Zeitschriftenartikel:
S. M. Tabatabaei, M. Noei, K. Khaliji, M. Pourfath, M. Fathipour:
"A First-Principles Study on the Effect of Biaxial Strain on the Ultimate Performance of Monolayer MoS2-Based Double Gate Field Effect Transistor";
Journal of Applied Physics,
113
(2013),
S. 163708-1
- 163708-6.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1063/1.4803032
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2012/JB2013_Pourfath_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.