Zeitschriftenartikel:
J. Franco, B. Kaczer, J. Mitard, M. Toledano-Luque, Ph. J. Roussel, L. Witters, T. Grasser, G Groeseneken:
"NBTI Reliability of SiGe and Ge Channel pMOSFETs With SiO2/HfO2 Dielectric Stack";
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability (eingeladen),
13
(2013),
4;
S. 497
- 506.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/TDMR.2013.2281731
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2013/JB2014_Grasser_2.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.