Zeitschriftenartikel:
G. Pobegen, T. Grasser:
"Efficient Characterization of Threshold Voltage Instabilities in SiC nMOSFETs Using the Concept of Capture-Emission-Time Maps";
Materials Science Forum,
740-742
(2013),
S. 757
- 760.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.757
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2012/JB2013_Grasser_2.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.