Zeitschriftenartikel:
T. Aichinger, M. Nelhiebel, T. Grasser:
"Refined NBTI Characterization of Arbitrarily Stressed PMOS Devices at Ultra-low and Unique Temperatures";
Microelectronics Reliability,
53
(2013),
7;
S. 937
- 946.
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2013.03.007
Elektronische Version der Publikation:
http://www.iue.tuwien.ac.at/pdf/ib_2014/JB2014_Grasser_1.pdf
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.