2011)",
(2011),
ISBN: 978-1-4577-1754-3;
2 S.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/ISDRS.2011.6135161
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2011/CP2011_Vitanov_2.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.