[Zurück]


Zeitschriftenartikel:

M. I. Vexler, S. E. Tyaginov, Yu. Illarionov, Y. K. Sing, A. D. Shenp, V. V. Fedorov, D. V. Isakov:
"A General Simulation Procedure for the Electrical Characteristics of Metal Insulator Semiconductor Tunnel Structures";
Semiconductors (Physics of Semiconductor Devices), 47 (2013), 5; S. 686 - 694.



"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1134/S1063782613050230

Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2012/JB2013_Illarionov_2.pdf


Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.